公开(公告)号：WO2015010036A1

公开(公告)日：2015-01-22

申请号：PCT/US2014/047220

申请日：2014-07-18

Applicant: GENERAL PLASMA, INC.

Inventor： SEAMAN, Walter ,  MADOCKS, John E.

IPC: C23C16/50 ,  C23C16/54 ,  C23C16/56 ,  C23C16/22

CPC classification number: C23C16/545 ,  C23C14/562

Abstract: A method for manufacturing vacuum deposited barrier films that prevent water vapor and/or oxygen gas permeation, while minimizing the amount of particles and contaminants on the surface to which the barrier film is to be applied is provided. The method includes protecting a to-be-coated surface with an adhesive tacky film through vacuum pump down and from roller contact, etc. Surfaces treated with the method include flexible web substrates and rigid substrates such as glass or metal. A glass substrate with a pre-coated film stack, for example, a glass sheet with coatings for making an organic light-emitting diode (OLED) display can be protected with a tacky film per the inventive method. Small substrates such as glass lenses can also benefit from the inventive method. As can other substrates such as rolls of metal strip and substrates with curved or pre-cut shapes.

Abstract translation: 提供了一种制造防止水蒸汽和/或氧气渗透的真空沉积阻挡膜的方法，同时最小化要施加阻挡膜的表面上的颗粒和污染物的量。 该方法包括通过真空泵向下和从辊接触等方式用粘合剂粘性膜保护被涂覆的表面。用该方法处理的表面包括柔性网状基材和诸如玻璃或金属的刚性基材。 具有预涂膜叠层的玻璃基板，例如具有用于制造有机发光二极管（OLED）显示器的涂层的玻璃板）可以用本发明方法的粘性膜来保护。 诸如玻璃透镜的小基板也可以受益于本发明的方法。 与其他基材一样，可以是金属条带和具有弯曲或预切割形状的基材。

公开(公告)号：WO2014121450A1

公开(公告)日：2014-08-14

申请号：PCT/CN2013/071410

申请日：2013-02-05

Applicant: 王东君

Inventor： 王东君

IPC: C23C16/54 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50

CPC classification number: C23C16/45551 ,  C23C16/545

Abstract: 涉及一种卷对卷式原子层沉积设备，包括：用于传动带状的待沉积样品的至少两个卷筒装置；用于向所述卷筒装置输出动力的动力装置，所述动力装置与所述卷筒装置联接；反应腔体，所述反应腔体的内部具有多个气道、以及与所述气道的方向相交的用于所述待沉积样品穿过的通道，所述反应腔体上具有与多个所述气道相对应的多个进气口以及出气口。还涉及一种使用前述卷对卷式原子层沉积设备来沉积原子层的方法。所述卷对卷式原子层沉积设备及其使用方法，能够在大气压下甚至大气环境中进行原子层沉积，并且能够连续生产，满足了大规模工业化生产的要求。

公开(公告)号：WO2014107282A1

公开(公告)日：2014-07-10

申请号：PCT/US2013/074770

申请日：2013-12-12

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： HUA, Zhong Qiang

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/50

CPC classification number: H01L21/02266 ,  C23C16/045 ,  C23C16/345 ,  C23C16/507 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02301 ,  H01L21/02315

Abstract: Methods of forming dielectric layers using high-density plasma chemical vapor deposition are described. Dielectric layers are formed over metal films. The metal film is present on a substrate prior to entering the high-density plasma processing chamber. The metal film is processed to remove oxidation and optionally to improve adhesion of the dielectric layer on the metal film.

Abstract translation: 描述了使用高密度等离子体化学气相沉积形成电介质层的方法。 在金属膜上形成介电层。 在进入高密度等离子体处理室之前，金属膜存在于基板上。 处理金属膜以除去氧化并且任选地改善电介质层对金属膜的粘附。

公开(公告)号：WO2014059012A1

公开(公告)日：2014-04-17

申请号：PCT/US2013/064121

申请日：2013-10-09

Applicant: SIO2 MEDICAL PRODUCTS, INC.

Inventor： KINNEY, Shawn ,  WEIKART, Christopher ,  HUNT, Benjamin ,  RAICHE, Adrian ,  FITZPATRICK, Brian ,  SAGONA, Peter J. ,  STEVENSON, Adam ,  FELTS, John T. ,  FISK, Thomas E.

IPC: C23C16/04 ,  C23C16/40 ,  C23C16/50 ,  C08J7/00

CPC classification number: C23C16/50 ,  A61J1/065 ,  A61M2205/0238 ,  A61M2207/00 ,  A61M2209/06 ,  C23C16/045 ,  C23C16/401

Abstract: A method is disclosed in which a vapor-deposited coating or layer is directly or indirectly applied to at least a portion of the internal wall of the barrel of a capped pre-assembly comprising a barrel, a dispensing portion, and a shield. The shield is secured to the barrel and at least substantially isolates the distal opening of the dispensing portion from pressure conditions outside the shield. A vapor-deposited coating or layer is applied directly or indirectly to at least a portion of the internal wall of the barrel while the pre-assembly is capped. The coating or layer is applied under conditions effective to maintain communication between the barrel lumen and the dispensing portion lumen via the proximal opening at the end of the applying step. The capped pre-assembly can be pressure tested easily and rapidly, for example with a test duration between 1 and 60 seconds, to determine whether it has container closure integrity.

Abstract translation: 公开了一种方法，其中气相沉积的涂层或层直接或间接地施加到包括筒体，分配部分和护罩的封盖预组件的筒体的内壁的至少一部分上。 屏蔽件被固定到筒体上，并且至少基本上将分配部分的远端开口与屏蔽外部的压力条件隔离。 当预组件被盖住时，气相沉积的涂层或层直接或间接施加到筒的内壁的至少一部分。 在有效地通过在施加步骤结束时的近端开口保持筒内腔和分配部分内腔之间的连通的条件下施加涂层或层。 封盖预组件可以容易且快速地进行压力测试，例如在1至60秒之间的测试持续时间，以确定其是否具有容器封闭完整性。

公开(公告)号：WO2013165889A8

公开(公告)日：2014-03-20

申请号：PCT/US2013038624

申请日：2013-04-29

Applicant: SYNOS TECHNOLOGY INC

Inventor： LEE DANIEL HO ,  PAK SAMUEL S ,  YANG HYOSEOK ,  LEE SANG IN

IPC: C23C16/50

CPC classification number: C23C16/4412 ,  C23C16/4488 ,  C23C16/452 ,  C23C16/4583 ,  C23C16/50 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32458 ,  H01J37/32568

Abstract: A radical reactor including an elongated structure received within a chamber of a body of the radical reactor. Radicals are generated within a radical chamber formed in the elongated structure by applying a voltage signal across the elongated structure and an electrode extending within the radical chamber. The radicals generated in the radical chamber are routed via a discharge port of the elongated structure and a conduit formed in the body of the radical reactor onto the substrate. The discharge port and the conduit are not aligned so that irradiation generated in the radical chamber is not directed to the substrate

Abstract translation: 一种自由基反应器，包括接收在自由基反应器主体的室内的细长结构。 通过在细长结构上施加电压信号和在自由腔内延伸的电极，在形成在细长结构中的自由腔室内产生自由基。 在自由腔中产生的自由基通过细长结构的排出口和形成在自由基反应器的主体中的管道被引导到基底上。 排出口和管道不对齐，使得在自由腔室中产生的照射不被引导到基底

公开(公告)号：WO2014022872A2

公开(公告)日：2014-02-13

申请号：PCT/AT2013050152

申请日：2013-08-06

Applicant: BERNDORF HUECK BAND UND PRESSBLECHTECHNIK GMBH

Inventor： GEBESHUBER ANDREAS ,  HEIM DANIEL ,  LAIMER JOHANN ,  MUELLER THOMAS ,  PROSCHEK MICHAEL ,  STADLER OTTO ,  STOERI HERBERT

IPC: C23C16/50

CPC classification number: H01J37/32532 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32577

Abstract: An apparatus (100..103) for the plasma coating of a substrate (2), in particular a press platen, is provided, comprising a vacuum chamber (3) and, arranged therein, an electrode (400..409), which is segmented, wherein each of the electrode segments (500..512) has a dedicated connection (6) for an electrical energy source (700..702). Also provided is a method for operating said apparatus (100..103), in which a substrate (2) to be coated is positioned with respect to said electrode (400..409) and at least one energy source (700..706) that is assigned to an electrode segment (500..512) is activated. Moreover, a gas is introduced, with the effect of bringing about plasma-enhanced chemical vapour deposition on the substrate (2).

Abstract translation: 它是用于等离子体涂覆基材（2），特别是压板，设置包括真空室的装置（100..103）（3）和一个在其中angeord-指定电极（400..409），它被分段，每个 电极段（500..512）具有用于电能源（700..702）与其自己的连接（6）。 此外，用于操作的方法，所述提供装置（100..103），其中待涂覆基底（2）相对于所述电极（400..409）被定位，并且至少一个电极段（500..512）相关联 电源（700..706）被激活。 此外，气体被引入，这将导致衬底（2）上的等离子体增强化学气相沉积。

公开(公告)号：WO2013180204A1

公开(公告)日：2013-12-05

申请号：PCT/JP2013/064983

申请日：2013-05-30

Applicant: 三菱重工業株式会社

Inventor： 西森　年彦 ,  松田　竜一 ,  嶋津　正 ,  吉田　和人

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/44 ,  C23C16/46 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L33/44

CPC classification number: C23C16/481 ,  C23C16/507 ,  H01L33/44 ,  H01L2933/0025

Abstract: 高輝度で信頼性に優れた発光素子を構成する発光素子の保護膜の作製方法及び装置を提供する。そのため、発光素子の保護膜の作製装置（１０）において、成膜室（５０）での成膜を行う前に、加熱室（４０Ａ）でサファイア基板（Ｗ）を所定の温度以上に加熱し、サファイア基板（Ｗ）が搬送される前に成膜室（５０）でプラズマを点灯しておき、所定の温度以上に加熱したサファイア基板（Ｗ）を加熱室（４０Ａ）から成膜室（５０）へ搬送し、当該サファイア基板（Ｗ）に、プラズマ処理を施すことにより、成膜室（５０）で保護膜を成膜する。

Abstract translation: 提供一种用于制造用于发光元件的保护膜以形成具有高亮度和高可靠性的发光元件的方法和装置。 因此，在用于制造发光元件用保护膜的器件（10）中的成膜室（50）中进行成膜之前，将蓝宝石基板（W）加热至规定温度以上 在将蓝宝石衬底（W）传送到其之前，在膜形成室（50）中启动等离子体（40A）并且等离子体。 已经被加热到规定温度以上的蓝宝石基板（W）从加热室（40A）输送到成膜室（50），对蓝宝石基板（W）进行等离子体处理 形成室（50）以形成保护膜。

公开(公告)号：WO2013138069A1

公开(公告)日：2013-09-19

申请号：PCT/US2013/028162

申请日：2013-02-28

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： SANCHEZ, Errol Antonio C. ,  HUANG, Yi-Chiau

IPC: C23C16/50 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/513 ,  C23C16/06 ,  C23C16/30 ,  C23C16/4412

Abstract: Methods of depositing a tin-containing layer on a substrate are disclosed herein. In some embodiments, a method of depositing a tin-containing layer on a substrate may include flowing a tin source comprising a tin halide into a reaction volume; flowing a hydrogen plasma into the reaction volume; forming one or more tin hydrides within the reaction volume from the tin source and the hydrogen plasma; and depositing the tin-containing layer on a first surface of the substrate using the one or more tin hydrides.

Abstract translation: 本文公开了在基底上沉积含锡层的方法。 在一些实施例中，在基底上沉积含锡层的方法可以包括使包含锡卤化物的锡源流入反应体积; 使氢等离子体流入反应体积; 在锡源和氢等离子体的反应体积内形成一种或多种锡氢化物; 以及使用所述一种或多种锡氢化物将所述含锡层沉积在所述衬底的第一表面上。

公开(公告)号：WO2013114836A1

公开(公告)日：2013-08-08

申请号：PCT/JP2013/000369

申请日：2013-01-25

Applicant: 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社

Inventor： 伊関　崇 ,  中西　和之 ,  小澤　康弘 ,  上田　直樹 ,  小泉　雅史

IPC: C23C16/26 ,  C01B31/02 ,  C23C16/50 ,  H01M8/02 ,  H01M8/10

CPC classification number: H01M8/0228 ,  C01B32/05 ,  C23C16/26 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/50 ,  H01M8/0206 ,  H01M8/0213 ,  H01M2008/1095 ,  Y02P70/56

Abstract: 非晶質炭素膜は、炭素を主成分とし、水素を３０ａｔ％以下、窒素を２０ａｔ％以下および酸素を３ａｔ％以下（いずれも０ａｔ％を除く）含み、かつ、該炭素の全体量を１００ａｔ％としたときに、ｓｐ ２ 混成軌道をもつ炭素量が７０ａｔ％以上１００ａｔ％未満である。窒素および酸素が膜表面側に濃化して存在し、Ｘ線光電子分光法によって表層から検出される酸素の含有率が４ａｔ％以上１５ａｔ％以下、窒素の含有率が１０ａｔ％以上３０ａｔ％以下である。非晶質炭素膜は、導電性および親水性を両立し、燃料電池用セパレータ等に適した表面性状を示す。

Abstract translation: 该无定形碳膜具有碳作为主要成分，含有不大于30at％的氢气，不大于20at％的氮气和不大于3at％的氧气（各为0at％），当 碳的总量为100原子％，具有sp2杂化轨道的碳的量为至少70原子％且小于100原子％。 存在浓度在膜表面侧的氮和氧，并且通过X射线光电子能谱法，从表面层检测到的氧含量为4-15at％，氮含量为10-30 ％ 包括的。 非晶碳膜是导电的和亲水的，并且表现出适合于燃料电池隔板等的表面质量。

公开(公告)号：WO2013092770A1

公开(公告)日：2013-06-27

申请号：PCT/EP2012/076243

申请日：2012-12-19

Applicant: SOLVAY SA

Inventor： RIVA, Marcello ,  FISCHER, Reiner ,  WALTHER, Gerd

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/50 ,  C23C16/455 ,  C23C16/511

CPC classification number: C23C16/4405 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45557 ,  C23C16/511

Abstract: A method for removing deposits from the surface of a solid body inside a plasma chamber and especially from the inner surface of a tube of a LPCVD system is described. During treatment of the deposits with an etching gas, especially F 2 , the pressure is varied, especially from a higher pressure level to a lower pressure level. This allows the removal of deposits from areas close to the etching gas inlet to areas more remote from the etching gas inlet. It is especially possible to remove deposits from the inner surface of tubes over the whole length, even of tubes having a length of more than 1 m, e.g. 2 m tubes. Remote microwave sources are preferred sources to irradiate the etching gas (cleaning gas).

Abstract translation: 描述了从等离子体室内，特别是从LPCVD系统的管的内表面去除固体表面的沉积物的方法。 在用蚀刻气体（特别是F2）处理沉积物期间，压力变化，特别是从较高压力水平到较低压力水平。 这允许从蚀刻气体入口附近的区域移除沉积物到远离蚀刻气体入口的区域。 特别是可以在整个长度上从管的内表面去除沉积物，甚至是长度大于1μm的管，例如， 2米管。 远程微波源是照射蚀刻气体（清洁气体）的优选来源。