公开(公告)号：US20120319171A1

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：US13594389

申请日：2012-08-24

申请人： Tomoyuki TAKADA ,  Sadanori YAMANAKA

发明人： Tomoyuki TAKADA ,  Sadanori YAMANAKA

IPC分类号： H01L29/26 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02543 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02441 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/66318

摘要： A semiconductor wafer includes a base wafer, a first crystal layer, a second crystal layer and a third crystal layer. The first crystal layer has a first surface having a same orientation as the base wafer, and a second surface having a different orientation from the first surface, the second crystal layer has a third surface having the same orientation as the first surface, and a fourth surface having the same orientation as the second surface, the third crystal layer is in contact with a part of the third surface and the fourth surface. A thickness ratio of the second crystal layer in a region adjoining the first surface to a region adjoining the second surface is larger than a thickness ratio of the third crystal layer in a region adjoining the third surface to a region adjoining the fourth surface.

摘要翻译： 半导体晶片包括基底晶片，第一晶体层，第二晶体层和第三晶体层。 第一晶体层具有与基底晶片相同的取向的第一表面和与第一表面取向不同的第二表面，第二晶体层具有与第一表面相同取向的第三表面， 表面具有与第二表面相同的取向，第三晶体层与第三表面和第四表面的一部分接触。 第二晶体层的与第一表面相邻的区域与邻接第二表面的区域的厚度比大于与第三表面相邻的区域中的第三晶体层与邻接第四表面的区域的厚度比。

公开(公告)号：US06787793B2

公开(公告)日：2004-09-07

申请号：US10299017

申请日：2002-11-19

申请人： Akira Yoshida

发明人： Akira Yoshida

IPC分类号： H01L2906

CPC分类号： H01L29/1054 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02441 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

摘要： A semiconductor device comprises a first Si1−&agr;Ge&agr; film, a first cap film, a second Si1−&bgr;Ge&bgr; film (&bgr;

摘要翻译： 半导体器件包括第一Si1-αGealpha膜，第一盖膜，第二Si1-βGebeta膜（β<α1）和在其表面由硅形成的基板上依次形成的第二盖膜，其中 第一Si1-αGealpha膜在水平面上被松弛以具有与第二Si1-βGebeta膜基本相同的晶格常数。

公开(公告)号：US08669590B2

公开(公告)日：2014-03-11

申请号：US13218782

申请日：2011-08-26

申请人： Errol Antonio C. Sanchez ,  Yi-Chiau Huang

发明人： Errol Antonio C. Sanchez ,  Yi-Chiau Huang

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L21/0262 ,  H01L21/02441 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02532 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/7848

摘要： Methods and apparatus for forming semiconductor structures are disclosed herein. In some embodiments, a semiconductor structure may include a first germanium carbon layer having a first side and an opposing second side; a germanium-containing layer directly contacting the first side of the first germanium carbon layer; and a first silicon layer directly contacting the opposing second side of the first germanium carbon layer. In some embodiments, a method of forming a semiconductor structure may include forming a first germanium carbon layer atop a first silicon layer; and forming a germanium-containing layer atop the first germanium carbon layer.

摘要翻译： 本文公开了用于形成半导体结构的方法和装置。 在一些实施例中，半导体结构可以包括具有第一侧和相对的第二侧的第一锗碳层; 直接接触第一锗碳层的第一侧的含锗层; 以及直接接触第一锗碳层的相对的第二侧的第一硅层。 在一些实施例中，形成半导体结构的方法可以包括在第一硅层顶上形成第一锗碳层; 以及在第一锗碳层顶上形成含锗层。

公开(公告)号：US20130026540A1

公开(公告)日：2013-01-31

申请号：US13218782

申请日：2011-08-26

申请人： ERROL ANTONIO C. SANCHEZ ,  YI-CHIAU HUANG

发明人： ERROL ANTONIO C. SANCHEZ ,  YI-CHIAU HUANG

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/0262 ,  H01L21/02441 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02532 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/7848

摘要： Methods and apparatus for forming semiconductor structures are disclosed herein. In some embodiments, a semiconductor structure may include a first germanium carbon layer having a first side and an opposing second side; a germanium-containing layer directly contacting the first side of the first germanium carbon layer; and a first silicon layer directly contacting the opposing second side of the first germanium carbon layer. In some embodiments, a method of forming a semiconductor structure may include forming a first germanium carbon layer atop a first silicon layer; and forming a germanium-containing layer atop the first germanium carbon layer.

摘要翻译： 本文公开了用于形成半导体结构的方法和装置。 在一些实施例中，半导体结构可以包括具有第一侧和相对的第二侧的第一锗碳层; 直接接触第一锗碳层的第一侧的含锗层; 以及直接接触第一锗碳层的相对的第二侧的第一硅层。 在一些实施例中，形成半导体结构的方法可包括在第一硅层顶上形成第一锗碳层; 以及在第一锗碳层顶上形成含锗层。

公开(公告)号：US20120068207A1

公开(公告)日：2012-03-22

申请号：US13310451

申请日：2011-12-02

申请人： Masahiko HATA ,  Sadanori Yamanaka ,  Tomoyuki Takada

发明人： Masahiko HATA ,  Sadanori Yamanaka ,  Tomoyuki Takada

IPC分类号： H01L33/26 ,  H01L31/18 ,  H01L21/20 ,  H01L31/0264

CPC分类号： H01L27/1446 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02441 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02524 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/15 ,  H01L27/156 ,  H01L29/161 ,  H01L29/267 ,  H01L29/7371 ,  H01S5/021

摘要： Provided is an optical device including a base wafer containing silicon, a plurality of seed crystals disposed on the base wafer, and a plurality of Group 3-5 compound semiconductors lattice-matching or pseudo lattice-matching the plurality of seed crystals. At least one of the Group 3-5 compound semiconductors has a photoelectric semiconductor formed therein, the photoelectric semiconductor including a light emitting semiconductor that emits light in response to a driving current supplied thereto or a light receiving semiconductor that generates a photocurrent in response to light applied thereto, and at least one of the plurality of Group 3-5 compound semiconductors other than the Group 3-5 compound semiconductor having the photoelectric semiconductor has a heterojunction transistor formed therein.

摘要翻译： 提供了一种光学器件，其包括含有硅的基底晶片，设置在基底晶片上的多个晶种，以及多个晶格匹配或伪晶格匹配多个晶种的3-5族化合物半导体。 第3-5组化合物半导体中的至少一个具有形成在其中的光电半导体，该光电半导体包括响应于提供的驱动电流而发光的发光半导体或响应于光产生光电流的光接收半导体 并且除了具有光电半导体的组3-5化合物半导体之外的多个3-5族化合物半导体中的至少一个具有形成在其中的异质结晶体管。

公开(公告)号：US10014172B2

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：US14478273

申请日：2014-09-05

申请人： SAMSUNG DISPLAY CO., LTD.

发明人： Byung-Du Ahn ,  Tae-Young Kim ,  Yeon-Gon Mo

IPC分类号： H01L21/02 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L27/32

CPC分类号： H01L21/02472 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02441 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/3248 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

摘要： A thin film transistor including a gate electrode; an active layer insulated from the gate electrode; a source electrode and a drain electrode that are insulated from the gate electrode and are electrically connected to the active layer; a first etch stopper layer that is formed of an insulation material and contacts a portion of the active layer located between areas of the active layer that are electrically connected to the source electrode and the drain electrode; a second etch stopper layer on the first etch stopper layer, the second etch stopper layer being formed of an insulation material of a same type as the insulation material used to form the first etch stopper layer, the second etch stopper layer having a higher density than the first etch stopper layer; and a third etch stopper layer on the second etch stopper layer.

公开(公告)号：US08633496B2

公开(公告)日：2014-01-21

申请号：US13310451

申请日：2011-12-02

申请人： Masahiko Hata ,  Sadanori Yamanaka ,  Tomoyuki Takada

发明人： Masahiko Hata ,  Sadanori Yamanaka ,  Tomoyuki Takada

IPC分类号： H01L27/15

CPC分类号： H01L27/1446 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02441 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02524 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/15 ,  H01L27/156 ,  H01L29/161 ,  H01L29/267 ,  H01L29/7371 ,  H01S5/021

摘要： Provided is an optical device including a base wafer containing silicon, a plurality of seed crystals disposed on the base wafer, and a plurality of Group 3-5 compound semiconductors lattice-matching or pseudo lattice-matching the plurality of seed crystals. At least one of the Group 3-5 compound semiconductors has a photoelectric semiconductor formed therein, the photoelectric semiconductor including a light emitting semiconductor that emits light in response to a driving current supplied thereto or a light receiving semiconductor that generates a photocurrent in response to light applied thereto, and at least one of the plurality of Group 3-5 compound semiconductors other than the Group 3-5 compound semiconductor having the photoelectric semiconductor has a heterojunction transistor formed therein.

摘要翻译： 提供了一种光学器件，其包括含有硅的基底晶片，设置在基底晶片上的多个晶种，以及多个晶格匹配或伪晶格匹配多个晶种的3-5族化合物半导体。 第3-5组化合物半导体中的至少一个具有形成在其中的光电半导体，该光电半导体包括响应于提供的驱动电流而发光的发光半导体或响应于光产生光电流的光接收半导体 并且除了具有光电半导体的组3-5化合物半导体之外的多个3-5族化合物半导体中的至少一个具有形成在其中的异质结晶体管。

公开(公告)号：US20040129200A1

公开(公告)日：2004-07-08

申请号：US10663168

申请日：2003-09-15

发明人： John Kouvetakis ,  Ignatius S.T. Tsong ,  Radek Roucka ,  John Tolle

IPC分类号： C30B001/00

CPC分类号： C30B25/165 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/303 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02441 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254

摘要： A semiconductor structure integrates wide bandgap semiconductors with silicon. The semiconductor structure includes: a substrate; a SiCAlN region formed over the substrate, and an active region formed over the SiCAlN region. The substrate can comprise silicon, silicon carbide (SiC) or silicon germanium (SiGe). The active region can include a gallium nitride material region, such as GaN, AlGaN, InGaN or AlInGaN. It also can include AlN and InN region. The structure also can include a crystalline oxide interface formed between the substrate and the SiCAlN region. A preferred crystalline oxide interface is SinullAlnullOnullN. The active layer can be formed by known fabrication processes, including metal organic chemical vapor deposition or by atomic layer epitaxy. The crystalline oxide interface is normally formed by growing SiCAlN on Si(111) via a crystalline oxide interface, but can also be formed by metal organic chemical vapor deposition or by atomic layer epitaxy.

摘要翻译： 半导体结构将宽带隙半导体与硅集成。 半导体结构包括：基板; 形成在衬底上的SiCA1N区域和形成在SiCA1N区域上的有源区域。 衬底可以包括硅，碳化硅（SiC）或硅锗（SiGe）。 有源区可以包括氮化镓材料区域，例如GaN，AlGaN，InGaN或AlInGaN。 它还可以包括AlN和InN区域。 该结构还可以包括在衬底和SiCA1N区域之间形成的结晶氧化物界面。 优选的结晶氧化物界面是Si-Al-O-N。 活性层可以通过已知的制造方法形成，包括金属有机化学气相沉积或原子层外延。 晶体氧化物界面通常通过在Si（111）上经由结晶氧化物界面生长SiCA1N而形成，但也可以通过金属有机化学气相沉积或通过原子层外延形成。

公开(公告)号：US20150137318A1

公开(公告)日：2015-05-21

申请号：US14568189

申请日：2014-12-12

申请人： SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED ,  NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY

发明人： Takenori OSADA ,  Tomoyuki TAKADA ,  Masahiko HATA ,  Tetsuji YASUDA ,  Tatsuro MAEDA ,  Taro ITATANI

IPC分类号： H01L29/267 ,  H01L21/306 ,  H01L21/02 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20

CPC分类号： H01L29/267 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02441 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02524 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/8258 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20 ,  H01L29/66522 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor wafer is provided. The semiconductor wafer comprises a sacrificial layer, a first semiconductor crystal layer, and a second semiconductor crystal layer above a semiconductor crystal layer forming wafer, wherein the semiconductor crystal layer forming wafer, the sacrificial layer, the first semiconductor crystal layer and the second semiconductor crystal layer are arranged in the order of the semiconductor crystal layer forming wafer, the sacrificial layer, the first semiconductor crystal layer and the second semiconductor crystal layer, a first atom of one type selected from a plurality of types of atoms constituting the semiconductor crystal layer forming wafer or the sacrificial layer is contained in the first semiconductor crystal layer and the second semiconductor crystal layer as an impurity, and the concentration of the first atom in the second semiconductor crystal layer is lower than the concentration of the first atom in the first semiconductor crystal layer.

摘要翻译： 提供半导体晶片。 半导体晶片包括半导体晶体层形成晶片之上的牺牲层，第一半导体晶体层和第二半导体晶体层，其中半导体晶体层形成晶片，牺牲层，第一半导体晶体层和第二半导体晶体 层以半导体晶体层形成晶片，牺牲层，第一半导体晶体层和第二半导体晶体层的顺序排列，从构成半导体晶体层的多种原子形成的一种类型的第一原子形成 晶片或牺牲层被包含在作为杂质的第一半导体晶体层和第二半导体晶体层中，并且第二半导体晶体层中的第一原子的浓度低于第一半导体晶体中的第一原子的浓度 层。

公开(公告)号：US20140374796A1

公开(公告)日：2014-12-25

申请号：US13925911

申请日：2013-06-25

申请人： International Business Machines Corporation

发明人： Thomas N. Adam ,  Kangguo Cheng ,  Pouya Hashemi ,  Ali Khakifirooz ,  Alexander Reznicek

IPC分类号： H01L29/267 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02538 ,  H01L21/02373 ,  H01L21/02441 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/088

摘要： A semiconductor structure includes a first semiconductor region. The first semiconductor region includes a first semiconductor layer composed of a group IV semiconductor material having a top surface and a back surface. The first semiconductor layer has an opening in the top surface to at least a depth greater than an aspect ratio trapping (ART) distance. The first semiconductor region also has a second semiconductor layer composed of a group III/V semiconductor compound deposited within the opening and on the top surface of the first semiconductor layer. The second semiconductor layer forms an ART region from the bottom of the opening to the ART distance.

摘要翻译： 半导体结构包括第一半导体区域。 第一半导体区域包括由具有顶表面和后表面的IV族半导体材料组成的第一半导体层。 第一半导体层在顶表面具有至少大于纵横比捕获（ART）距离的深度的开口。 第一半导体区域还具有由沉积在第一半导体层的开口内和顶表面上的III / V族半导体化合物构成的第二半导体层。 第二半导体层从开口的底部到ART距离形成ART区域。