公开(公告)号：US5210431A

公开(公告)日：1993-05-11

申请号：US831651

申请日：1992-02-07

申请人： Tunenobu Kimoto ,  Tadashi Tomikawa ,  Shoji Nakagama ,  Masayuki Ishii ,  Nobuhiko Fujita

发明人： Tunenobu Kimoto ,  Tadashi Tomikawa ,  Shoji Nakagama ,  Masayuki Ishii ,  Nobuhiko Fujita

IPC分类号： H01L21/04 ,  H01L29/16 ,  H01L29/45

CPC分类号： H01L29/1602 ,  H01L21/043 ,  H01L29/45

摘要： In an ohmic contact electrode for the p-type semiconductor diamond, the electrode is formed of metals or metallic compounds containing boron on a p-type semiconductor diamond, so as to obtain a decreased contact resistance.

摘要翻译： 在用于p型半导体金刚石的欧姆接触电极中，电极由在p型半导体金刚石上含有硼的金属或金属化合物形成，以获得降低的接触电阻。

公开(公告)号：US5075757A

公开(公告)日：1991-12-24

申请号：US556722

申请日：1990-07-25

申请人： Masayuki Ishii ,  Tunenobu Kimoto ,  Shoji Nakagama ,  Tadashi Tomikawa ,  Nobuhiko Fujita

发明人： Masayuki Ishii ,  Tunenobu Kimoto ,  Shoji Nakagama ,  Tadashi Tomikawa ,  Nobuhiko Fujita

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/04 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/337 ,  H01L29/43 ,  H01L29/45 ,  H01L29/808 ,  H01L33/16 ,  H01L33/34 ,  H01L33/40

CPC分类号： H01L21/043 ,  H01L29/45

摘要： As electrodes for the semiconductor diamond, the p.sup.+ or n.sup.+ polycrystalline silicon film or amorphous silicon film including microcrystalline silicon phase is formed on the semiconductor diamond, whereby an ohmic contact electrode with low contact resistance can be made.

公开(公告)号：US5298461A

公开(公告)日：1994-03-29

申请号：US734561

申请日：1991-07-23

申请人： Tadashi Tomikawa ,  Tunenobu Kimoto ,  Nobuhiko Fujita

发明人： Tadashi Tomikawa ,  Tunenobu Kimoto ,  Nobuhiko Fujita

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L29/45 ,  H01L21/441

CPC分类号： H01L29/20 ,  H01L29/452 ,  Y10S438/932

摘要： An ohmic contact electrode is formed on an n-type semiconductor cubic boron nitride by using a IVB metal; an alloy with a IVB metal; a metal with Si or S; an alloy with Si or S; a metal with B, Al, Ga, or In; an alloy with B, Al, Ga, or In; a VB metal; or an alloy with a VB metal.

摘要翻译： 通过使用IVB金属在n型半导体立方氮化硼上形成欧姆接触电极; 具有IVB金属的合金; 具有Si或S的金属; 与Si或S的合金; 具有B，Al，Ga或In的金属; 具有B，Al，Ga或In的合金; 一种VB金属; 或具有VB金属的合金。

公开(公告)号：US5422500A

公开(公告)日：1995-06-06

申请号：US60530

申请日：1993-05-13

申请人： Tadashi Tomikawa ,  Tunenobu Kimoto ,  Nobuhiko Fujita

发明人： Tadashi Tomikawa ,  Tunenobu Kimoto ,  Nobuhiko Fujita

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L29/45 ,  H01L29/48

CPC分类号： H01L29/20 ,  H01L29/452 ,  Y10S438/932

摘要： An ohmic contact electrode formed on an n-type semiconductor cubic boron nitride by using a IVa metal or an alloy with a IVa metal or a layer of Au or Ag.

摘要翻译： 通过使用IVa金属或与IVa金属或Au或Ag层的合金在n型半导体立方氮化硼上形成的欧姆接触电极。

公开(公告)号：US5306928A

公开(公告)日：1994-04-26

申请号：US884138

申请日：1992-05-18

申请人： Tunenobu Kimoto ,  Tadashi Tomikawa ,  Nobuhiko Fujita

发明人： Tunenobu Kimoto ,  Tadashi Tomikawa ,  Nobuhiko Fujita

IPC分类号： C30B29/04 ,  C23C16/26 ,  C23C16/27 ,  H01C7/04 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L27/12 ,  H01L29/10 ,  H01L29/16 ,  H01L29/872 ,  H01L31/0312 ,  H01L27/095 ,  H01L29/12 ,  H01L29/48

CPC分类号： H01L29/872 ,  H01L21/02376 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/107 ,  H01L29/1602

摘要： A semiconductor device utilizing a non-doped diamond layer between a substrate and an active diamond layer. Such a structure decreases the resistivity and increases the carrier density. Further, when contacts are formed on the active layer, this layer structure reduces reverse leak current.

摘要翻译： 在衬底和有源金刚石层之间利用非掺杂金刚石层的半导体器件。 这种结构降低了电阻率并增加了载流子密度。 此外，当在有源层上形成接触时，该层结构减少了反向漏电流。

公开(公告)号：US5285109A

公开(公告)日：1994-02-08

申请号：US705594

申请日：1991-05-24

申请人： Tadashi Tomikawa ,  Tunenobu Kimoto ,  Nobuhiko Fujita

发明人： Tadashi Tomikawa ,  Tunenobu Kimoto ,  Nobuhiko Fujita

IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L29/45 ,  H01L29/48 ,  H01L29/46 ,  H01L29/62 ,  H01L29/64

CPC分类号： H01L29/20 ,  H01L29/452 ,  Y10S438/932

摘要： An ohmic contact electrode formed on an n-type semiconductor cubic boron nitride by using a IVa metal; an alloy with a IVa metal; a metal with Si or S; an alloy with Si or S; a metal with B, Al, Ga, or In; an alloy with B, Al, Ga, or In; a Va metal; or an alloy with a Va metal.

摘要翻译： 通过使用IVa金属在n型半导体立方氮化硼上形成的欧姆接触电极; 具有IVa金属的合金; 具有Si或S的金属; 与Si或S的合金; 具有B，Al，Ga或In的金属; 具有B，Al，Ga或In的合金; Va金属 或与Va金属的合金。

公开(公告)号：US5144380A

公开(公告)日：1992-09-01

申请号：US592794

申请日：1990-10-04

申请人： Tunenobu Kimoto ,  Tadashi Tomikawa ,  Nobuhiko Fujita

发明人： Tunenobu Kimoto ,  Tadashi Tomikawa ,  Nobuhiko Fujita

IPC分类号： C30B29/04 ,  C23C16/26 ,  C23C16/27 ,  H01C7/04 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L27/12 ,  H01L29/10 ,  H01L29/16 ,  H01L29/872

CPC分类号： H01L29/872 ,  H01L21/02376 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/107 ,  H01L29/1602

摘要： A semiconductor device utilizing a nondoped diamond layer between a substrate and an active diamond layer. Such a structure decreases the resistivity and increases the carrier density. Further, when contacts are formed on the active layer, this layer structure reduces reverse leak current.

公开(公告)号：US20070186858A1

公开(公告)日：2007-08-16

申请号：US10594562

申请日：2005-03-28

申请人： Tunenobu Kimoto ,  Hiroyuki Matsunami ,  Hirokazu Fujiwara

发明人： Tunenobu Kimoto ,  Hiroyuki Matsunami ,  Hirokazu Fujiwara

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： H01L21/68785 ,  C23C16/4588 ,  C30B25/12 ,  C30B31/14 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/68757 ,  H01L21/68771

摘要： A susceptor used in semiconductor epitaxial growth that can simultaneously obtain a plurality of epitaxial films high in uniformity. The susceptor includes a barrel type susceptor having a plurality of surfaces on an outer side of each of which a plurality of substrates can be freely disposed, and a member that has the barrel type susceptor disposed inside thereof and surfaces each of which is oppositely disposed tilting in the same direction as each of the surfaces of the barrel type susceptor. Alternatively, a susceptor includes a barrel type susceptor having a plurality of surfaces on an inner side of each of which a plurality of substrates can be freely disposed, and a member that has the barrel type susceptor disposed at the peripheral portion thereof and surfaces each of which is oppositely disposed tilting in the same direction as each of the surfaces of the barrel type susceptor.

摘要翻译： 用于半导体外延生长的感受体可以同时获得高均匀性的多个外延膜。 所述基座包括：筒状基座，其外侧上具有多个可自由布置的基板的多个表面;以及具有设置在其内部的所述筒状基座的构件，其表面各倾斜相对设置 在与桶形基座的每个表面相同的方向上。 或者，基座包括：筒型基座，其内侧具有多个表面，每个表面可以自由地设置多个基板;以及构件，其具有设置在其周边部分的圆筒型基座， 其相对地设置在与筒型基座的每个表面相同的方向上倾斜。