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    내박리성이 우수한 HPF 성형부재 및 그 제조방법
    1.
    发明申请
    내박리성이 우수한 HPF 성형부재 및 그 제조방법 审中-公开
    HPF会员具有优异的耐分解性，以及其制备方法

    公开(公告)号：WO2016190538A1

    公开(公告)日：2016-12-01

    申请号：PCT/KR2016/003513

    申请日：2016-04-05

    Applicant: 주식회사 포스코

    Inventor： 김흥윤

    IPC: C23C2/28 ,  C23C2/12 ,  C23C2/20 ,  C23C10/22 ,  B21B1/38 ,  C22C38/38

    CPC classification number: C23C2/12 ,  B21B1/38 ,  B32B15/012 ,  C21D1/673 ,  C21D8/0205 ,  C21D8/0273 ,  C21D9/46 ,  C22C38/001 ,  C22C38/002 ,  C22C38/02 ,  C22C38/04 ,  C22C38/06 ,  C22C38/28 ,  C22C38/32 ,  C22C38/38 ,  C23C2/20 ,  C23C2/28 ,  C23C10/22

    Abstract: 내박리성이 우수한 HPF 성형부재 및 그 제조방법이 제공된다. 본 발명은, 소지강판의 표면에 용융알루미늄 도금층이 형성되고 있는 HPF 성형부재에 있어서, 상기 소지강판은, 중량%로 C:0.18~0.25%, Si:0.1~0.5%, Mn:0.9~1.5%, P:0.03% 이하, S:0.01%이하, Al:0.01~0.05%, Cr:0.05~0.5%, Ti:0.01~0.05%, B:0.001~0.005, N:0.009%이하, 잔부 Fe 및 기타 불순물을 포함하고; 상기 도금층은 Al 고용된 α-Fe로 이루어진 단일의 연질 확산층만으로 이루어지고; 그리고 상기 확산층은 그 경도가 300~600(Hv)인 것을 특징으로 하는 내박리성이 우수한 HPF 성형부재에 관한 것이다.

    Abstract translation: 本发明提供了具有优异耐层压性的HPF构件及其制备方法。 本发明涉及一种具有优异的耐分层性并且在基体钢板的表面上形成有热浸镀铝层的HPF构件，其中，该基础钢板包含0.18-0.25重量％的C，0.1-0.5重量％的Si ，0.9-1.5重量％的Mn，0.03重量％以下的P，0.01重量％以下的S，0.01〜0.05重量％的Al，0.05〜0.5重量％的Cr，0.01-0.05重量％的Ti，0.001 -0.005重量％的B，0.009重量％或更少的N，余量的Fe和其它杂质，镀铝层包括单一的软扩散层，其包含具有固溶Al的α-Fe，扩散层的硬度为 300-600（Hv）。

    HOT PRESS FORMED ARTICLE HAVING GOOD ANTI-DELAMINATION, AND PREPARATION METHOD FOR SAME
    2.
    发明申请
    HOT PRESS FORMED ARTICLE HAVING GOOD ANTI-DELAMINATION, AND PREPARATION METHOD FOR SAME 审中-公开
    具有良好抗分层性的热压成型制品及其制备方法

    公开(公告)号：WO2016190538A8

    公开(公告)日：2017-07-13

    申请号：PCT/KR2016003513

    申请日：2016-04-05

    Applicant: POSCO

    Inventor： KIM HEUNG-YUN

    IPC: C23C2/28 ,  B21B1/38 ,  C22C38/38 ,  C23C2/12 ,  C23C2/20 ,  C23C10/22

    CPC classification number: B21B1/38 ,  C22C38/38 ,  C23C2/12 ,  C23C2/20 ,  C23C2/28 ,  C23C10/22

    Abstract: A hot press formed article having good anti-delamination and a preparation method for same are provided. The present invention relates to a hot press formed article having good anti-delamination and having a hot dipped aluminized layer formed on the surface of a base steel sheet, wherein the base steel sheet comprises 0.18-0.25 wt% of C, 0.1-0.5 wt% of Si, 0.9-1.5 wt% of Mn, 0.03 wt% or less of P, 0.01 wt% or less of S, 0.01-0.05 wt% of Al, 0.05-0.5 wt% of Cr, 0.01-0.05 wt% of Ti, 0.001-0.005 wt% of B, 0.009 wt% or less of N and the balance of Fe and other impurities, the aluminized layer comprises a single soft diffusion layer comprising α-Fe with solid-solubilized Al, and the hardness of the diffusion layer is 300-600 (Hv).

    Abstract translation: 提供了具有良好抗分层性的热压成型制品及其制备方法。 本发明涉及一种具有良好的抗分层性和在基底钢板表面上形成有热浸镀铝层的热压成型制品，其中该基底钢板包含0.18-0.25重量％的C，0.1-0.5重量％ ，Mn：0.9〜1.5wt％，P：0.03wt％以下，S：0.01wt％以下，Al：0.01〜0.05wt％，Cr：0.05〜0.5wt％，Cr：0.01〜0.05wt％ Ti，0.001-0.005重量％的B，0.009重量％或更少的N以及余量的Fe和其它杂质，所述铝化层包括含有固溶Al的α-Fe的单一软扩散层，并且所述 扩散层为300-600（Hv）。

    収容容器、収容容器の製造方法、半導体の製造方法、及び半導体製造装置
    3.
    发明申请
    収容容器、収容容器の製造方法、半導体の製造方法、及び半導体製造装置 审中-公开
    储存容器，储存容器制造方法，半导体制造方法和半导体制造装置（SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS

    公开(公告)号：WO2014076964A1

    公开(公告)日：2014-05-22

    申请号：PCT/JP2013/006721

    申请日：2013-11-15

    Applicant: 東洋炭素株式会社

    Inventor： 鳥見　聡 ,  矢吹　紀人 ,  野上　暁

    IPC: H01L21/265 ,  C30B29/36 ,  C30B33/12 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/302

    CPC classification number: H01L21/673 ,  C23C10/02 ,  C23C10/22 ,  C30B29/36 ,  C30B33/12 ,  C30B35/002 ,  F27B17/0025 ,  H01L21/046 ,  H01L21/302 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/6719 ,  H01L29/1608

    Abstract: 　この出願は、Ｓｉが単結晶ＳｉＣ基板上に落下せず、内部空間内のＳｉの圧力分布を均一とすることが可能な収容容器を提供することを課題とする。この収容容器は、Ｓｉの蒸気圧下での加熱処理によりエッチングされる単結晶ＳｉＣ基板を収容する。この収容容器は、タンタル金属からなるとともに、内部空間側に炭化タンタル層が設けられ、当該炭化タンタル層の更に内部空間側にタンタルシリサイド層が設けられる。タンタルシリサイド層は、内部空間にＳｉを供給する。また、タンタルシリサイド層は、固着したＳｉと異なり、溶融して落下することがない。

    Abstract translation: 本发明解决了提供一种储存容器的问题，其中Si不会落在单晶SiC衬底上，并且可以使内部空间中的Si压力分布均匀。 该储存容器通过Si蒸气压下的热处理在其中储存待蚀刻的单晶SiC衬底。 存储容器由钽金属形成，并且具有设置在内部空间侧的碳化钽层和设置在比碳化钽层更靠内部空间侧的一侧的硅化硅层。 硅化硅层将Si提供给内部空间。 此外，硅化硅层与附着的Si不同，不会熔融落下。

    VERFAHREN ZUM HÄRTEN VON METALLISCHEN WERKSTÜCKEN
    5.
    发明申请
    VERFAHREN ZUM HÄRTEN VON METALLISCHEN WERKSTÜCKEN 审中-公开
    方法硬化金属工件

    公开(公告)号：WO2002070774A1

    公开(公告)日：2002-09-12

    申请号：PCT/EP2001/002475

    申请日：2001-03-05

    Applicant: GWP GESELLSCHAFT FÜR WERKSTOFFPRÜFUNG MBH ,  NICKL, Julius, Amadeus ,  NICKL, Julius, Johann

    Inventor： NICKL, Julius, Amadeus ,  NICKL, Julius, Johann

    IPC: C23C10/22

    CPC classification number: C23C12/02 ,  C23C10/22 ,  C23C10/26

    Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Härten bzw. Behandeln von metallischen Bauteilen bzw. Werkstücken bzw. Werkstoffen, worin Fremdatome von einer das Werkstück umgebenden Metallschmelze auf Basis eines niedrigschmelzenden Metalls oder einer niedrigschmelzenden Legierung in das zu härtende Werkstück eingebracht werden, wobei das niedrigschmelzende Metall ein Metall oder eine Legierung ist, dessen bzw. deren Schmelzpunkt unterhalb von 600 °C liegt. In einer Ausführungsform betrifft die vorliegende Erfindung ein Verfahren zum Härten von Werkstücken auf Edelstahl-Basis, worin die zu härtenden Werkstücke auf Edelstahl-Basis in einer 200 °C bis 600 °C heißen Metallschmelze erhitzt und einer über der Metallschmelze vorliegenden, kohlenstoffliefernden Gasphase von ungesättigten und/oder gesättigten Kohlenwasserstoffen ausgesetzt werden, so daß der in der Metallschmelze gelöste Kohlenstoff eine Oberflächenhärtung des Werkstücks auf Edelstahl-Basis bewirkt.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用于固化或处理，其中低熔点金属或低熔点合金的基础上，一个围绕所述工件的熔融金属的杂质原子被引入到工件的金属部件或工件或材料被硬化，其特征在于，所述低熔点金属 一金属或合金，其或它们的熔点低于600℃ 在一个实施方案中，本发明涉及用于工件的基于不锈钢的硬化，其中，所述在200℃下的不锈钢基底，以600℃热金属熔体上被硬化工件的方法是加热，熔融金属存在的不饱和碳源气体相 是暴露的和/或饱和烃，以使在熔融金属中溶解的碳使得基于不锈钢工件的表面硬化。

    PROCESSING FOR FORMING NITRIDE, CARBIDE AND OXIDE PROTECTIVE COATINGS
    6.
    发明申请
    PROCESSING FOR FORMING NITRIDE, CARBIDE AND OXIDE PROTECTIVE COATINGS 审中-公开
    用于形成氮化物，碳化物和氧化物保护涂层的处理

    公开(公告)号：WO1996034122A1

    公开(公告)日：1996-10-31

    申请号：PCT/US1995005059

    申请日：1995-04-27

    Applicant: ALGER, Donald, L.

    IPC: C23C08/16

    CPC classification number: C23C8/02 ,  C23C8/10 ,  C23C8/20 ,  C23C8/24 ,  C23C10/22 ,  C23C26/00

    Abstract: A substrate material to be coated with either a nitride, carbide, or oxide contains a small percent of a specific reactive element, like titanium, which forms very stable nitrides, carbides, or oxides. The material also contains larger percentages of elements, such as chromium, which form less-stable nitrides, carbides, or oxides. When the substrate material is immersed in a process medium which contains reactants, such as nitrogen, carbon, or oxygen, at a chosen elevated temperature and concentration, the less-stable nitrides, carbides, or oxides are reduced and cannot form a coating on the material surface. Thus, only a very stable nitride, carbide, or oxide can form a strong, adherent coating. As such, a stable compound forms on the surface, the surface concentration of the specific reactive element atoms (example: titanium) is depleted in relation to the atom concentration in the bulk material, and a concentration gradient results which causes more of the specific reactive element atoms to diffuse to the surface and react with the reactant in the process medium until a coating of the desired thickness is formed.

    Abstract translation: 要用氮化物，碳化物或氧化物涂覆的衬底材料含有少量的诸如钛的比活性元素，其形成非常稳定的氮化物，碳化物或氧化物。 该材料还含有较大百分比的元素，例如形成较不稳定的氮化物，碳化物或氧化物的铬。 当将衬底材料浸入包含反应物（例如氮气，碳或氧）的处理介质中时，在选择的升高的温度和浓度下，较不稳定的氮化物，碳化物或氧化物被还原，并且不能在 材料表面。 因此，只有非常稳定的氮化物，碳化物或氧化物可以形成强的粘附涂层。 因此，在表面上形成稳定的化合物，特定反应性元素原子（例如：钛）的表面浓度相对于本体材料中的原子浓度被耗尽，并且导致浓度梯度导致更多的比活性 元素原子扩散到表面并与处理介质中的反应物反应，直到形成所需厚度的涂层。

    電解用電極、オゾン電解生成用陽極、過硫酸電解生成用陽極及びクロム電解酸化用陽極
    7.
    发明申请
    電解用電極、オゾン電解生成用陽極、過硫酸電解生成用陽極及びクロム電解酸化用陽極 审中-公开
    电解电极，用于生产臭氧电解的阳极电极，用于生产电解质电解的阳极电极和用于铬电解氧化的阳极电极

    公开(公告)号：WO2012036196A1

    公开(公告)日：2012-03-22

    申请号：PCT/JP2011/070972

    申请日：2011-09-14

    Applicant: 田中貴金属工業株式会社 ,  岡崎 毅 ,  江澤 信泰

    Inventor： 岡崎　毅 ,  江澤　信泰

    IPC: C25B11/10 ,  C01B13/11 ,  C02F1/46 ,  C02F1/461 ,  C25B1/00 ,  C25B1/13 ,  C25B1/30 ,  C25D17/12

    CPC classification number: C25B11/0431 ,  C01B2201/24 ,  C02F1/4672 ,  C02F1/78 ,  C02F2001/46133 ,  C02F2001/46138 ,  C23C10/22 ,  C25B1/13 ,  C25B1/285 ,  C25B11/0442 ,  C25B11/0484 ,  C25B11/0494 ,  C25D11/005 ,  C25D11/38 ,  C25D17/10

    Abstract: 　電解酸化反応に用いる高酸素過電圧を有し長寿命の電解用電極を提供することを目的とする。電解用電極は、１００Ｐａ以下の低酸素分圧下の高温熱処理により形成され、バルブ金属酸化膜からなる電極表面層を有し、該電極表面層の直下層がバルブ金属と銀（Ａｇ）を除く貴金属からなり、前記バルブ金属の結晶粒界中に前記貴金属が析出し分散している電解用電極であって、該電極表面から垂直深さ方向３０μｍの範囲内の前記バルブ金属の結晶が、電極表面から垂直断面において細長の結晶粒であり、電極表面から垂直深さ方向１０μｍの範囲内の前記貴金属が５原子％以下である。

    Abstract translation: 本发明的目的是提供一种用于电解氧化反应的电解电极，该电极具有高氧过电压和延长的使用寿命。 所述电解电极具有通过在100Pa以下的低氧分压下的高温热处理由阀金属氧化物膜形成的电极表面层; 所述电极表面层正下方的层包含阀金属和除银（Ag）之外的贵金属; 并且所述贵金属析出并分散在所述阀金属的晶界中; 其特征在于，所述阀金属的晶体与所述电极表面垂直的方向的深度为30μm以下，是与所述电极面垂直切断的截面的细长晶粒; 贵金属从电极表面垂直方向的深度在10μm以内的含量为5at％以下。

    METHOD AND ARRANGEMENT FOR PRODUCING THIN METAL CHALCOGENIDE LAYERS
    10.
    发明申请
    METHOD AND ARRANGEMENT FOR PRODUCING THIN METAL CHALCOGENIDE LAYERS 审中-公开
    方法和器具，用于产生薄层金属硫族化合物

    公开(公告)号：WO99048158A1

    公开(公告)日：1999-09-23

    申请号：PCT/DE1999/000811

    申请日：1999-03-12

    IPC: C01G15/00 ,  C23C8/02 ,  C23C8/06 ,  C23C10/22 ,  H01L21/368 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18

    CPC classification number: H01L31/1836 ,  C23C8/02 ,  C23C8/06 ,  C23C10/22 ,  Y02E10/50

    Abstract: The invention relates to a method and arrangement for producing thin metal chalcogenide layers, for example, for use as absorption or buffer layers in solar cells. The aim of the invention is to provide a method and an arrangement for easily producing homogeneous metal chalcogenide layers with consistent quality while adhering to economical and ecological points of view. To this end, the following method steps are carried out: 1. Depositing a solution of a metal compound on a substrate for the adsorption of metal ions; 2. Extracting moisture out of the substrate with the metal ions which are adsorbed on the surface thereof; 3. Introducing a gas containing chalcogen hydrogen for reacting with the adsorbed metal ions.

    Abstract translation: 本发明涉及一种方法和用于生产薄金属硫属化物层，例如用作太阳能电池吸收体层或缓冲层的布置。 因此，本发明的目的是提供一种方法和布置以提供用于简单的生产质量稳定的均匀的金属硫族化合物层相对于经济和生态方面。 1.将金属化合物的溶液到基底为金属离子，2。除去水分从基材与吸附在表面上的金属离子，3硫属气体的引入的吸附：该目的根据本发明通过提供一种方法与下面的步骤来实现 与吸附的金属离子发生反应。

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