公开(公告)号：WO2018060240A1

公开(公告)日：2018-04-05

申请号：PCT/EP2017/074483

申请日：2017-09-27

Applicant: LUXEMBOURG INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY (LIST)

Inventor： CREPELLIERE, Jonathan ,  BAHLAWANE, Naoufal ,  LENOBLE, Damien ,  LETURCQ, Renaud

IPC: C23C16/40 ,  H01L21/285 ,  H01L29/786

CPC classification number: C23C16/407 ,  C23C16/408 ,  H01L31/032 ,  H01L31/109

Abstract: The first object of the invention is directed to a UV detector comprising a p-n junction with a substrate coated with a layer of p-type oxide material, said p-type oxide material being coated with a layer of n-type oxide material which is ZnO. Said UV detector is remarkable in that said p-type oxide material consists of CuCrO2, wherein the ratio Cr/Cu ratio within said layer of p-type oxide material is >1. The second object of the invention is directed to a method for producing said UV-visible detector. It comprises the step of assembling at least one p-n junction with optical means adapted for sensing UV light. The use of said UV-visible detector as flame detector is also disclosed.

Abstract translation: 本发明的第一个目的涉及一种UV检测器，其包括具有涂覆有p型氧化物材料层的衬底的pn结，所述p型氧化物材料涂覆有 n型氧化物材料是ZnO。 所述UV检测器的显着之处在于所述p型氧化物材料由CuCrO 2组成，其中所述p型氧化物材料层内的比率Cr / Cu比率> 1。 本发明的第二个目的涉及一种用于制造所述UV-可见光检测器的方法。 它包括将至少一个p-n结与用于感测UV光的光学装置组装的步骤。 还公开了所述紫外可见检测器作为火焰检测器的用途。

公开(公告)号：WO2010110888A1

公开(公告)日：2010-09-30

申请号：PCT/US2010/000881

申请日：2010-03-23

Applicant: THE BOARD OF TRUSTEES OF THE LELAND STANFORD JUNIOR UNIVERSITY ,  DASGUPTA, Neil ,  LEE, Wonyoung ,  HOLME, Timothy, P. ,  PRINZ, Friedrich, B.

Inventor： DASGUPTA, Neil ,  LEE, Wonyoung ,  HOLME, Timothy, P. ,  PRINZ, Friedrich, B.

IPC: C23C16/455 ,  H01L31/0352 ,  C23C16/04 ,  H01L31/0216

CPC classification number: C23C16/45525 ,  B82Y20/00 ,  C23C16/408 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02628 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/0384 ,  H01L31/075 ,  Y02E10/548

Abstract: The current invention provides a method of fabricating quantum confinement (QC) in a solar cell that includes using atomic layer deposition (ALD) for providing at least one QC structure embedded into an intrinsic region of a p-i-n diode in the solar cell, where optical and electrical properties of the confinement structure are adjusted according to at least one dimension of the confinement structure. The QC structures can include quantum wells, quantum wires, quantum tubes, and quantum dots.

Abstract translation: 本发明提供了一种在太阳能电池中制造量子限制（QC）的方法，其包括使用原子层沉积（ALD）来提供嵌入到太阳能电池中的pin二极管的本征区域中的至少一个QC结构，其中光学和 根据约束结构的至少一个维度来调整约束结构的电性能。 QC结构可以包括量子阱，量子线，量子管和量子点。

公开(公告)号：WO2006137873A2

公开(公告)日：2006-12-28

申请号：PCT/US2005/033448

申请日：2005-09-16

Applicant: SUPERPOWER, INC. ,  SELVAMANICKAM, Venkat

Inventor： SELVAMANICKAM, Venkat

CPC classification number: H01L39/2441 ,  C23C16/408 ,  C23C16/4557 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/481 ,  C23C16/545 ,  Y10S505/732 ,  Y10T29/49014

Abstract: A CVD apparatus capable of substantially simultaneously processing multiple portions of at least one substrate or substantially simultaneously processing portions of multiple substrates or substantially simultaneously processing multiple portions of at least one substrate and portions of multiple substrates, the CVD apparatus is described. The CVD apparatus includes a reactor, at least one substrate heater, at least one precursor supply system, at least one precursor injector, optionally, communicating with at least one temperature regulated manifold, at least one reactants mixer, and, optionally, at least one controller communicating with at least one substrate heater, the at least one precursor supply system, the at least one precursor injector, the at least one temperature regulated manifold, and combinations thereof.

Abstract translation: 一种能够基本上同时处理至少一个基板的多个部分或基本上同时处理多个基板的部分或基本上同时处理至少一个基板和多个基板的多个部分的多个部分的CVD装置，描述了CVD装置。 CVD装置包括反应器，至少一个基板加热器，至少一个前体供应系统，至少一个前体喷射器，任选地与至少一个温度调节的歧管连通，至少一个反应物混合器，以及任选的至少一个 控制器与至少一个衬底加热器，所述至少一个前体供应系统，所述至少一个前体喷射器，所述至少一个温度调节歧管及其组合相连通。

公开(公告)号：WO2005081658A2

公开(公告)日：2005-09-09

申请号：PCT/US2004/016639

申请日：2004-05-25

Applicant: SUPERPOWER, INC.

Inventor： SELVAMANICKAM, Venkat ,  LEE, Hee-Gyoun

IPC: C04B35/45 ,  C23C16/00 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/54 ,  H01L39/12 ,  H01L39/24

CPC classification number: H01L39/2441 ,  C04B35/4508 ,  C04B35/6264 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/79 ,  C23C16/408 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/54 ,  H01L39/128 ,  Y02T50/67

Abstract: An OCVD apparatus and process for producing multi-layer HTS-coated tapes with increased current capacity which includes multiple liquid precursor sources, each having an associated pump and vaporizer, the outlets of which feed a multiple compartment showerhead apparatus within an MOCVD reactor. The multiple compartment showerhead apparatus is located in close proximity to an associated substrate heater which together define multiple deposition sectors in a deposition zone.

Abstract translation: 一种用于生产具有增加的电流容量的多层HTS涂覆带的OCVD装置和方法，其包括多个液体前体源，每个具有相关联的泵和蒸发器，其出口在MOCVD反应器内供给多室喷淋头装置。 多隔室喷头装置位于紧邻相关联的基板加热器，其一起在沉积区域中限定多个沉积扇区。

公开(公告)号：WO2005007918A3

公开(公告)日：2005-06-30

申请号：PCT/US2004016597

申请日：2004-05-25

Applicant: SUPERPOWER INC ,  SELVAMANICKAM VENKAT ,  LEE HEE-GYOUN

Inventor： SELVAMANICKAM VENKAT ,  LEE HEE-GYOUN

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/22 ,  C23C14/28 ,  C23C16/40 ,  C23C16/48 ,  H01L39/24 ,  B05D5/12 ,  C23C14/00

CPC classification number: H01L39/2448 ,  C23C14/087 ,  C23C14/22 ,  C23C14/28 ,  C23C16/408 ,  C23C16/486 ,  H01L39/2441

Abstract: An ion source (132) or (218) impinging on the substrate (116) to be coated is used to enhance a MOCVD, PVD or other process for the preparation of superconducting materials.

Abstract translation: 撞击待涂覆的基底（116）上的离子源（132）或（218）用于增强用于制备超导材料的MOCVD，PVD或其它方法。

公开(公告)号：WO02056420A3

公开(公告)日：2003-04-17

申请号：PCT/US0141529

申请日：2001-08-03

Applicant: IGC SUPERPOWER LLC ,  SELVAMANICKAM VENKAT

Inventor： SELVAMANICKAM VENKAT

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/448 ,  C23C16/455 ,  H01L39/14 ,  H01L39/24 ,  B05D5/12

CPC classification number: H01L39/143 ,  C23C16/408 ,  C23C16/4481 ,  H01L39/2441 ,  Y10T29/49014

Abstract: Percursor gases enter a vaporizer (10) including heating means (30) through tubing (20) and (50) which form nozzle (40) for forming an HTSC coating.

Abstract translation: 气体气体通过管道（20）和（50）进入包括加热装置（30）的蒸发器（10）和（50），其形成用于形成HTSC涂层的喷嘴（40）。

公开(公告)号：WO99055712A1

公开(公告)日：1999-11-04

申请号：PCT/US1999/009004

申请日：1999-04-26

IPC: C07F3/00 ,  C23C16/40 ,  C23C8/00

CPC classification number: C07F3/003 ,  C23C16/408 ,  C23C16/409

Abstract: Novel Group II metal MOCVD precursor compositions are described having utility for MOCVD of the corresponding Group II metal-containing films. The complexes are Group II metal beta -diketonate Lewis base adducts having ligands such as: (i) amines bearing terminal NH2 groups; (ii) imine ligands formed as amine (i)/carbonyl reaction products; (iii) combination of two or more of the foregoing ligands (i)-(ii), and (iv) combination of one or more of the foregoing ligands (i)-(ii) with one or more other ligands or solvents. The source reagent complexes of barium and strontium are usefully employed in the formation of barium strontium titanate and other Group II doped thin-films on substrates for microelectronic device applications, such as integrated circuits, ferroelectric memories, switches, radiation detectors, thin-film capacitors, microelectromechanical structures (MEMS) and holographic storage media.

Abstract translation: 描述了新的第II族金属MOCVD前体组合物用于相应的含II族金属膜的MOCVD。 络合物是具有配体的II族金属β-二酮基路易斯碱加成物，其具有：（i）带有末端NH 2基团的胺; （ii）以胺（i）/羰基反应产物形成的亚胺配体; （iii）上述配体（i） - （ii）中的两种或更多种的组合，和（iv）一种或多种前述配体（i） - （ii）与一种或多种其它配体或溶剂的组合。 钡和锶的源试剂络合物可用于形成钛酸锶钡和其他第II类掺杂薄膜在用于微电子器件应用的衬底上，例如集成电路，铁电存储器，开关，辐射探测器，薄膜电容器 ，微机电结构（MEMS）和全息存储介质。

公开(公告)号：WO2009071076A1

公开(公告)日：2009-06-11

申请号：PCT/DE2008/002037

申请日：2008-12-04

Applicant: FRAUNHOFER GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E. V. ,  TECHNISCHE UNIVERSITÄT CHEMNITZ ,  WÄCHTLER, Thomas ,  GESSNER, Thomas ,  SCHULZ, Stefan ,  LANG, Heinrich ,  JAKOB, Alexander

Inventor： WÄCHTLER, Thomas ,  GESSNER, Thomas ,  SCHULZ, Stefan ,  LANG, Heinrich ,  JAKOB, Alexander

IPC: C23C16/18 ,  C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  H01L21/768

CPC classification number: C23C16/45553 ,  C23C16/18 ,  C23C16/408 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines beschichteten Substrats mit einer Beschichtung aus Kupfer bzw. einer Kupfer enthaltenden Beschichtung mittels Atomlagenabscheidung (ALD). Hierfür wird als Kupfer-Precurso ein Fluor-freier Kupfer (I) -Komplex der Formel L 2 Cu (X∩X) eingesetzt, bei dem L ein σ-Donor-π-Akzeptor oder ein σ,π- Donor-π-Akzeptor Ligand ist und bei dem X∩X ein zweizähniger Ligand ist, nämlich ein β-Diketonat, ein β-Ketoiminat, ein β-Diiminat, ein Amidinat, ein Carboxylat oder ein Thiocarboxylat. Eine glatte, Kupfer enthaltende ALD-Beschichtung (2) erhält man auf Tantalnitrid (3).

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制备具有铜的涂层或通过原子层沉积（ALD）的装置含铜涂层涂覆的基材的方法。 为此目的，式L2Cu（XNX）的无氟的铜（I）配合物被用作铜Pre​​curso，其中L A S-施主 - 受主或p S，P供体对受体的配体，并且其中 所述XNX是二齿配体，即，β-二酮酸盐，一个SS-Ketoiminat，一个SS-diiminate，一个脒，羧酸酯或硫代羧酸酯。 一个获得关于氮化钽平稳，含有铜ALD涂层（2）（3）。

公开(公告)号：WO2006001840A2

公开(公告)日：2006-01-05

申请号：PCT/US2005001975

申请日：2005-01-21

Applicant: METAL OXIDE TECHNOLOGIES INC ,  IGNATIEV ALEX ,  MOLODYK ALEXANDER A ,  CASTELLANI LOUIS D

Inventor： IGNATIEV ALEX ,  MOLODYK ALEXANDER A ,  CASTELLANI LOUIS D

IPC: H01L39/24 ,  C23C14/08 ,  C23C14/54 ,  C23C14/56 ,  C23C16/40 ,  C23C16/52 ,  C23C16/54 ,  G01N22/00

CPC classification number: G01R33/1238 ,  C23C14/087 ,  C23C14/545 ,  C23C14/562 ,  C23C16/408 ,  C23C16/52 ,  C23C16/545 ,  G01N22/00 ,  H01L39/2422

Abstract: The present invention is directed to a system and method which imparts quality control testing to a reel-to-reel superconductor manufacturing line. The quality control testing will ensure the characteristics of the final superconductor tape, as well as the tape under process. The quality control testing may be used to control and/or change production parameters (e.g. temperature, pressure, gas concentrations, precursor amounts, etc).

Abstract translation: 本发明涉及一种向卷对卷超导体生产线施加质量控制测试的系统和方法。 质量控制测试将确保最终超导磁带的特性以及正在处理的胶带。 质量控制测试可用于控制和/或改变生产参数（例如温度，压力，气体浓度，前体量等）。

公开(公告)号：WO2004012277A3

公开(公告)日：2004-09-30

申请号：PCT/US0322797

申请日：2003-07-23

Applicant: METAL OXIDE TECHNOLOGIES INC

Inventor： IGNATIEV ALEX ,  ZHANG XIN ,  ZENG JIAN MING ,  LIU JIASHU ,  CHOU PENCHU ,  CASTELLANI LOUIS D

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/54 ,  H01L39/24

CPC classification number: H01L39/2438 ,  C04B35/45 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C23C16/408 ,  C23C16/545 ,  H01L39/248

Abstract: The invention continuously deposits materials used to grow a thin film onto a moving tape. The invention preferably uses a pay-out reel (401) and take-up reel (406) to respectively dispense and spool the tape substrate (408) at a constant rate. The invention preferably uses a series of stages to form the thin film on the tape, and includes at least one reactor or reaction chamber (601c) to deposit one or more materials onto the tape substrate that is used to form the superconductor layer, and one or more chambers (601a, 601b) to deposit buffer layers between the film and the metal tape substrate or between layers of film, as well as for the deposition of coating layers. The invention also preferably uses transition chambers (701) between the stages to isolate each stage from the other stages.

Abstract translation: 本发明连续地将用于生长薄膜的材料沉积到移动的胶带上。 本发明优选地使用送出卷轴（401）和卷取卷轴（406）以恒定的速率分配并卷绕带基材（408）。 本发明优选地使用一系列步骤在带上形成薄膜，并且包括至少一个反应器或反应室（601c）以将一种或多种材料沉积到用于形成超导体层的带基材上，并且一个 或更多个室（601a，601b）以在膜和金属带基材之间或膜层之间沉积缓冲层，以及用于沉积涂层。 本发明还优选地在这些级之间使用过渡室（701）以将每个级与其他级隔离。