公开(公告)号：WO2019133556A1

公开(公告)日：2019-07-04

申请号：PCT/US2018/067414

申请日：2018-12-22

Applicant: HERAEUS GMSI LLC

Inventor： GUERCIO, Peter, J. ,  WESTPHAL, Paul

IPC: C04B41/87 ,  C04B41/00 ,  C04B41/49 ,  C23C16/32 ,  C04B41/50 ,  C23C16/02 ,  C23C16/04

CPC classification number: C23C16/4581 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5059 ,  C04B41/87 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/045 ,  C23C16/325 ,  C04B35/522 ,  C04B38/00 ,  C04B41/4531

Abstract: The present invention relates to a new process for manufacturing a silicon carbide (SiC) coated body by depositing SiC in a chemical vapor deposition method using dimethyldichlorosilane (DMS) as the silane source on a graphite substrate. A further aspect of the present invention relates to the new silicon carbide coated body, which can be obtained by the new process of the present invention, and to the use thereof for manufacturing articles for high temperature applications, susceptors and reactors, semiconductor materials, and wafer.

公开(公告)号：WO2012137781A1

公开(公告)日：2012-10-11

申请号：PCT/JP2012/059090

申请日：2012-04-03

Applicant: 株式会社タムラ製作所 ,  株式会社光波 ,  佐藤 慎九郎 ,  倉又 朗人 ,  森島 嘉克 ,  飯塚 和幸

Inventor： 佐藤　慎九郎 ,  倉又　朗人 ,  森島　嘉克 ,  飯塚　和幸

IPC: H01L29/26 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205 ,  H01L21/331 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/12 ,  H01L29/267 ,  H01L29/47 ,  H01L29/737 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L29/2003 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/0227 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/303 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/267 ,  H01L29/7371 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/7789 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/8122 ,  H01L29/8128 ,  H01L29/872 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

Abstract: 【課題】厚さ方向の電気抵抗が低い半導体積層体及びその製造方法、並びにその半導体積層体を含む半導体素子を提供する。 【解決手段】酸素が六角格子配置された面を主面とするＧａ ２ Ｏ ３ 基板２と、Ｇａ ２ Ｏ ３ 基板２上のＡｌＮバッファ層３と、ＡｌＮバッファ層３上の窒化物半導体層４と、を含む半導体積層体１を提供する。

Abstract translation: 本发明提供一种在厚度方向上具有低电阻的半导体层叠体，制造半导体层叠体的方法以及包括该半导体层叠体的半导体元件。 [解决方案]提供一种半导体层叠体（1），其包括具有以六方晶格排列有氧原子的平面作为主面的Ga 2 O 3衬底（2），形成在其上的AIN缓冲层（3） Ga 2 O 3衬底（2）和形成在AIN缓冲层（3）上的氮化物半导体层（4）。

公开(公告)号：WO2012130552A1

公开(公告)日：2012-10-04

申请号：PCT/EP2012/053436

申请日：2012-02-29

Applicant: SCHAEFFLER TECHNOLOGIES AG & CO. KG ,  GIERL, Jürgen ,  MUSAYEV, Yashar ,  HOSENFELDT, Tim Matthias

Inventor： GIERL, Jürgen ,  MUSAYEV, Yashar ,  HOSENFELDT, Tim Matthias

IPC: C21D6/00 ,  C21D1/06 ,  C21D1/76 ,  C21D9/40 ,  F16C33/30

CPC classification number: C23C16/22 ,  C21D1/06 ,  C21D1/74 ,  C21D1/76 ,  C21D6/00 ,  C21D9/36 ,  C21D9/38 ,  C21D9/40 ,  C21D2211/008 ,  C23C8/22 ,  C23C8/26 ,  C23C8/32 ,  C23C8/80 ,  C23C14/024 ,  C23C14/0641 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/26 ,  C23C16/34 ,  F16C33/14 ,  F16C2223/16 ,  F16C2223/60 ,  Y10T428/31678

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines gehärteten, beschichteten Metallbauteils, mit folgenden Schritten: a. Durchführung einer Wärmebehandlung des Metallbauteils zur Anreicherung von Kohlenstoff und/oder Stickstoff in der Randschicht des Metallbauteils, b. Abschreckung des Metallbauteils auf eine Temperatur unterhalb der Martensit-Starttemperatur, c. Anlassen des Metallbauteils auf eine Temperatur, die höher ist als die Temperatur eines nachfolgend durchzuführenden Abscheideverfahrens zum Aufbringen einer Beschichtung, und Aufbringen einer Beschichtung mittels Gasphasenabscheidung.

Abstract translation: 一种用于产生固化的涂覆的金属部件的方法，包括以下步骤：a。 进行金属成分的碳和/或氮的金属成分，B的表面层富集热处理。 所述金属构件的淬火到低于马氏体起始温度的温度下，C。 金属构件，其高于沉积工艺的温度下进行之后施加涂层，并通过气相沉积施加的涂层的温度的退火。

公开(公告)号：WO2008104013A3

公开(公告)日：2009-08-13

申请号：PCT/AT2008000068

申请日：2008-02-29

Applicant: RUEBIG GMBH & CO KG ,  RUEBIG GUENTER

Inventor： RUEBIG GUENTER

IPC: C23C8/20 ,  C23C8/10 ,  C23C8/16 ,  C23C8/24 ,  C23C8/36 ,  C23C8/44 ,  C23C8/80 ,  C23C16/02

CPC classification number: C23C8/80 ,  C23C8/10 ,  C23C8/16 ,  C23C8/24 ,  C23C8/36 ,  C23C16/0218 ,  Y10T428/12021 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/24479

Abstract: The invention describes a method for the production of a coating (6) based on at least one material selected from a group consisting of silicon, germanium and the oxides SiOx or GeOx of these elements, said materials optionally being doped and in particular produced in an amorphous fashion, on at least one portion of a surface (3) of a metal substrate (2), the nitrogen content being optionally increased in the substrate (2) before the deposition of the coating (6), at least in the region of the portion of the surface. This portion of the surface is subjected to oxidation before deposition of the coating (6).

Abstract translation: 本发明描述了一种方法用于制造涂层（6）包括硅，锗，和这些任选掺杂的氧化物的SiO x或的GeO x这些元件，和从一组中选择的至少一种材料的基础上，以特定的生产无定形的，至少 一个表面的局部区域（3）的金属基板（2），其特征在于，在所述载体（2）任选地，之前的涂层（6）的沉积用氮气至少在所述内容的所述部分的面积增加。 该部分被所述涂层（6）氧化的沉积之前进行。

公开(公告)号：WO2008104013A2

公开(公告)日：2008-09-04

申请号：PCT/AT2008/000068

申请日：2008-02-29

Applicant: RÜBIG GMBH & CO KG ,  RÜBIG, Günter

Inventor： RÜBIG, Günter

IPC: C23C8/20 ,  C23C8/24 ,  C23C8/44 ,  C23C16/02

CPC classification number: C23C8/80 ,  C23C8/10 ,  C23C8/16 ,  C23C8/24 ,  C23C8/36 ,  C23C16/0218 ,  Y10T428/12021 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/24479

Abstract: Die Erfindung beschreibt ein Verfahren zur Herstellung einer Beschichtung (6) auf Basis zumindest eines Werkstoffes ausgewählt aus einer Gruppe umfassend Silizium, Germanium, sowie die Oxide SiOx bzw. GeOx dieser Elemente, wobei diese gegebenenfalls dotiert werden, und insbesondere amorph hergestellt werden, auf zumindest einem Teilbereich einer Oberfläche (3) eines metallischen Trägers (2), wobei in dem Träger (2) gegebenenfalls vor der Abscheidung der Beschichtung (6) zumindest im Bereich des Teilbereichs der Gehalt an Stickstoff erhöht wird. Dieser Teilbereich wird vor Abscheidung der Beschichtung (6) einer Oxidation unterzogen.

Abstract translation: 本发明描述了一种方法用于制造涂层（6）包括硅，锗，和这些任选掺杂的氧化物的SiO x或的GeO x这些元件，和从一组中选择的至少一种材料的基础上，以特定的生产无定形的，至少 一个表面的局部区域（3）的金属基板（2），其特征在于，在所述载体（2）任选地，之前的涂层（6）的沉积用氮气至少在所述内容的所述部分的面积增加。 该部分被所述涂层（6）氧化的沉积之前进行。

公开(公告)号：WO2008062663A1

公开(公告)日：2008-05-29

申请号：PCT/JP2007/071547

申请日：2007-11-06

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  村川 惠美

Inventor： 村川 惠美

IPC: H01L31/04 ,  C23C16/42 ,  C23C16/511 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H05H1/46

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/308 ,  C23C16/401 ,  C23C16/511 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 【課題】高いエネルギ変換効率の太陽電池を製造する。 【解決手段】ｐ型層となる多結晶シリコン基板上に形成されたｎ型層となる多結晶シリコン層の表層を、プラズマを用いて酸化処理し、その後ＣＶＤ処理によりシリコン窒化膜を堆積することにより、多結晶シリコン層の表層にパッシベーション膜を形成する。かかるプラズマ酸化処理は、１０ｅＶ以下のシース電位のプラズマを用いて、圧力が６．６７Ｐａ～６．６７×１０ ２ Ｐａの範囲で、温度が２００°C～６００°Cの範囲となる条件下で行う。プラズマを励起するマイクロ波は、スロットアンテナを通じて処理容器内に供給され、マイクロ波の表面波によってプラズマが生成される。

Abstract translation: 产生具有高能量转换效率的太阳能电池。 通过使用等离子体对形成在p型多晶硅基板上的n型多晶硅层的表面层进行氧化，然后通过CVD在其上沉积氮化硅膜，从而在其表面层上形成钝化膜 多晶硅层。 等离子体氧化工艺在200-600℃范围内的温度范围内，在6.67-6.67°OE10-2Pa范围内的压力下进行，通过使用鞘电势不大于 10 eV。 用于激发等离子体的微波通过缝隙天线供给到处理室中，并且通过微波的表面波产生等离子体。

公开(公告)号：WO2007024720A2

公开(公告)日：2007-03-01

申请号：PCT/US2006/032408

申请日：2006-08-17

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC. ,  MAHAJANI, Maitreyee

Inventor： MAHAJANI, Maitreyee

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/3141 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/3142

Abstract: Embodiments of the invention provide methods for forming a material on a substrate which includes exposing a plurality of substrates within a batch process chamber to a first oxidizing gas during a pretreatment process, exposing the substrates sequentially to a precursor and a second oxidizing gas during an ALD cycle and repeating the ALD cycle to form a material on the substrates. In one example, a hafnium precursor is used during the ALD process to form a hafnium-containing material, such as hafnium oxide. In another example, the first and second oxidizing gases are the same oxidizing gases. In another example, the first and second oxidizing gases are different oxidizing gases, such that the pretreatment process contains ozone and the ALD process contains water vapor.

Abstract translation: 本发明的实施例提供了在衬底上形成材料的方法，其包括在预处理过程中将批处理室内的多个衬底暴露于第一氧化气体，在ALD期间将衬底依次暴露于前体和第二氧化气体 循环并重复ALD循环以在基底上形成材料。 在一个实例中，在ALD工艺期间使用铪前体以形成含铪的材料，例如氧化铪。 在另一个实例中，第一和第二氧化气体是相同的氧化气体。 在另一个实例中，第一和第二氧化气体是不同的氧化气体，使得预处理过程含有臭氧，并且ALD工艺含有水蒸汽。

公开(公告)号：WO0243115A8

公开(公告)日：2003-10-30

申请号：PCT/US0144006

申请日：2001-11-19

Applicant: ASM INC

Inventor： POMAREDE CHRISTOPHE F ,  ROBERTS JEFF ,  SHERO ERIC J

IPC: C23C16/42 ,  C23C16/02 ,  C23C16/22 ,  C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  H01L21/205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/316 ,  H01L21/3205 ,  H01L29/51

CPC classification number: H01L21/28185 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/22 ,  C23C16/403 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/28017 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/2807 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/3162 ,  H01L21/32055 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: Methods are provided herein for treating substrate surfaces in preparation for subsequent nucleation-sensitive depositions (e.g., polysilicon or poly-SiGe) and adsorption-driven deposition (e.g. atomic layer deposition or ALD). Prior to depositing, the surface is treated (110, 125) with non-depositing plasma products. The treated surface more readily nucleates polysilicon and poly-SiGe (such as for a gate electrode (220)), or more readily adsorbs ALD reactants (such as for a gate dielectric (260)). The surface treatment provides surface moieties more readily susceptible to a subsequent deposition reaction, or more readily susceptible to further surface treatment prior to deposition. By changing the surface termination of the substrate with a low temperature radical treatment, subsequent deposition is advantageously facilitated without depositing a layer of any appreciable thickness and without significantly affecting the bulk properties of the underlying material. Preferably less than 10 ANGSTROM of the bulk material incorporates the excited species, which can include fluorine, chlorine and particularly nitrogen excited species.

Abstract translation: 本文提供了用于处理底物表面以准备随后的成核敏感沉积（例如多晶硅或多晶硅）和吸附驱动沉积（例如原子层沉积或ALD）的方法。 在沉积之前，用非沉积的等离子体产物处理表面（110,125）。 经处理的表面更容易地成核多晶硅和多晶硅（例如用于栅电极（220）），或更容易地吸附ALD反应物（例如用于栅极电介质（260））。 表面处理提供对随后的沉积反应更容易敏感的表面部分，或者更容易在沉积之前容易进行进一步的表面处理。 通过用低温自由基处理改变衬底的表面终止，有利地便于沉积，而不沉积任何相当厚度的层并且不显着影响下面的材料的整体性质。 优选地，本体材料小于10安培姆掺入激发的物质，其可以包括氟，氯和特别是氮激发的物质。

公开(公告)号：WO0245147A3

公开(公告)日：2003-03-27

申请号：PCT/US0145014

申请日：2001-10-31

Applicant: TOKYO ELECTRON LTD ,  TOKYO ELECTRON ARIZONA INC

Inventor： WESTHOFF RICHARD C ,  CALIENDO STEVEN P ,  HILLMAN JOSEPH T

IPC: C23C16/02 ,  C23C16/14 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76876 ,  C23C16/0218 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/14 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76843

Abstract: A method for chemical vapor deposition comprises providing a quantity of nitrogen at the interface between a transition metal-based material and an underlying dielectric-covered substrate. The nitrogen can be provided by heating the substrate in an atmosphere of a nitrogen-containing process gas or by exposing the surface of the dielectric-covered substrate to a plasma generated from a nitrogen-containing process gas. In certain embodiments, the nitrogen on the surface of the dielectric is bound with atoms of a transition metal to form a thin layer of a transition metal nitride. The method promotes the adhesion of the transition metal-based layer to the dielectric by nullifying the effect of halogen atoms that are also incorporated at the transition metal/dielectric interface.

Abstract translation: 用于化学气相沉积的方法包括在过渡金属基材料和下面的电介质覆盖的基底之间的界面处提供一定量的氮。 可以通过在含氮处理气体的气氛中加热基板或者将电介质覆盖的基板的表面暴露于由含氮工艺气体产生的等离子体来提供氮。 在某些实施方案中，电介质的表面上的氮与过渡金属的原子结合以形成过渡金属氮化物的薄层。 该方法通过消除也掺入过渡金属/电介质界面的卤素原子的作用来促进过渡金属基层与电介质的粘附。

公开(公告)号：WO98035071A1

公开(公告)日：1998-08-13

申请号：PCT/EP1998/000614

申请日：1998-02-05

IPC: C23C16/26 ,  C04B41/50 ,  C04B41/53 ,  C23C16/02 ,  C23C16/46

CPC classification number: C23C16/0218 ,  C23C16/46 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/24975 ,  Y10T428/25 ,  Y10T428/252 ,  Y10T428/30

Abstract: The present invention relates to a component coated with a hard material, in particular diamond, for example a tool, to a process for its production and to a device for carrying out the process. In case of such a component the adhesion of the hard material layer often, in particular with fine-grained substrate materials, not satisfactory and it is an object of the invention to improve it. This is achieved by a process for the production of a component coated with a hard material, for example a tool, comprising the steps of: a) introducing a fine-grained cemented carbide or carbide-containing cermet substrate into a vacuum system with a heating device and at least one gas feed connection; b) removing carbon from the carbides of a surface layer of the substrate at a substrate temperature in the region of about 900 DEG C to about 1400 DEG C and in an oxygen-containing atmosphere; c) introducing carbon into the surface layer of the substrate at a substrate temperature in the region of about 900 DEG C to about 1400 DEG C and in a carbon-containing atmosphere; and d) coating the substrate with the hard material. The component itself as derived by this process and a device for carrying out the process are also subjects of the invention.

Abstract translation: 本发明涉及涂覆有硬质材料，特别是金刚石，例如工具的部件，其生产方法和用于实施该方法的装置。 在这种组分的情况下，通常特别是细粒基材的硬质材料层的粘合性不令人满意，本发明的目的是改进它。 这通过用于生产涂覆有硬质材料（例如工具）的部件的方法来实现，包括以下步骤：a）将细粒度的硬质合金或含碳化物的金属陶瓷基材引入到具有加热的真空系统中 装置和至少一个气体供给连接; b）在约900℃至约1400℃的基底温度和含氧气氛中从基底表面层的碳化物除去碳; c）在约900℃至约1400℃的基底温度和含碳气氛中将碳引入基材的表面层; 和d）用硬质材料涂覆基材。 通过该方法得到的部件本身和用于执行该过程的装置也是本发明的主题。