公开(公告)号：WO2017104153A1

公开(公告)日：2017-06-22

申请号：PCT/JP2016/068764

申请日：2016-06-24

Applicant: 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 ,  日鉄住金マイクロメタル株式会社

Inventor： 小山田　哲哉 ,  宇野　智裕 ,  小田　大造 ,  山田　隆

IPC: H01L21/60 ,  C22C9/00 ,  C22C9/04 ,  C22C9/06

CPC classification number: C22C9/00 ,  C22C9/04 ,  C22C9/06 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/20759 ,  H01L2924/2076

Abstract: 高い接合信頼性を確保しつつ、優れた耐キャピラリ摩耗性と表面疵耐性を有し、さらにボール形成性、ウェッジ接合性などの総合性能を満足する車載用デバイス用ボンディングワイヤに好適な、Ｃｕ合金芯材と、前記Ｃｕ合金芯材の表面に形成されたＰｄ被覆層と、前記Ｐｄ被覆層の表面に形成されたＣｕ表面層を有する半導体装置用ボンディングワイヤにおいて、Ｎｉを含み、ワイヤ全体に対するＮｉの濃度が０．１～１．２ｗｔ．％であり、前記Ｐｄ被覆層の厚さが０．０１５～０．１５０μｍであり、前記Ｃｕ表面層の厚さが０．０００５～０．００７０μｍであることを特徴とする。

Abstract translation:

对于具有优异的毛细管耐磨性和表面缺陷耐受性，同时确保高接合可靠性并进一步满足整体性能如球形成性和楔形接合性的汽车装置 接合线的优选和Cu合金芯材，和用于具有形成Pd涂层层的表面上形成Cu表面层的半导体装置形成的Cu合金芯材的表面上的钯涂层，在接合线， Ni，Ni相对于整个线材的浓度为0.1〜1.2重量％。 ％，Pd涂层的厚度为0.015〜0.150μm，Cu表面层的厚度为0.0005〜0.0070μm。

公开(公告)号：WO2017091144A1

公开(公告)日：2017-06-01

申请号：PCT/SG2016/000017

申请日：2016-09-16

Applicant: HERAEUS ORIENTAL HITEC CO., LTD ,  HERAEUS MATERIALS SINGAPORE PTE., LTD.

Inventor： KANG, Il Tae ,  TARK, Yong-Deok ,  CHO, Mong Hyun ,  KIM, Jong Su ,  JUNG, Hyun Seok ,  KIM, Tae Yeop ,  ZHANG, Xi ,  SARANGAPANI, Murali

IPC: B23K35/30 ,  B23K35/02 ,  C22C5/06 ,  H01L23/00 ,  C23C28/00 ,  C23C30/00

CPC classification number: B23K35/3006 ,  B23K35/0227 ,  B23K35/0261 ,  C22C5/06 ,  C22C5/08 ,  C23C28/021 ,  C25D5/10 ,  C25D5/12 ,  C25D5/50 ,  C25D7/0607 ,  H01L24/42 ,  H01L24/43 ,  H01L24/44 ,  H01L24/45 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45655 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2924/01029

Abstract: A wire comprising a wire core with a surface, the wire core having a coating layer superimposed on its surface.

Abstract translation: 包括具有表面的线芯的线，线芯具有在其表面上叠加的涂层。

公开(公告)号：WO2016189758A1

公开(公告)日：2016-12-01

申请号：PCT/JP2015/076721

申请日：2015-09-18

Applicant: 日鉄住金マイクロメタル株式会社 ,  新日鉄住金マテリアルズ株式会社

Inventor： 山田　隆 ,  小田　大造 ,  榛原　照男 ,  宇野　智裕

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/45 ,  H01L24/05 ,  H01L24/43 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48507 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01204

Abstract: 　表面にＰｄ被覆層を有するＣｕボンディングワイヤにおいて、高温高湿環境でのボール接合部の接合信頼性を改善し、車載用デバイスに好適なボンディングワイヤを提供する。Ｃｕ合金芯材とその表面に形成されたＰｄ被覆層とを有する半導体装置用ボンディングワイヤにおいて、ボンディングワイヤがＡｓ、Ｔｅ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓｅの１種以上の元素を合計で０．１～１００質量ｐｐｍ含有する。これにより、高温高湿環境下でのボール接合部の接合寿命を向上し、接合信頼性を改善することができる。Ｃｕ合金芯材がさらにＮｉ、Ｚｎ、Ｒｈ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｇａ、Ｇｅの１種以上をそれぞれ０．０１１～１．２質量％含有すると、１７０℃以上の高温環境でのボール接合部信頼性を向上できる。また、Ｐｄ被覆層の表面にさらにＡｕとＰｄを含む合金表皮層を形成するとウェッジ接合性が改善する。

Abstract translation: 提供一种在其表面上具有Pd涂层的Cu键合线，该接合线适用于车载装置，并且在高温高湿环境下，在球接头处具有改善的接合可靠性。 该半导体器件用接合线包括：Cu合金芯材; 以及在其表面上形成的Pd涂层。 接合线包括As，Te，Sn，Sb，Bi和Se中的一种或多种元素的总量为0.1〜100质量ppm。 因此，提高了高温高湿环境下球接头的接合寿命，提高了接合的可靠性。 当Cu合金芯材料还包含0.011至1.2质量％的Ni，Zn，Rh，In，Ir，Pt，Ga和Ge中的一种或多种时，在170℃的高温环境中的球接头可靠性或 更高可以改善。 此外，当在Pd涂层的表面上形成包括Au和Pd的合金表皮层时，楔形粘合性提高。

公开(公告)号：WO2015074703A1

公开(公告)日：2015-05-28

申请号：PCT/EP2013/074391

申请日：2013-11-21

Applicant: HERAEUS DEUTSCHLAND GMBH & CO. KG

Inventor： LUKAS, Annette ,  WENZEL, Patrick ,  DEUSCHLE, Michael ,  MILKE, Eugen ,  THOMAS, Sven ,  SCHARF, Jürgen

IPC: C23C26/00 ,  C23C18/08 ,  C23C30/00 ,  C23C14/00 ,  C23C16/00 ,  H01L21/00 ,  C23C18/02

CPC classification number: B23K35/40 ,  B23K20/007 ,  B23K20/10 ,  B23K35/0261 ,  B23K35/0272 ,  B23K35/30 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/302 ,  B23K35/322 ,  B23K35/404 ,  B23K2201/42 ,  C22F1/08 ,  C23C14/14 ,  C23C18/08 ,  C23C28/00 ,  C23C30/00 ,  C23F17/00 ,  C25D5/34 ,  C25D7/0607 ,  H01B1/026 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/745 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43823 ,  H01L2224/43825 ,  H01L2224/43826 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45647 ,  H01L2224/45663 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2224/45673 ,  H01L2224/45676 ,  H01L2224/45678 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/181 ,  H05K1/09 ,  H05K2201/10287 ,  H05K2203/049 ,  Y10T428/12875 ,  Y10T428/12889 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/20303 ,  H01L2924/20304 ,  H01L2924/20305 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01008 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01033

Abstract: The invention is related to a bonding wire, comprising a core (2) with a surface (15), wherein the core (2) comprises a core main component selected from the group consisting of copper and silver; and a coating layer (3) which is at least partially superimposed over the surface (15) of the core (2), wherein the coating layer (3) comprises a coating component selected from the group palladium, platinum, gold, rhodium, ruthenium, osmium and iridium, wherein the coating layer is applied on the surface of the core by means of depositing a film of a liquid onto a wire core precursor, wherein the liquid contains a coating component precursor, and wherein the deposited film is heated in order to decompose the coating component precursor into a metallic phase.

Abstract translation: 本发明涉及一种接合线，其包括具有表面（15）的芯（2），其中所述芯（2）包括选自铜和银的芯主要成分; 以及至少部分地叠置在所述芯（2）的表面（15）上的涂层（3），其中所述涂层（3）包括选自钯，铂，金，铑，钌的涂层组分 ，锇和铱，其中通过将液体膜沉积到芯芯前体上而将涂层施加在芯的表面上，其中液体包含涂料组分前体，并且其中沉积膜按顺序加热 以将涂料组分前体分解成金属相。

公开(公告)号：WO2015000595A1

公开(公告)日：2015-01-08

申请号：PCT/EP2014/001824

申请日：2014-07-02

Applicant: ROSENBERGER HOCHFREQUENZTECHNIK GMBH & CO. KG

Inventor： CAHILL, Sean S. ,  SANJUAN, Eric A.

IPC: H01L23/49 ,  H01L23/50 ,  H01L23/66

CPC classification number: H01L23/49541 ,  H01L21/4821 ,  H01L21/4846 ,  H01L23/49506 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/50 ,  H01L23/64 ,  H01L23/645 ,  H01L23/66 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2224/45541 ,  H01L2224/4555 ,  H01L2224/4556 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/4569 ,  H01L2224/48011 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49052 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2224/8593 ,  H01L2224/85931 ,  H01L2224/85935 ,  H01L2224/85939 ,  H01L2224/85947 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30111 ,  H01L2924/20654 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00

Abstract: The present invention relates to a die package comprising a die having a plurality of connection pads, a die substrate supporting a plurality of connection elements, a first lead having a first metal core (10) with a first core diameter, and a dielectric layer (20,30) surrounding the first metal core (S1), the dielectric layer (20,30) having a first dielectric thickness that varies along its length and/ or the dielectric layer having an outer metal layer (40, S4) at least partially surrounding the dielectric layer (20,30), for selectively modifying the electrical characteristics of the lead

Abstract translation: 本发明涉及包括具有多个连接焊盘的模具的模具封装，支撑多个连接元件的模具基板，具有第一芯直径的第一金属芯（10）的第一引线和介电层（ 20,30）围绕第一金属芯（S1），具有沿着其长度变化的第一电介质厚度的介电层（20,30）和/或具有至少部分地具有外部金属层（40,44）的电介质层 围绕介电层（20,30），用于选择性地修改引线的电特性

公开(公告)号：WO2015000592A1

公开(公告)日：2015-01-08

申请号：PCT/EP2014/001821

申请日：2014-07-02

Applicant: ROSENBERGER HOCHFREQUENZTECHNIK GMBH & CO. KG

Inventor： CAHILL, Sean S. ,  SANJUAN, Eric A.

IPC: H01L23/49 ,  H01L23/66 ,  H01L23/31 ,  H01L23/50 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L24/46 ,  H01L23/3142 ,  H01L23/50 ,  H01L23/564 ,  H01L23/66 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2224/4382 ,  H01L2224/4556 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45573 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45647 ,  H01L2224/4569 ,  H01L2224/46 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48235 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/4917 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599

Abstract: The present invention relates to a bond wire having a metal core (202), a dielectric layer (200, 204), and a ground connectable metallization (206), wherein the bond wire has one or more vapor barrier coatings. Further, the present invention relates to a die package with at least one bond wire according to the invention.

Abstract translation: 本发明涉及具有金属芯（202），电介质层（200,204）和接地连接金属化层（206）的接合线，其中所述接合线具有一个或多个蒸气阻挡涂层。 此外，本发明涉及具有根据本发明的至少一个接合线的管芯封装。

公开(公告)号：WO2013190638A1

公开(公告)日：2013-12-27

申请号：PCT/JP2012/065632

申请日：2012-06-19

Applicant: パイオニア株式会社 ,  東北パイオニア株式会社 ,  笠原 俊之 ,  大峡 秀隆

Inventor： 笠原　俊之 ,  大峡　秀隆

IPC: H01L21/60 ,  H01L51/50 ,  H05B33/04 ,  H05B33/06

CPC classification number: H01L24/45 ,  H01L27/3297 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/45171 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01049

Abstract: 　発光装置や表示装置などの基体上における接続領域の狭隈化を図り、狭額縁化を可能にし、また、電子機器の小型化・薄型化を可能にする。基体１に設けられた導電部３Ａと導電部３Ａを覆う保護部３Ｂと、導体５とを備えている。導体５は、保護部３Ｂを通過して導電部３Ａに接続しており、導体５は、金より硬い材料で構成されている。

Abstract translation: 本发明的目的是缩小诸如发光装置，显示装置等的基体上的连接区域，以允许窄的框架，从而实现更小和更薄的电子设备。 设置在基体（1）上的导电部（3A），覆盖导电部（3A）的保护部（3B）和导体（5）。 导体（5）通过保护部分（3B）连接到导电部分（3A），并且导体（5）由比金更硬的材料形成。

公开(公告)号：WO2013145609A1

公开(公告)日：2013-10-03

申请号：PCT/JP2013/001699

申请日：2013-03-14

Applicant: 住友ベークライト株式会社

Inventor： 伊藤　慎吾

IPC: C08L63/00 ,  C08K3/26 ,  H01L21/60 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/4952 ,  C08K3/26 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48666 ,  H01L2224/48866 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01205 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01105 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00 ,  C08L63/00 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01033

Abstract: 　本発明は、金属ワイヤ及び前記金属ワイヤが接続された半導体素子を封止するために用いられる半導体封止用エポキシ樹脂組成物である。このエポキシ樹脂組成物は、成分（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤及び（Ｃ）特定の構造式で表される炭酸型層状複水酸化物粒子を含む。

Abstract translation: 本发明是一种用于半导体密封的环氧树脂组合物，其用于密封金属线和连接金属线的半导体元件。 该环氧树脂组合物含有作为（A）环氧树脂的组分（A），（B）固化剂和（C）由具体结构式表示的碳酸酯型层状双氢氧化物颗粒。

公开(公告)号：WO2013129253A1

公开(公告)日：2013-09-06

申请号：PCT/JP2013/054524

申请日：2013-02-22

Applicant: 日鉄住金マイクロメタル株式会社 ,  学校法人早稲田大学

Inventor： 巽　宏平 ,  山田　隆 ,  小田　大造

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/607

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L24/03 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/03444 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05007 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05118 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/05172 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05618 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05672 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/4312 ,  H01L2224/43125 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/43986 ,  H01L2224/45005 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45611 ,  H01L2224/45618 ,  H01L2224/45624 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45647 ,  H01L2224/45655 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45666 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2224/45671 ,  H01L2224/45672 ,  H01L2224/45684 ,  H01L2224/45686 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48818 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48855 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/48866 ,  H01L2224/48869 ,  H01L2224/48871 ,  H01L2224/48872 ,  H01L2224/48884 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78313 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/20759 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01049

Abstract: 　パワー半導体装置の電流容量の大容量化、高温環境での使用に際し、熱応力が発生しても問題なく使用でき、ワイヤ自身の発熱を低減でき、高温環境でも接合部の信頼性を確保することができるパワー半導体装置及びその製造方法並びにボンディングワイヤを提供することを課題とする。パワー半導体素子２上の金属電極（素子電極３）ともう一方の金属電極（接続電極４）とを金属ワイヤ５によって双方ともウェッジ接続したパワー半導体装置１において、金属ワイヤ５は直径５０μｍ超２ｍｍ以下のＡｇ又はＡｇ合金ワイヤであり、素子電極３は表面に５０Å厚以上のＮｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ａｇ、Ａｕ、Ｗ、Ａｌの金属層又はこれらの合金層を１層以上有する。これにより、Ａｇワイヤを用いるにもかかわらず電極との接合部信頼性を確保でき、大電流での使用時に金属ワイヤ自身の発熱を低減でき、高温での耐熱性を改善することができる。

Abstract translation: 本发明解决了提供以下问题：功率半导体器件，即使产生热应力也能够毫无问题地使用，能够减少由线产生的热量，能够确保接合部的可靠性 即使在高温环境下，当功率半导体器件的电流容量增加并且功率半导体器件在高温环境下使用时; 一种制造功率半导体器件的方法; 和接合线。 在功率半导体器件（1）中，功率半导体元件（2）上的金属电极（元件电极（3））和另一个金属电极（连接电极（4））都通过装置楔形连接 的金属线（5）。 金属线（5）是直径大于50um但是等于或小于2mm的Ag线或Ag合金线，元件电极（3）的表面上具有一个或多个金属层 或合金层，其中每一层的厚度均为50埃以上，所述金属层由选自Ni，Cr，Cu，Pd，V，Ti，Pt，Zn，Ag，Au，W和 Al，所述合金层由选自这些金属的金属构成。 因此，与使用Ag线的事实无关，可以确保对电极的接合部的可靠性，当使用大电流时可以减少由金属线产生的热量，并且提高高温下的耐热性 。

公开(公告)号：WO2013097582A1

公开(公告)日：2013-07-04

申请号：PCT/CN2012/085818

申请日：2012-12-04

Applicant: 北京工业大学 ,  秦飞 ,  夏国峰 ,  安彤 ,  刘程艳 ,  武伟 ,  朱文辉

Inventor： 秦飞 ,  夏国峰 ,  安彤 ,  刘程艳 ,  武伟 ,  朱文辉

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/495

CPC classification number: H01L21/4828 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49582 ,  H01L23/49861 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92127 ,  H01L2224/92242 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45664

Abstract: 本发明公开了一种芯片上倒装芯片封装及制造方法。本封装包括引线框架、第一、第二金属材料层、母IC芯片、具有凸点的子IC芯片、绝缘填充材料、粘贴材料、下填料和塑封材料。引线框架包括芯片载体和引脚。金属材料层配置于引线框架上表面和下表面。绝缘填充材料配置于引线框架的台阶式结构下。母IC芯片通过粘贴材料配置于引线框架上表面的第一金属材料层位置，具有凸点的子IC芯片倒转焊接配置于母IC芯片的有缘面上。下填料配置于母IC芯片与具有凸点的子IC芯片之间。塑封材料包覆母IC芯片、具有凸点的子IC芯片、粘贴材料、下填料、第一金属导线和引线框架。本发明提供了基于QFN封装的高可靠性、低成本、高I/O密度的三维封装结构。