公开(公告)号：WO2017013817A1

公开(公告)日：2017-01-26

申请号：PCT/JP2015/086550

申请日：2015-12-28

Applicant: 日鉄住金マイクロメタル株式会社 ,  新日鉄住金マテリアルズ株式会社

Inventor： 山田　隆 ,  小田　大造 ,  大石　良 ,  宇野　智裕

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/45 ,  B23K35/0227 ,  B23K35/302 ,  B23K2201/40 ,  C22C5/04 ,  C22C9/00 ,  C22C9/04 ,  C22C9/06 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/05 ,  H01L24/43 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/43125 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43825 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/43986 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45005 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/45164 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45847 ,  H01L2224/45944 ,  H01L2224/45964 ,  H01L2224/4801 ,  H01L2224/48011 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48507 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/48864 ,  H01L2224/78 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15738 ,  H01L2924/15763 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/20654 ,  H01L2924/20655 ,  H01L2924/20656 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01083

Abstract: Ｃｕ合金芯材の表面にＰｄを主成分とする被覆層と、該被覆層の表面にＡｕとＰｄを含む表皮合金層を有する半導体装置用ボンディングワイヤであって、Ｐｄめっきリードフレームでの２ｎｄ接合性をさらに改善するとともに、高湿加熱条件においても優れたボール接合性を実現することのできるボンディングワイヤを提供する。　Ｃｕ合金芯材の表面にＰｄを主成分とする被覆層と、該被覆層の表面にＡｕとＰｄを含む表皮合金層を有する半導体装置用ボンディングワイヤにおいて、ワイヤ最表面におけるＣｕ濃度を１～１０ａｔ％とし、芯材中に元素周期表第１０族の金属元素を総計で０．１～３．０質量％の範囲で含有することにより、２ｎｄ接合性の改善と、高湿加熱条件における優れたボール接合性を実現することができる。さらに、表皮合金層のＡｕの最大濃度が１５ａｔ％～７５ａｔ％であると好ましい。

Abstract translation: 提供一种用于半导体器件的接合线，所述接合线包括在Cu合金芯的表面上主要由Pd组成的涂层和在涂层的表面上含有Au和Pd的覆盖合金层，其中第二接合 Pd镀层引线框架的性能进一步提高，即使在高湿度和高温条件下也能实现优异的球接合性能。 在用于半导体器件的接合线中，所述接合线包括在Cu合金芯的表面上主要由Pd构成的涂层和在涂层的表面上含有Au和Pd的覆盖合金层，Cu的浓度 在金属丝的最外表面上设定为1-10at％，并且芯包含元素周期表第10族中的金属元素的总计0.1-3.0质量％，从而提高第二接合性能，并且能够实现优异的球 在高湿度和热条件下达到的粘结性能。 此外，覆盖合金层中的Au的最大浓度优选为15〜75原子％。

公开(公告)号：WO2016022068A1

公开(公告)日：2016-02-11

申请号：PCT/SG2015/000134

申请日：2015-07-28

Applicant: HERAEUS DEUTSCHLAND GMBH & CO. KG ,  HERAEUS MATERIALS SINGAPORE PTE., LTD.

Inventor： SARANGAPANI, Murali ,  ZHANG, Xi ,  YEUNG, Ping Ha ,  MILKE, Eugen

IPC: H01L23/49

CPC classification number: H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48507 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01201 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/01005

Abstract: A ball-bond arrangement comprising an aluminum bond pad of a semiconductor device and a wire ball-bonded to the aluminum bond pad, wherein the wire has a diameter of 10 to 80 pm and comprises a core consisting of a copper alloy consisting of 0.05 to 3 wt.-% of palladium and/or platinum with copper as the remainder to make up 100 wt.-%.

Abstract translation: 一种球形接合装置，包括半导体器件的铝接合焊盘和与所述铝接合焊盘接合的线材，其中所述电线具有10至80μm的直径，并且包括由铜合金构成的芯体，所述铜合金由0.05至 3重量％的钯和/或铂，其余为铜，以构成100重量％。

公开(公告)号：WO2013167614A1

公开(公告)日：2013-11-14

申请号：PCT/EP2013/059528

申请日：2013-05-07

Applicant: HERAEUS MATERIALS TECHNOLOGY GMBH & CO. KG

Inventor： MILKE, Eugen ,  PRENOSIL, Peter ,  THOMAS, Sven

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/49 ,  H01B1/02

CPC classification number: H01L24/48 ,  B21C1/003 ,  B21C9/00 ,  B32B15/01 ,  H01B1/023 ,  H01B1/026 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/85 ,  H01L25/072 ,  H01L25/165 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/4382 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45033 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45624 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2224/4569 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/16151 ,  H01L2924/20303 ,  H01L2924/20304 ,  H01L2924/20305 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/20641 ,  H01L2924/20642 ,  H01L2924/20643 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/2075 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T428/1275 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01008 ,  H01L2924/01205 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01201 ,  H01L2924/01206 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01049

Abstract: The invention relates to a ribbon, preferably a bonding ribbon for bonding in microelectronics, comprising a first layer (2) comprising copper with a surface and at least a coating layer (3) superimposed over the surface of the first layer (2), wherein the coating layer (3) comprises aluminium, and an intermediate layer (7), wherein in a cross-sectional view of the ribbon the area share of the first layer (2) is in the range of from 50 to 96 %, based on the total area of the cross-section of the ribbon, wherein the aspect ratio between the width and the height of the ribbon in a cross-sectional view is in the range of from 0.03 to less than 0.8, wherein the ribbon has a cross-sectional area in the range of from 25Ό00 μιη 2 to 800Ό00 μιη 2 , wherein the intermediate layer (7) is arranged between the first layer (2) and the coating layer (7), wherein the intermediate layer (7) comprises at least one intermetallic phase comprising material of the first layer (2) and material of the coating layer (3). The invention further relates to a process for making a wire, to a wire obtainable by said process, to an electric device comprising at least two elements and at least aforementioned wire, to a propelled device comprising said electric device and to a process of connecting two elements through aforementioned wire by wedge-bonding.

Abstract translation: 本发明涉及一种带状物，优选用于在微电子学中粘合的结合带，其包含第一层（2），该第一层（2）包括具有表面的铜和至少覆盖在第一层（2）的表面上的涂层（3），其中 所述涂层（3）包括铝和中间层（7），其中在所述带的横截面视图中，基于所述第一层（2）的面积份额在50至96％的范围内，基于 所述带的横截面的总面积，其中所述带的宽度和高度之间的纵横比在横截面视图中在0.03至小于0.8的范围内，其中所述带具有横截面， 其中中间层（7）布置在第一层（2）和涂层（7）之间，其中中间层（7）包括在第二层（7）和第二层 至少一个包含第一层（2）和m的材料的金属间相 涂覆层（3）的空隙。 本发明还涉及一种用于将线材制成的方法，可由所述方法获得的线材包括至少包括两个元件和至少前述的线材的电气设备，该电气设备包括所述电气设备的推进设备和连接两个 元件通过上述丝线通过楔形键合。

公开(公告)号：WO2013140745A1

公开(公告)日：2013-09-26

申请号：PCT/JP2013/001591

申请日：2013-03-12

Applicant: 住友ベークライト株式会社

Inventor： 伊藤　慎吾

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/49575 ,  H01L21/56 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/05 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48451 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85948 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/01201 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/078 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/013 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01033

Abstract: 　半導体装置は、基板に搭載された半導体素子と、アルミニウムを主成分とし、半導体素子に設けられた電極パッドと、基板に設けられた接続端子と電極パッドとを接続し、銅を主成分する銅ワイヤと、半導体素子及び銅ワイヤを封止する封止樹脂と、を有する。この半導体装置は、大気中２００℃で１６時間加熱したとき、銅ワイヤと電極パッドとの接合部に、パラジウム及び白金のいずれかから選択される金属を含むバリア層が形成される。

Abstract translation: 一种半导体器件，具有：安装在基板上的半导体元件; 设置在半导体元件上并具有铝作为其主要成分的电极焊盘; 连接设置在基板上的连接端子与电极焊盘之间并具有铜作为其主要部件的铜线; 以及密封半导体元件和铜线的密封树脂。 当在200℃的大气温度下将该半导体器件加热16小时时，在铜线和电极焊盘之间的接合部分处形成包括选自钯或铂的金属的阻挡层。

公开(公告)号：WO2013111642A1

公开(公告)日：2013-08-01

申请号：PCT/JP2013/050625

申请日：2013-01-16

Applicant: 日鉄住金マイクロメタル株式会社

Inventor： 富樫　亮

IPC: H01L21/60 ,  C22F1/00 ,  C22F1/08

CPC classification number: B23K35/0227 ,  B21C1/02 ,  B21C9/00 ,  B21C37/042 ,  B22D11/041 ,  B23K35/22 ,  B23K35/302 ,  B23K35/404 ,  B32B15/018 ,  C22C9/00 ,  C22F1/00 ,  C22F1/08 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/745 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/43125 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/43986 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/745 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  Y10T29/49988 ,  Y10T428/12222 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/01206 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01033

Abstract: 本発明は、ワイヤボンデシィング時にボンディングワイヤの構造・形状を維持することができるワイヤボンディング及びその製造方法を提供することを目的とする。 銅を主成分とする芯材とパラジウム被覆層を有するボンディングワイヤであって、 前記芯材の中心に、銅が軸方向に延在する繊維状組織を有することを特徴とするボンディングワイヤ。

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种能够在引线接合期间保持接合线的结构和形状的接合线以及接合线的制造方法。 该接合线具有以铜为主要成分的芯材， 和钯涂层。 接合线的特征在于在芯材的中心处具有纤维织构，所述纤维织构具有沿轴向延伸的铜。

公开(公告)号：WO2011070739A1

公开(公告)日：2011-06-16

申请号：PCT/JP2010/006930

申请日：2010-11-29

Applicant: 住友ベークライト株式会社 ,  伊藤 慎吾 ,  前佛 伸一

Inventor： 伊藤　慎吾 ,  前佛　伸一

IPC: C08L63/00 ,  C08G59/62 ,  C08K3/26 ,  H01L21/60 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/3107 ,  C08G59/621 ,  C08G59/688 ,  C08K3/26 ,  C08L63/00 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3164 ,  H01L23/495 ,  H01L23/49513 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01105 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/0002

Abstract: 　本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹脂（Ａ）及び硬化剤（Ｂ）を含み、銅ワイヤ（４）及びこの銅ワイヤ（４）が接続された半導体素子（１）を封止するものである。このエポキシ樹脂組成物は、該エポキシ樹脂組成物の硬化体を２００℃１０時間加熱したとき、銅ワイヤ（４）に対する腐食性を有する硫黄化合物からなる第一の腐食性ガスの発生量が７０ｐｐｍ以下である。

Abstract translation: 公开了一种包含环氧树脂（A）和固化剂（B）的半导体封装用环氧树脂组合物，其用于封装铜线（4）和连接到铜线的半导体元件（1） 4）。 该组成使得当其固化产物在200℃下加热10小时时，产生最多70ppm的包含对铜线（4）具有腐蚀作用的硫化合物的第一腐蚀性气体。

公开(公告)号：WO2010087053A1

公开(公告)日：2010-08-05

申请号：PCT/JP2009/065735

申请日：2009-09-09

Applicant: タツタ システム・エレクトロニクス株式会社 ,  長谷川 剛

Inventor： 長谷川　剛

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/85 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/78 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2224/45673 ,  H01L2224/4809 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/01006

Abstract: 　作業ステージ温度：１５０℃程の低温度においても、作業の高速化に伴う接合強度の向上を図る。集積回路素子の電極（ａ）と回路配線基板の導体配線（ｃ）をボールボンディング法によって接続するためのボンディングワイヤＰである。９９．９９質量％以上の銅からなる芯材（１）の外周全面に金、白金、パラジウム、銀の１種以上からなる被覆層（２）を形成し、その被覆線に拡散熱処理を施して芯材（１）と被覆層（２）の密着性を高めた後、線径Ｌ：１２μｍ以上５０．８μｍ以下まで伸線し、さらに、引張伸びが８％以上となるように調質熱処理を行って、前記被覆層（２）の厚み０．０４～０．０９μｍのボンディングワイヤとする。この構成のボンディングワイヤは、電極と導体配線に十分な接合強度をもって接続され、低温度の高速作業の下でも、その作業がストップすることがない。

Abstract translation: 本发明的目的在于提高接合强度，即使在约150℃的低工作阶段温度下也适用于提高加工速度。 用于通过球焊方法连接集成电路元件的电极（a）和电路布线板的导体布线（c）的接合线（P）。 进行回火热处理，得到涂层（2）的厚度为0.04〜0.09μm的接合线，使得由一种或多种金，铂，钯和银组成的涂层（2）为 形成在由不小于99.99质量％的铜组成的芯（1）的整个外周面上，通过对芯（1）和涂层（2）的粘合进行扩散热处理， 其电线线延长至线径L：不小于12μm且不大于50.8μm，进一步拉伸伸长率不低于8％。 具有该结构的接合线以足够的接合强度连接到电极和导体布线，即使在低温下的高速工作下也能防止工作停止。

公开(公告)号：WO2009093554A1

公开(公告)日：2009-07-30

申请号：PCT/JP2009/050712

申请日：2009-01-20

Applicant: 新日鉄マテリアルズ株式会社 ,  株式会社日鉄マイクロメタル ,  宇野 智裕 ,  木村 圭一 ,  山田 隆

Inventor： 宇野 智裕 ,  木村 圭一 ,  山田 隆

IPC: H01L21/60 ,  C22C5/02 ,  C22C9/00 ,  C22F1/08 ,  C22F1/14 ,  C22F1/00 ,  H01B5/02

CPC classification number: C22C5/02 ,  B21C37/047 ,  B23K35/0261 ,  B23K35/0272 ,  B23K35/24 ,  B23K35/30 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/3013 ,  B23K35/302 ,  C22C9/00 ,  C22F1/08 ,  C22F1/14 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/4312 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/43825 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/43986 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45164 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/45173 ,  H01L2224/45176 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/456 ,  H01L2224/45639 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/45669 ,  H01L2224/45673 ,  H01L2224/45676 ,  H01L2224/48011 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2224/4848 ,  H01L2224/4849 ,  H01L2224/4851 ,  H01L2224/48511 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/85045 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85186 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2224/45655 ,  H01L2224/45657 ,  H01L2224/45671 ,  H01L2224/45666 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/20655 ,  H01L2924/20652 ,  H01L2924/20653 ,  H01L2924/20654 ,  H01L2924/20656 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/20757 ,  H01L2924/20758 ,  H01L2924/20759 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/2075 ,  H01L2924/20754

Abstract: 本発明は、ボール直上部のワイヤ倒れ(リーニング)及び、スプリング不良を抑制することもでき、ループの直線性、ループ高さの安定性等にも優れていることで、積層チップ接続、細線化、狭ピッチ実装等の半導体実装技術にも適応する、高機能のボンディングワイヤを提供することを目的とする。 導電性金属からなる芯材と、該芯材の上に芯材とは異なる金属を主成分とする表皮層を有するボンディングワイヤであって、該表皮層の表面における結晶粒の円周方向の平均サイズaと、ワイヤ軸の垂直断面における該芯材の結晶粒の平均サイズbとの関係について、a/b≦0.7である半導体装置用ボンディングワイヤである。

Abstract translation: 提供一种高功能的接合线，其能够抑制直接发生在球上方的线倾斜和弹簧故障，并且具有优异的环路线性，环路高度稳定性等，因此可应用于多层芯片连接的半导体安装技术 ，线材变薄，窄间距安装等。 接合线具有由导电金属构成的芯材，以及在芯材上具有不同于芯材作为主要成分的金属的表面层。 用于半导体器件的接合线满足a / b = 0.7的不等式，其中（a）是表面层的表面上的圆周方向的晶粒的平均尺寸，（b）是表面层的平均尺寸 芯材的晶粒在线轴的垂直横截面上。

公开(公告)号：WO01029889A1

公开(公告)日：2001-04-26

申请号：PCT/KR2000/000949

申请日：2000-08-23

IPC: H01L21/60 ,  B32B15/01 ,  C23C6/00 ,  C23C10/22 ,  C23C26/02 ,  H01L21/48 ,  H01L23/49 ,  B23K20/00

CPC classification number: B32B15/018 ,  C23C6/00 ,  C23C10/22 ,  C23C26/02 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/4312 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/45012 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/20755 ,  H01L2924/20756 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/48 ,  H01L2924/01049

Abstract: The present invention relates to a method of manufacturing wires used for solid-state devices. This manufacturing process positions a silver rod vertically at the center of a mold, inserts the mold containing the silver rod into an electrical furnace, heats the mold until the surface of the rod becomes in half-melted or pre-heated state, injects melted gold into the mold to wrap the silver rod, cooling slowly the silver rod in the electrical furnace until the melted gold infiltrates into the silver rod, anneals the silver rod in an annealing furnace, and stretches the annealed silver rod to necessary diameter after extracting from the mold.

Abstract translation: 本发明涉及制造用于固态器件的导线的方法。 该制造方法将银棒垂直放置在模具的中心，将含有银棒的模具插入电炉中，加热模具直到棒的表面变成半熔化或预热状态，注入熔融的金 进入模具包裹银棒，缓慢冷却电炉中的银棒，直到熔化的金渗入银棒，退火炉中退火银棒，并将退火后的银棒拉伸至所需的直径，从 模子。

公开(公告)号：WO2016203659A1

公开(公告)日：2016-12-22

申请号：PCT/JP2015/070861

申请日：2015-07-22

Applicant: 日鉄住金マイクロメタル株式会社 ,  新日鉄住金マテリアルズ株式会社

Inventor： 山田　隆 ,  小田　大造 ,  榛原　照男 ,  大石　良 ,  齋藤　和之 ,  宇野　智裕

IPC: H01L21/60

CPC classification number: B23K35/0227 ,  B23K35/3013 ,  B23K35/302 ,  B23K2201/40 ,  C22C5/04 ,  C22C9/00 ,  C22C9/04 ,  C22C9/06 ,  H01L24/05 ,  H01L24/43 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/43 ,  H01L2224/4312 ,  H01L2224/43125 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/4382 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/43986 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45005 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45105 ,  H01L2224/45109 ,  H01L2224/45111 ,  H01L2224/45113 ,  H01L2224/45118 ,  H01L2224/4512 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/45173 ,  H01L2224/45178 ,  H01L2224/45541 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4845 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/78 ,  H01L2224/78251 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/85065 ,  H01L2224/85075 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0705 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/186 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01202 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01013

Abstract: Ｃｕ合金芯材とその表面に形成されたＰｄ被覆層とを有する半導体装置用ボンディングワイヤにおいて、１７５℃～２００℃のＨＴＳでのボール接合部の接合信頼性向上と、耐力比（＝最大耐力／０．２％耐力）：１．１～１．６の両立を図る。　ワイヤ中にＮｉ、Ｚｎ、Ｒｈ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｐｔの１種以上を総計で０．０３～２質量％含有することによってＨＴＳでのボール接合部の接合信頼性を向上し、さらにボンディングワイヤのワイヤ軸に垂直方向の芯材断面に対して結晶方位を測定した結果において、ワイヤ長手方向の結晶方位のうち、ワイヤ長手方向に対して角度差が１５度以下である結晶方位＜１００＞の方位比率を５０％以上とし、ボンディングワイヤのワイヤ軸に垂直方向の芯材断面における平均結晶粒径を０．９～１．３μｍとすることにより、耐力比を１．６以下とする。

Abstract translation: 本发明解决了如下问题：在HTS值为175〜100的情况下，将屈服应力比（= 0.2％屈服应力除以0.2％屈服应力）分别为1.1〜1.6， 在半导体器件用接合线中为200℃，所述接合线具有Cu合金芯和形成在Cu合金芯的表面上的Pd涂层。 通过在线中以0.03-2质量％的总比例包含Ni，Zn，Rh，In，Ir和Pt中的一种或多种，​​可以提高HTS下的球接合部的接合可靠性。 在与芯线的垂直于接合线的线轴方向的截面相关的晶体取向的测量中发现的线的长度方向的晶体取向中，晶体取向的取向比例<100 >相对于导线的长度方向的角度差不超过15度，至少为50％。 通过在芯线的垂直于接合线的线轴的方向的横截面中获得0.9-1.3μm的平均晶粒尺寸，将证明应力比保持在或低于1.6。