公开(公告)号：US5923063A

公开(公告)日：1999-07-13

申请号：US26358

申请日：1998-02-19

申请人： Yowjuang W. Liu ,  Donald L. Wollesen ,  John T. Yue

发明人： Yowjuang W. Liu ,  Donald L. Wollesen ,  John T. Yue

IPC分类号： H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/423 ,  H01L29/788 ,  H01L29/76 ,  H01L29/792 ,  H01L29/88

CPC分类号： H01L27/11521 ,  H01L27/115 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/7885

摘要： Floating gates of nonvolatile memory cells are formed in pairs within a pyramidal or truncated pyramidal opening in a semiconductor layer between a top surface thereof and a heavily doped source region spaced from the surface of the semiconductor layer. The floating gates control the conductance of channel regions formed along the sloped sidewalls of the pyramidal openings between surface drains and the buried source region.

摘要翻译： 非易失性存储单元的浮动栅极在其顶表面和与半导体层的表面间隔开的重掺杂源极区域之间的半导体层内的金字塔形或截锥形金字塔形开口内成对形成。 浮动栅极控制沿着表面排水沟和埋入源区域之间的锥体开口的倾斜侧壁形成的沟道区的电导。

公开(公告)号：US06180441B2

公开(公告)日：2001-01-30

申请号：US09307698

申请日：1999-05-10

申请人： John T. Yue ,  Matthew S. Buynoski ,  Yowjuang W. Liu ,  Peng Fang

发明人： John T. Yue ,  Matthew S. Buynoski ,  Yowjuang W. Liu ,  Peng Fang

IPC分类号： H01L21336

CPC分类号： H01L29/66636 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7853 ,  H01L29/7854

摘要： A field effect transistor is formed across a one or more trenches (26) or bars (120), thereby increasing the effective width of the channel region and the current-carrying capacity of the device.

摘要翻译： 在一个或多个沟槽（26）或条（120）上形成场效应晶体管，从而增加了沟道区的有效宽度和器件的载流能力。

公开(公告)号：US5932911A

公开(公告)日：1999-08-03

申请号：US766494

申请日：1996-12-13

申请人： John T. Yue ,  Matthew S. Buynoski ,  Yowjuang W. Liu ,  Peng Fang

发明人： John T. Yue ,  Matthew S. Buynoski ,  Yowjuang W. Liu ,  Peng Fang

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L21/335 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/062

CPC分类号： H01L29/66636 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7853 ,  H01L29/7854

摘要： A field effect transistor is formed across one or more trenches (26) or bars (120), thereby increasing the effective width of the channel region and the current-carrying capacity of the device.

摘要翻译： 跨越一个或多个沟槽（26）或条（120）形成场效应晶体管，从而增加了沟道区的有效宽度和器件的载流能力。

公开(公告)号：US5786705A

公开(公告)日：1998-07-28

申请号：US747803

申请日：1996-11-14

申请人： Nguyen Duc Bui ,  John T. Yue ,  Van Pham

发明人： Nguyen Duc Bui ,  John T. Yue ,  Van Pham

IPC分类号： G01R27/26 ,  G01R31/28

CPC分类号： G01R31/2853 ,  G01R31/2858

摘要： A substantially constant current is conducted in a first direction through an interconnect structure having a barrier layer to determine the lifetime of the structure in the first current direction. A substantially identical current is conducted in a second direction through a substantially identical interconnect structure to determine the lifetime of the structure in the second current direction. These tests are repeated for identical structures but having different barrier layer thicknesses. The results of these lifetime tests are compared to determine the barrier layer's effect on electromigration in the structure, which can be used to design the barrier layer to optimize the structure's lifetime and speed.

摘要翻译： 通过具有阻挡层的互连结构在第一方向上进行基本恒定的电流，以确定结构在第一电流方向上的寿命。 通过基本相同的互连结构在第二方向上进行基本上相同的电流，以确定结构在第二电流方向上的寿命。 对相同的结构重复这些测试，但具有不同的阻挡层厚度。 比较这些寿命测试的结果以确定阻挡层对结构中电迁移的影响，可用于设计阻挡层以优化结构的寿命和速度。

公开(公告)号：US08000520B2

公开(公告)日：2011-08-16

申请号：US11946265

申请日：2007-11-28

申请人： Chia-Lun Chang ,  Chih-huei Wu ,  John T. Yue

发明人： Chia-Lun Chang ,  Chih-huei Wu ,  John T. Yue

IPC分类号： G06K9/00 ,  G01N21/00 ,  H04N17/00 ,  H04N17/02 ,  G01C25/00

CPC分类号： H04N17/002 ,  H04N5/367

摘要： An image sensor testing apparatus is disclosed. The image sensor testing apparatus includes an electronic test system having a light source for illuminating an image sensor wafer to generate pixel data and a host processor for receiving the pixel data. An interface card coupled to the electronic test system has a programmable processor for processing the pixel data to generate processed data, the processed data transmitted to and analyzed by the host processor together with the pixel data to detect pixel defects in the image sensor wafer.

摘要翻译： 公开了一种图像传感器测试装置。 图像传感器测试装置包括具有用于照射图像传感器晶片以产生像素数据的光源的电子测试系统和用于接收像素数据的主机处理器。 耦合到电子测试系统的接口卡具有可编程处理器，用于处理像素数据以产生经处理的数据，经处理的数据与主处理器一起发送到并由其分析，以检测图像传感器晶片中的像素缺陷。

公开(公告)号：US5600578A

公开(公告)日：1997-02-04

申请号：US101251

申请日：1993-08-02

申请人： Hao Fang ,  Peng Fang ,  John T. Yue

发明人： Hao Fang ,  Peng Fang ,  John T. Yue

IPC分类号： G01R31/26 ,  G01R31/30 ,  G01R31/317 ,  G06F11/26 ,  G06F17/50

CPC分类号： G01R31/2621 ,  G01R31/3004 ,  G01R31/31707 ,  G06F17/5036 ,  G06F11/261

摘要： A test method and apparatus are provided for predicting hot-carrier induced leakage over time in IGFET's. Test results are used to show how choice of channel length and stress voltages critically affect hot-carrier-induced leakage (HCIL) leakage over time, particularly in devices having submicron channel lengths. Models are developed for predicting leakage current over the long term given short term test results. Alternative design strategies are proposed for reliably satisfying long term leakage requirements.

摘要翻译： 提供了一种测试方法和装置，用于在IGFET中预测随时间推移的热载流子诱发的泄漏。 测试结果用于显示通道长度和应力电压的选择如何随着时间的推移严重影响热载体引起的泄漏（HCIL）泄漏，特别是在具有亚微米通道长度的器件中。 由于短期测试结果，模型用于长期预测泄漏电流。 提出了可靠地满足长期泄漏要求的替代设计策略。

公开(公告)号：US5504017A

公开(公告)日：1996-04-02

申请号：US359464

申请日：1994-12-20

申请人： John T. Yue ,  Shekhar Pramanick

发明人： John T. Yue ,  Shekhar Pramanick

IPC分类号： G01N25/72 ,  H01L21/66 ,  G01N27/20

CPC分类号： G01N25/72

摘要： Voids in a metallization pattern comprising a barrier layer, such as those generated by stress migration, are detected by applying a current across a test section of the metallization pattern to generate hot spots which are detected as by employing an infrared microscope or with a liquid crystalline material.

摘要翻译： 通过在金属化图案的测试部分施加电流以产生热点，通过使用红外显微镜或液晶检测来检测包括阻挡层（例如由应力迁移产生的阻挡层）的金属化图案的空隙 材料。

公开(公告)号：US5612627A

公开(公告)日：1997-03-18

申请号：US348645

申请日：1994-12-01

申请人： Nguyen D. Bui ,  John T. Yue ,  Van Pham

发明人： Nguyen D. Bui ,  John T. Yue ,  Van Pham

IPC分类号： G01R27/26 ,  G01R31/28

CPC分类号： G01R31/2853 ,  G01R31/2858

摘要： A substantially constant current is conducted in a first direction through an interconnect structure having a barrier layer to determine the lifetime of the structure in the first current direction. A substantially identical current is conducted in a second direction through a substantially identical interconnect structure to determine the lifetime of the structure in the second current direction. These tests are repeated for identical structures but having different barrier layer thicknesses. The results of these lifetime tests are compared to determine the barrier layer's effect on electromigration in the structure, which can be used to design the barrier layer to optimize the structure's lifetime and speed.

摘要翻译： 通过具有阻挡层的互连结构在第一方向上进行基本恒定的电流，以确定结构在第一电流方向上的寿命。 通过基本相同的互连结构在第二方向上进行基本上相同的电流，以确定结构在第二电流方向上的寿命。 对相同的结构重复这些测试，但具有不同的阻挡层厚度。 比较这些寿命测试的结果以确定阻挡层对结构中电迁移的影响，可用于设计阻挡层以优化结构的寿命和速度。

公开(公告)号：US5606518A

公开(公告)日：1997-02-25

申请号：US442320

申请日：1995-05-16

申请人： Hao Fang ,  Peng Fang ,  John T. Yue

发明人： Hao Fang ,  Peng Fang ,  John T. Yue

IPC分类号： G01R31/26 ,  G01R31/30 ,  G01R31/317 ,  G06F11/26 ,  G06F17/50 ,  G01R19/145 ,  G01R31/28

CPC分类号： G01R31/2621 ,  G01R31/3004 ,  G01R31/31707 ,  G06F17/5036 ,  G06F11/261

摘要： A test method and apparatus are provided for predicting hot-carrier induced leakage over time in IGFET's. Test results are used to show how choice of channel length and stress voltages critically affect hot-carrier-induced leakage (HCIL) leakage over time, particularly in devices having submicron channel lengths. Models are developed for predicting leakage current over the long term given short term test results. Alternative design strategies are proposed for reliably satisfying long term leakage requirements.

摘要翻译： 提供了一种测试方法和装置，用于在IGFET中预测随时间推移的热载流子诱发的泄漏。 测试结果用于显示通道长度和应力电压的选择如何随着时间的推移严重影响热载体引起的泄漏（HCIL）泄漏，特别是在具有亚微米通道长度的器件中。 由于短期测试结果，模型用于长期预测泄漏电流。 提出了可靠地满足长期泄漏要求的替代设计策略。