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    Mask and method for forming the same
    5.
    发明授权
    Mask and method for forming the same 有权
    面具及其形成方法

    公开(公告)号：US08974988B2

    公开(公告)日：2015-03-10

    申请号：US13451767

    申请日：2012-04-20

    申请人： Yun-Yue Lin ,  Ta-Cheng Lien ,  Hsin-Chang Lee ,  Anthony Yen ,  Chia-Jen Chen

    发明人： Yun-Yue Lin ,  Ta-Cheng Lien ,  Hsin-Chang Lee ,  Anthony Yen ,  Chia-Jen Chen

    IPC分类号： G03F1/48

    CPC分类号： G03F1/48 ,  G03F1/22 ,  G03F1/26 ,  G03F1/30 ,  G03F1/32 ,  G03F1/50

    摘要： A photomask includes a low thermal expansion material (LTEM) substrate, a patterned opaque layer over the LTEM substrate, and a patterned capping layer over the opaque layer. The patterned capping layer includes a transition metal material for suppressing haze growth, such as metal oxide, metal nitride, or metal oxynitride. The material in the capping layer reacts with a hydrogenic compound from a lithography environment to for an atomic level hydrogen passivation layer. The passivation layer has superior ability to suppress photo-induced haze defect growth on the photomask surface, to improve production cycle time and reduce the production cost.

    摘要翻译： 光掩模包括低热膨胀材料（LTEM）衬底，在LTEM衬底上的图案化不透明层，以及在不透明层上的图案化覆盖层。 图案化覆盖层包括用于抑制雾度生长的过渡金属材料，例如金属氧化物，金属氮化物或金属氮氧化物。 覆盖层中的材料与来自光刻环境的氢化合物与原子级氢钝化层反应。 钝化层在光掩模表面上具有优异的抑制光致霾缺陷生长的能力，提高生产周期时间，降低生产成本。

    METHOD OF MAKING A LITHOGRAPHY MASK
    7.
    发明申请
    METHOD OF MAKING A LITHOGRAPHY MASK 审中-公开
    制作光刻面膜的方法

    公开(公告)号：US20130260289A1

    公开(公告)日：2013-10-03

    申请号：US13437565

    申请日：2012-04-02

    申请人： Yun-Yue Lin ,  Hsin-Chang Lee ,  Chia-Jen Chen ,  Ta-Cheng Lien ,  Anthony Yen

    发明人： Yun-Yue Lin ,  Hsin-Chang Lee ,  Chia-Jen Chen ,  Ta-Cheng Lien ,  Anthony Yen

    IPC分类号： G03F1/78 ,  B82Y40/00

    CPC分类号： B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/50 ,  G03F1/68 ,  G03F1/78

    摘要： A method of fabricating a lithography mask with carbon-based-charging-dissipation (CBCD) layer is disclosed. The method includes providing a substrate, depositing an opaque layer on the substrate, coating a photoresist and depositing a charging dissipation layer on the photoresist. The photoresist is patterned by an electron-beam writing. The CBCD layer is removed during developing the photoresist.

    摘要翻译： 公开了一种制造具有碳基带电耗散（CBCD）层的光刻掩模的方法。 该方法包括提供衬底，在衬底上沉积不透明层，涂覆光致抗蚀剂并在光致抗蚀剂上沉积充电耗散层。 光刻胶通过电子束写入进行图案化。 在显影光致抗蚀剂期间去除CBCD层。

    System and Method for Combined Intraoverlay and Defect Inspection
    8.
    发明申请
    System and Method for Combined Intraoverlay and Defect Inspection 有权
    组合内部和缺陷检查的系统和方法

    公开(公告)号：US20130298088A1

    公开(公告)日：2013-11-07

    申请号：US13464116

    申请日：2012-05-04

    申请人： Hsin-Chang Lee ,  Chia-Jen Chen ,  Yeh Lee-Chih ,  Sheng-Chi Chin ,  Ting-Hao Hsu ,  Anthony Yen

    发明人： Hsin-Chang Lee ,  Chia-Jen Chen ,  Yeh Lee-Chih ,  Sheng-Chi Chin ,  Ting-Hao Hsu ,  Anthony Yen

    IPC分类号： G06F17/50

    CPC分类号： G03F1/84 ,  G03F1/72

    摘要： A method and system for measuring layer overlay and for inspecting a mask for defects unrelated to overlay utilizing a singe comprehensive tool is disclosed. An exemplary method includes receiving a mask design database that corresponds to a mask and has a die area with a mask database feature. A mask image of the mask is received, and a comprehensive inspection system compares the mask image to the mask design database in order to detect mask defects that are not related to layer alignment. The system produces mask defect information corresponding to the mask defects. The comprehensive inspection system also compares the mask image to the mask design database to determine a database-to-mask offset. From the database-to-mask offset, a mask overlay characteristic is determined.

    摘要翻译： 公开了一种用于测量层叠覆盖层的方法和系统，并且用于使用单个综合工具来检查与覆盖无关的缺陷的掩模。 一种示例性方法包括接收对应于掩模并且具有掩模数据库特征的管芯区域的掩模设计数据库。 接收掩模的掩模图像，并且综合检查系统将掩模图像与掩模设计数据库进行比较，以便检测与层对齐无关的掩模缺陷。 系统产生对应于掩模缺陷的掩模缺陷信息。 综合检查系统还将掩模图像与掩模设计数据库进行比较，以确定数据库对掩模偏移量。 从数据库到掩码偏移，确定掩模覆盖特性。

    REFLECTIVE MASK AND METHOD OF MAKING SAME
    9.
    发明申请
    REFLECTIVE MASK AND METHOD OF MAKING SAME 有权
    反射掩模及其制作方法

    公开(公告)号：US20130280643A1

    公开(公告)日：2013-10-24

    申请号：US13451705

    申请日：2012-04-20

    申请人： Pei-Cheng Hsu ,  Chih-Tsung Shih ,  Chia-Jen Chen ,  Tsiao-Chen Wu ,  Shinn-Sheng Yu ,  Hsin-Chang Lee ,  Anthony Yen

    发明人： Pei-Cheng Hsu ,  Chih-Tsung Shih ,  Chia-Jen Chen ,  Tsiao-Chen Wu ,  Shinn-Sheng Yu ,  Hsin-Chang Lee ,  Anthony Yen

    IPC分类号： G03F1/24

    CPC分类号： G03F1/24 ,  G03F1/48 ,  H01L21/0337

    摘要： A reflective mask is described. The mask includes a low thermal expansion material (LTEM) substrate, a conductive layer deposited on a first surface of the LTEM substrate, a stack of reflective multilayers (ML) deposited on a second surface of the LTEM substrate, a capping layer deposited on the stack of reflective ML, a first absorption layer deposited on the first capping layer, a main pattern, and a border ditch. The border ditch reaches to the capping layer, the second absorption layer deposited inside the border ditch, and the second absorption layer contacts the capping layer.

    摘要翻译： 描述了一种反光罩。 掩模包括低热膨胀材料（LTEM）衬底，沉积在LTEM衬底的第一表面上的导电层，沉积在LTEM衬底的第二表面上的反射多层堆叠（ML），沉积在 堆叠的反射ML，沉积在第一盖层上的第一吸收层，主图案和边界沟。 边界沟到达覆盖层，第二吸收层沉积在边界沟内，第二吸收层接触封盖层。

    Reflective mask and method of making same
    10.
    发明授权
    Reflective mask and method of making same 有权
    反光罩及其制作方法

    公开(公告)号：US08877409B2

    公开(公告)日：2014-11-04

    申请号：US13451705

    申请日：2012-04-20

    申请人： Pei-Cheng Hsu ,  Chih-Tsung Shih ,  Chia-Jen Chen ,  Tsiao-Chen Wu ,  Shinn-Sheng Yu ,  Hsin-Chang Lee ,  Anthony Yen

    发明人： Pei-Cheng Hsu ,  Chih-Tsung Shih ,  Chia-Jen Chen ,  Tsiao-Chen Wu ,  Shinn-Sheng Yu ,  Hsin-Chang Lee ,  Anthony Yen

    IPC分类号： G03F1/24

    CPC分类号： G03F1/24 ,  G03F1/48 ,  H01L21/0337

    摘要： A reflective mask is described. The mask includes a low thermal expansion material (LTEM) substrate, a conductive layer deposited on a first surface of the LTEM substrate, a stack of reflective multilayers (ML) deposited on a second surface of the LTEM substrate, a capping layer deposited on the stack of reflective ML, a first absorption layer deposited on the first capping layer, a main pattern, and a border ditch. The border ditch reaches to the capping layer, a second absorption layer deposited inside the border ditch, and the second absorption layer contacts the capping layer. In some instances, the border ditch crosses the capping layer and partially enters the reflective multilayer.

    摘要翻译： 描述了一种反光罩。 掩模包括低热膨胀材料（LTEM）衬底，沉积在LTEM衬底的第一表面上的导电层，沉积在LTEM衬底的第二表面上的反射多层堆叠（ML），沉积在 堆叠的反射ML，沉积在第一盖层上的第一吸收层，主图案和边界沟。 边界沟到达覆盖层，沉积在边界沟内的第二吸收层，第二吸收层接触覆盖层。 在一些情况下，边界沟穿过覆盖层并部分地进入反射层。