公开(公告)号：US20060138081A1

公开(公告)日：2006-06-29

申请号：US11019729

申请日：2004-12-23

申请人： Tuochuan Huang ,  Daxing Ren ,  Hong Shih ,  Catherine Zhou ,  Chun Yan ,  Enrico Magni ,  Bi Yen ,  Jerome Hubacek ,  Dae Lim ,  Dougyong Sung

发明人： Tuochuan Huang ,  Daxing Ren ,  Hong Shih ,  Catherine Zhou ,  Chun Yan ,  Enrico Magni ,  Bi Yen ,  Jerome Hubacek ,  Dae Lim ,  Dougyong Sung

IPC分类号： B44C1/22 ,  C23F1/00

CPC分类号： H01L21/67069 ,  B08B3/10 ,  B08B3/12 ,  B24C1/003 ,  H01J37/32605

摘要： Methods for cleaning an electrode assembly, which can be used for etching a dielectric material in a plasma etching chamber after the cleaning, comprise polishing a silicon surface of the electrode assembly, preferably to remove black silicon contamination therefrom.

摘要翻译： 用于清洁电极组件的方法，其可以用于在清洁之后蚀刻等离子体蚀刻室中的电介质材料，包括抛光电极组件的硅表面，优选从其中去除黑色硅污染物。

公开(公告)号：US07442114B2

公开(公告)日：2008-10-28

申请号：US11019729

申请日：2004-12-23

申请人： Tuochuan Huang ,  Daxing Ren ,  Hong Shih ,  Catherine Zhou ,  Chun Yan ,  Enrico Magni ,  Bi Ming Yen ,  Jerome Hubacek ,  Dae J. Lim ,  Dougyong Sung

发明人： Tuochuan Huang ,  Daxing Ren ,  Hong Shih ,  Catherine Zhou ,  Chun Yan ,  Enrico Magni ,  Bi Ming Yen ,  Jerome Hubacek ,  Dae J. Lim ,  Dougyong Sung

IPC分类号： B24B1/00

CPC分类号： H01L21/67069 ,  B08B3/10 ,  B08B3/12 ,  B24C1/003 ,  H01J37/32605

摘要： Methods for cleaning an electrode assembly, which can be used for etching a dielectric material in a plasma etching chamber after the cleaning, comprise polishing a silicon surface of the electrode assembly, preferably to remove black silicon contamination therefrom.

摘要翻译： 用于清洁电极组件的方法，其可以用于在清洁之后蚀刻等离子体蚀刻室中的电介质材料，包括抛光电极组件的硅表面，优选从其中去除黑色硅污染物。

公开(公告)号：US06649532B1

公开(公告)日：2003-11-18

申请号：US10143489

申请日：2002-05-09

申请人： Hui Chen ,  Xikun Wang ,  Hong Shih ,  Chun Yan ,  Wai-Fan Yau

发明人： Hui Chen ,  Xikun Wang ,  Hong Shih ,  Chun Yan ,  Wai-Fan Yau

IPC分类号： H01L21302

CPC分类号： C03C17/34 ,  C03C2218/33 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32139

摘要： One embodiment of the present invention is a process for etching an organic anti-reflective coating on a base of a substrate, the process including steps of: (a) placing the substrate into a processing chamber; (b) introducing into the processing chamber a processing gas including one or more of carbon monoxide (CO), carbon dioxide (CO2), and sulfur oxide (SO2); and (c) forming a plasma from the processing gas to etch the organic anti-reflective coating layer.

摘要翻译： 本发明的一个实施方案是用于在衬底的基底上蚀刻有机抗反射涂层的方法，该方法包括以下步骤：（a）将衬底放置在处理室中; （b）将包括一氧化碳（CO），二氧化碳（CO 2）和硫氧化物（SO 2））中的一种或多种的处理气体引入处理室; 和（c）从处理气体形成等离子体以蚀刻有机抗反射涂层。

公开(公告)号：US07374636B2

公开(公告)日：2008-05-20

申请号：US10205870

申请日：2002-07-26

申请人： Keiji Horioka ,  Chun Yan ,  Taeho Shin ,  Roger Alan Lindley ,  Panyin Hughes ,  Douglas H. Burns ,  Evans Y. Lee ,  Bryan Y. Pu ,  Qi Li ,  Mahmoud Dahimene

发明人： Keiji Horioka ,  Chun Yan ,  Taeho Shin ,  Roger Alan Lindley ,  Panyin Hughes ,  Douglas H. Burns ,  Evans Y. Lee ,  Bryan Y. Pu ,  Qi Li ,  Mahmoud Dahimene

IPC分类号： H01L21/306 ,  C23C16/00

CPC分类号： H01J37/32623 ,  H01J37/3266

摘要： A method and apparatus for controlling a magnetic field gradient within a magnetically enhanced plasma reactor. The apparatus comprises a cathode pedestal supporting a wafer within an enclosure, a plurality of electromagnets positioned proximate the enclosure for producing a magnetic field in the enclosure and a magnetic field control element, positioned proximate the electromagnets, for controlling the magnetic field proximate a specific region of the wafer.

摘要翻译： 一种用于控制磁增强等离子体反应器内的磁场梯度的方法和装置。 该装置包括支撑外壳内的晶片的阴极基座，靠近外壳定位的多个电磁体，用于在外壳中产生磁场，并且磁场控制元件位于电磁体附近，用于控制靠近特定区域的磁场 的晶片。

公开(公告)号：US06933239B2

公开(公告)日：2005-08-23

申请号：US10342087

申请日：2003-01-13

申请人： Chentsau Ying ,  Xiaoyi Chen ,  Chun Yan ,  Ajay Kumar

发明人： Chentsau Ying ,  Xiaoyi Chen ,  Chun Yan ,  Ajay Kumar

IPC分类号： H01L21/3213 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L43/12 ,  H01L21/32136

摘要： A method for removing conductive residue from a layer on a semiconductor substrate by exposing the substrate to a gas comprising a fluorine containing gas and a hydrogen containing gas. In one embodiment, the gas is excited to form a plasma that removes the conductive residue during fabrication of a magneto-resistive random access memory (MRAM) device.

摘要翻译： 一种通过将衬底暴露于包含含氟气体和含氢气体的气体从半导体衬底上的层去除导电残留物的方法。 在一个实施例中，气体被激发以形成在制造磁阻随机存取存储器（MRAM）器件期间除去导电残留物的等离子体。

公开(公告)号：US07316199B2

公开(公告)日：2008-01-08

申请号：US10146443

申请日：2002-05-14

申请人： Keiji Horioka ,  Chun Yan ,  Taeho Shin ,  Roger Alan Lindley ,  Qi Li ,  Panyin Hughes ,  Douglas H. Burns ,  Evans Y. Lee ,  Bryan Y. Pu

发明人： Keiji Horioka ,  Chun Yan ,  Taeho Shin ,  Roger Alan Lindley ,  Qi Li ,  Panyin Hughes ,  Douglas H. Burns ,  Evans Y. Lee ,  Bryan Y. Pu

IPC分类号： C23C16/00 ,  H01L21/306

CPC分类号： H01J37/32623 ,  H01J37/3266

摘要： A magnetic field generator for producing a magnetic field that accelerates plasma formation is placed proximate a reaction chamber of semiconductor substrate processing system. The magnetic field generator has four main magnetic coil sections for producing a magnetic field nearly parallel to the top surface of a support pedestal in the reaction chamber and four sub-magnetic coil sections placed generally coaxially with the main magnetic coil sections to produce a magnetic field of the direction opposite of that of the magnetic field produced with the main magnetic coil sections. In the magnetic field generator, magnetic fields of opposite polarities are superimposed on each other when electric currents of opposite directions are applied to the main and sub-magnetic coil sections.

摘要翻译： 用于产生加速等离子体形成的磁场的磁场发生器放置在半导体衬底处理系统的反应室附近。 磁场发生器具有四个主要的磁线圈部分，用于产生几乎平行于反应室中的支撑基座的顶表面的磁场和与主电磁线圈部分大致同轴放置的四个子磁线圈部分，以产生磁场 的方向与由主电磁线圈段产生的磁场的方向相反。 在磁场发生器中，相反极性的磁场在施加到主磁亚极部分和次磁线圈部分的相反方向的电流时彼此叠加。

公开(公告)号：US20050009342A1

公开(公告)日：2005-01-13

申请号：US10616098

申请日：2003-07-08

申请人： Hui Chen ,  Chun Yan

发明人： Hui Chen ,  Chun Yan

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/311 ,  H01L21/461

CPC分类号： H01L21/31138 ,  H01L21/31144

摘要： A method for etching an organic anti-reflective coating (OARC) using a halogen-free gas chemistry is disclosed. The organic anti-reflective coating (OARC) is etched using a gas mixture comprising at least one of a hydrocarbon-containing gas and an oxygen-containing gas. The method provides high etch selectivity for the organic anti-reflective coating (OARC) over metal layers (e.g., copper (Cu), aluminum (Al), and the like) or dielectric layers (silicon dioxide (SiO2), and the like).

摘要翻译： 公开了一种使用无卤素气体化学蚀刻有机抗反射涂层（OARC）的方法。 使用包含含烃气体和含氧气体中的至少一种的气体混合物来蚀刻有机抗反射涂层（OARC）。 该方法对金属层（例如铜（Cu），铝（Al）等）或电介质层（二氧化硅（SiO 2）等）上的有机抗反射涂层（OARC）提供高蚀刻选择性， 。

公开(公告)号：US06620289B1

公开(公告)日：2003-09-16

申请号：US09300563

申请日：1999-04-27

申请人： Chun Yan ,  Yan Ye ,  Diana Xiaobing Ma

发明人： Chun Yan ,  Yan Ye ,  Diana Xiaobing Ma

IPC分类号： H01L21306

CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45502 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67069

摘要： A method and apparatus for processing a workpiece in a chamber by providing an asymmetric flow of process gas and processing the workpiece with the process gas. The asymmetric flow counteracts a non-uniform distribution of reactive species in the chamber. The asymmetric flow can be accomplished by introducing the process gas through a plurality of gas nozzles that communicate through a side wall of the chamber proximate a pump port while pumping gas with a pump coupled to the pump port. The inventive method can be used with a conventional processing chamber by only opening the gas nozzles closest to the pump and blocking any other gas nozzles. Alternatively, the method can be implemented in a processing chamber having gas nozzles located only proximate the pump port.

摘要翻译： 一种用于通过提供工艺气体的非对称流动并用工艺气体处理工件来处理腔室中的工件的方法和装置。 不对称流动抵消了室中反应物质的不均匀分布。 不对称流动可以通过将工艺气体引入多个气体喷嘴来实现，所述多个气体喷嘴通过邻近泵口的腔室的侧壁连通，同时用连接到泵口的泵泵送气体。 本发明的方法可以通过仅打开最靠近泵的气体喷嘴并阻挡任何其它气体喷嘴而与常规处理室一起使用。 或者，该方法可以在具有仅位于泵端口附近的气体喷嘴的处理室中实现。

公开(公告)号：US20050079703A1

公开(公告)日：2005-04-14

申请号：US10683143

申请日：2003-10-09

申请人： Hui Chen ,  Chun Yan ,  Wai-Fan Yau

发明人： Hui Chen ,  Chun Yan ,  Wai-Fan Yau

IPC分类号： C23F3/04 ,  H01L21/02 ,  H01L21/321 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768 ,  H01L21/44 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/02074 ,  C23F3/04 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/7684

摘要： A method of forming an interconnect structure (e.g., copper interconnect structure, and the like) on a semiconductor substrate. The interconnect structure is formed by depositing within trenches and openings formed in an inter-metal dielectric (IMD) layer a barrier layer and a conductive material. Thereafter, the interconnect structure is planarized using a two-step process whereby excess conductive material on the IMD material is removed during the first step using a chemical mechanical polishing (CMD) process. In the second step the barrier layer is removed using a plasma etch process. The barrier layer is removed using a gas mixture including a halogen-containing gas.

摘要翻译： 在半导体衬底上形成互连结构（例如，铜互连结构等）的方法。 互连结构通过在形成于金属间电介质（IMD）层的沟槽和开口内沉积阻挡层和导电材料而形成。 此后，使用两步法将互连结构平坦化，由此在第一步骤期间使用化学机械抛光（CMD）工艺除去IMD材料上的过量导电材料。 在第二步骤中，使用等离子体蚀刻工艺去除阻挡层。 使用包含含卤素气体的气体混合物除去阻挡层。

公开(公告)号：US06352049B1

公开(公告)日：2002-03-05

申请号：US09119417

申请日：1998-07-20

申请人： Gerald Yin ,  Arnold Kolandenko ,  Hong Ching Shan ,  Peter Loewenhardt ,  Chii Lee ,  Yan Ye ,  Xueyan Qian ,  Songlin Xu ,  Arthur Chen ,  Arthur Sato ,  Michael Grimbergen ,  Diana Ma ,  John Yamartino ,  Chun Yan ,  Wade Zawalski

发明人： Gerald Yin ,  Arnold Kolandenko ,  Hong Ching Shan ,  Peter Loewenhardt ,  Chii Lee ,  Yan Ye ,  Xueyan Qian ,  Songlin Xu ,  Arthur Chen ,  Arthur Sato ,  Michael Grimbergen ,  Diana Ma ,  John Yamartino ,  Chun Yan ,  Wade Zawalski

IPC分类号： C23E1648

CPC分类号： H01J37/32871

摘要： The present invention provides an apparatus and method, for plasma assisted processing of a workpiece, which provides for separate control of species density within a processing plasma. The present invention has a processing chamber and at least one collateral chamber. The collateral chamber is capable of generating a collateral plasma and delivering it to the processing chamber. To control the densities of the particle species within the processing chamber the present invention may have: a filter interposed between the collateral chamber and the processing chamber, primary chamber source power, several collateral chambers providing separate inputs to the processing chamber, or combinations thereof. Collateral plasma may be: filtered, combined with primary chamber generated plasma, combined with another collateral plasma, or combinations thereof to separately control the densities of the species comprising the processing plasma.

摘要翻译： 本发明提供了一种用于工件的等离子体辅助处理的装置和方法，其提供对处理等离子体内的物质密度的单独控制。 本发明具有处理室和至少一个辅助室。 辅助室能够产生旁路血浆并将其输送到处理室。 为了控制处理室内的颗粒物质的密度，本发明可以具有：插入在侧室和处理室之间的过滤器，主室源功率，向处理室提供单独输入的若干附属室，或其组合。 附带等离子体可以是：过滤，与初级室产生的等离子体组合，与另一副侧血浆或其组合组合以分别控制包含处理血浆的物质的密度。