公开(公告)号：WO2017223296A1

公开(公告)日：2017-12-28

申请号：PCT/US2017/038717

申请日：2017-06-22

Applicant: CRYSTAL SOLAR INC.

Inventor： RAVI, Tirunelveli S. ,  MILLER, Stephen Daniel

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/04 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/7813 ,  C30B25/186 ,  C30B29/06 ,  C30B33/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/263 ,  H01L21/2636 ,  H01L21/304

Abstract: Methods and equipment for the removal of semiconductor wafers grown on the top surface of a single crystal silicon substrate covered by a porous silicon separation layer by using IR irradiation of the porous silicon separation layer to initiate release of the semiconductor wafer from the substrate, particularly at edges (and corners) of the top surface of the substrate.

Abstract translation: 通过使用多孔硅分离层的IR照射来去除在多孔硅分离层覆盖的单晶硅衬底的顶表面上生长的半导体晶片以开始释放该多晶硅分离层的方法和设备 半导体晶片，特别是在衬底顶面的边缘（和角落）。

公开(公告)号：WO2016035531A1

公开(公告)日：2016-03-10

申请号：PCT/JP2015/072917

申请日：2015-08-13

Applicant: 富士電機株式会社

Inventor： 松井　俊之

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L21/221 ,  H01L21/2253 ,  H01L21/263 ,  H01L21/2636 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/761 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/063 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/32 ,  H01L29/401 ,  H01L29/404 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/8611

Abstract: 　ｎ型ドリフト層（１）の一方の主面に沿って選択的に形成され、ドリフト層（１）より低抵抗のｐ型領域（４）を有し、ｐ型領域（４）の境界であるｐｎ接合（６）面から厚さｔのドリフト層（１）内で、空孔－酸素複合欠陥領域（１１）が設けられるドリフト層（１）の半導体基板の裏面から厚さ方向の深さをＲ、ドリフト層（１）の比抵抗をρ、ｐｎ接合（６）の逆バイアス電圧Ｖでｐｎ接合（６）からドリフト層（１）内に拡がる空乏層（１５）の幅ＷをＷ＝０．５４×√（ρ×Ｖ）で表すとき、空孔－酸素複合欠陥領域（１１）が、０＜Ｒ≦ｔ－Ｗで表される深さに設けられている半導体装置を構成した。これにより、スイッチング損失の低減とソフトリカバリ特性との両立が安価で簡単なプロセスで得られる。

Abstract translation: 半导体器件通过具有：p型区域（4），其选择性地沿着n型漂移层（1）的主表面形成，并且具有比漂移层（1）更低的电阻; 并且在具有pn结（6）表面的厚度t（即，p型区域（4）的边界）的漂移层（1）中，设置在空穴 - 氧复合物缺陷区域（11） 由公式0

公开(公告)号：WO2014156849A1

公开(公告)日：2014-10-02

申请号：PCT/JP2014/057397

申请日：2014-03-18

Applicant: 富士電機株式会社

Inventor： 小野澤　勇一 ,  吉村　尚 ,  瀧下　博

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L21/221 ,  H01L21/225 ,  H01L21/2253 ,  H01L21/263 ,  H01L21/2636 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/268 ,  H01L21/304 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0626 ,  H01L29/32 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/8611

Abstract: 　ｎ - 半導体基板の裏面の表面層には、活性領域（１０）からエッジ終端構造部（１１）にわたって、ｎ + カソード層（４）が設けられている。ｎ + カソード層（４）の表面全体に、カソード電極（７）が設けられている。ｎ - ドリフト領域（１）の内部のｎ + カソード層（４）側には、活性領域（１０）からエッジ終端構造部（１１）にわたってｎバッファ層（５）が設けられている。ｎ - ドリフト領域（１）の内部のｎ + カソード層（４）側には、基板裏面からｎ + カソード層（４）よりも深い位置にフローティングの埋め込みｐ層（６）が設けられている。埋め込みｐ層（６）は、ｎ + カソード層（４）に接する所定範囲に一様に設けられている。埋め込みｐ層（６）の端部（６ａ）は、ｎ - 半導体基板の側面（１ａ）よりも内側に位置されている。これにより、ソフトリカバリー化を図ることができるとともに、逆回復耐量の大きい半導体装置を提供することができる。

Abstract translation: 在n型半导体衬底的背面的表面层上，从有源区域（10）穿过边缘终端结构部分（11），提供n +阴极层（4）。 阴极电极（7）设置在n +阴极层（4）的整个表面上。 在n漂移区域（1）的内部的n +阴极层（4）侧，通过边缘终端结构部分（11）从有源区域（10）提供n缓冲层（5）。 在n漂移区域（1）的内部的n +阴极层（4）的侧面上，在比n +阴极层（4）的衬底背面更深的位置设置浮置的p层（6） ）。 埋入的p层（6）均匀地设置在与n +阴极层（4）接触的预定范围内。 掩埋p层（6）的边缘部分（6a）更靠近n型半导体衬底的侧表面（1a）的内侧。 结果，可以实现软恢复，并提供具有高反向恢复电阻的半导体器件。

公开(公告)号：WO2011044407A2

公开(公告)日：2011-04-14

申请号：PCT/US2010/051893

申请日：2010-10-08

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC. ,  KOELMEL, Blake R. ,  TAM, Norman L. ,  RANISH, Joseph M.

Inventor： KOELMEL, Blake R. ,  TAM, Norman L. ,  RANISH, Joseph M.

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/2636 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67115

Abstract: Methods and apparatus for processing substrates and controlling the heating and cooling of substrates are described. A radiation source providing radiation in a first range of wavelengths heats the substrate within a predetermined temperature range, the substrate being absorptive of radiation in a second range of wavelengths within the first range of wavelengths and within the predetermined temperature rang. A filter prevents at least a portion of radiation within the second wavelength range from reaching the substrate.

Abstract translation: 描述了处理基板和控制基板的加热和冷却的方法和设备。 提供第一波长范围内的辐射的辐射源在预定温度范围内加热基板，基板吸收第一波长范围内的第二范围内的辐射并且在预定温度范围内。 过滤器防止第二波长范围内的至少一部分辐射到达基底。

公开(公告)号：WO0173821A3

公开(公告)日：2002-07-04

申请号：PCT/US0107634

申请日：2001-03-08

Applicant: ULTRATECH STEPPER INC

Inventor： HAWRYLUK ANDREW M ,  MARKLE DAVID A ,  TALWAR SOMIT

IPC: H01L21/263 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L21/20 ,  H01L21/36

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01J2237/316 ,  H01L21/263 ,  H01L21/2636 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513

Abstract: A method of this invention includes annealing at least one region (2) of a substrate (1) with a short pulse of particles (4). The substrate (1) can be composed of a semiconductor material, for example. The particles (4) can be electrons, protons, alpha particles, other atomic or molecular ions or neutral atoms and molecules. The particles (4) can include dopant atoms such as p-type dopant atoms (e.g. boron, aluminum, gallium, or indium) and n-type dopant atomic species (e.g. arsenic, phosphorus, or antimony). The particles (4) can also include silicon or germanium atoms, or ionized gas atoms including those of hydrogen, oxygen, nitrogen, neon, argon, or krypton. The particles (4) can be used to anneal dopant atoms previously implanted into the substrate. Alternatively, the particle species (4) can be chosen to include the desired implant dopant; the energy of the particles (4) may be chosen to achieve the desired implant depth; and the energy, dose, and pulse duration may be chosen to anneal the implanted region during the pulse. This embodiment of the method performs implantation and activation in a single step. If no change in the electrical state of the substrate (1) is required, the particles (4) can include silicon, and germanium atoms.

Abstract translation: 本发明的方法包括用短脉冲的颗粒（4）退火衬底（1）的至少一个区域（2）。 基板（1）例如可以由半导体材料构成。 颗粒（4）可以是电子，质子，α粒子，其他原子或分子离子或中性原子和分子。 颗粒（4）可以包括诸如p型掺杂剂原子（例如硼，铝，镓或铟）和n型掺杂剂原子（例如砷，磷或锑）的掺杂剂原子。 颗粒（4）还可包括硅或锗原子，或包括氢，氧，氮，氖，氩或氪的离子化气体原子。 颗粒（4）可用于退火以前植入衬底中的掺杂剂原子。 或者，可以选择颗粒物质（4）以包括所需的注入掺杂剂; 可以选择颗粒（4）的能量以实现期望的植入深度; 并且可以选择能量，剂量和脉冲持续时间以在脉冲期间退火注入区域。 该方法的该实施例在单个步骤中执行植入和激活。 如果不需要基板（1）的电气状态的变化，则颗粒（4）可以包括硅和锗原子。

公开(公告)号：WO2015194590A1

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：PCT/JP2015/067468

申请日：2015-06-17

Applicant: 富士電機株式会社

Inventor： 小川　恵理 ,  吉村　尚

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L29/7391 ,  H01L21/02225 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/2636 ,  H01L21/28158 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/32 ,  H01L29/404 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66128 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/868

Abstract: 　ｐｉｎダイオードにおいて、低濃度アノード層および局所ライフタイム制御等を用いたソフトリカバリー手段の他に、新たなソフトリカバリーの手段を提供する。第１導電型の半導体基板に設けられた第１導電型のドリフト層と、ドリフト層の表面側に設けられた第２導電型の表面側領域と、表面側領域の表面側に設けられ、厚さが自然酸化膜よりも薄い絶縁膜層と、絶縁膜層の表面側に設けられた金属層とを備える半導体装置を提供する。

Abstract translation: 提供了一种新的软恢复装置，除了在PIN二极管中使用低浓度阳极层的软恢复装置，本地寿命控制等。 本发明提供一种半导体装置，具备：设置在第一导电型半导体基板中的第一导电型漂移层， 设置在漂移层的表面侧的第二导电型表面侧区域; 绝缘膜层，设置在表面侧区域的表面侧，其厚度比天然氧化膜薄; 以及设置在绝缘膜层的表面侧的金属层。

公开(公告)号：WO2013142892A1

公开(公告)日：2013-10-03

申请号：PCT/AU2012/001302

申请日：2012-10-25

Applicant: NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LIMITED ,  HALLAM, Brett Jason ,  CHAN, Catherine Emily ,  WENHAM, Stuart Ross ,  SUGIANTO, Adeline ,  LU, Pei Hsuan ,  VAIS, Valantis

Inventor： HALLAM, Brett Jason ,  CHAN, Catherine Emily ,  WENHAM, Stuart Ross ,  SUGIANTO, Adeline ,  LU, Pei Hsuan ,  VAIS, Valantis

IPC: H01L21/225 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/2254 ,  H01L21/2225 ,  H01L21/2636 ,  H01L21/268 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: A method for creating an inwardly extending impurity distribution profile in a substrate comprising crystalline silicon material having a background doping of a first impurity type, comprising: a) providing one or more additional impurity sources with at least two different types of impurity atoms within the substrate or in proximity to the surface of the substrate, with each of these impurity atoms having different diffusion coefficients or segregation coefficients; b) locally melting a point on the surface of the substrate with a laser, whereby the at least two different types of impurity atoms are incorporated into the melted silicon material; c) removing the laser to allow the silicon material to recrystallise; d) controlling a rate of application and/or removal of the laser to control the creation of the impurity distribution profile, with different distribution profiles for each of the at least two types of impurity atoms in the recrystallised material.

Abstract translation: 一种用于在包括具有第一杂质类型的背景掺杂的晶体硅材料的衬底中产生向内延伸的杂质分布曲线的方法，包括：a）在衬底内提供一个或多个另外的杂质源至少两种不同类型的杂质原子 或者靠近衬底的表面，这些杂质原子中的每一个具有不同的扩散系数或分离系数; b）用激光局部熔化在衬底表面上的点，由此将至少两种不同类型的杂质原子并入熔化的硅材料中; c）去除激光以使硅材料重结晶; d）控制施加和/或去除激光的速率以控制杂质分布曲线的产生，对于再结晶材料中的至少两种类型的杂质原子中的每一种具有不同的分布曲线。

公开(公告)号：WO2005029544A2

公开(公告)日：2005-03-31

申请号：PCT/US2004/030078

申请日：2004-09-15

Applicant: THE TRUSTEES OF COLUMBIA UNIVERSITY IN THE CITY OF NEW YORK ,  IM, James

Inventor： IM, James

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/02686 ,  B23K26/0604 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/067 ,  B23K26/0673 ,  H01L21/00 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02678 ,  H01L21/02683 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/2636 ,  H01L21/268

Abstract: The present disclosure is directed to methods and systems for processing a thin film samples. In an exemplary method, semiconductor thin films are loaded onto two different loading fixtures, laser beam pulses generated by a laser source system are split into first laser beam pulses and second laser beam pulses, the thin film loaded on one loading fixture is irradiated with he first laser beam pulses to induce crystallization while the thin film loaded on the other loading fixture is irradiated with the second laser beam pulses. In a preferred embodiment, at least a portion of the thin film that is loaded on the first loading fixture is irradiated while at least a portion of the thin film that is loaded on the second loading fixture is also being irradiated. In an exemplary embodiment, the laser I source system includes first and second laser sources and an integrator that combines the laser beam pulses generated by the first and second laser sources to form combined laser beam pulses. In certain exemplary embodiments, the methods and system further utilize additional loading fixtures for processing additional thin film samples. In such methods and systems, the irradiation of thin film samples loaded on some of the loading fixtures can be performed while thin film samples are being loaded onto the remaining loading fixtures. In certain exemplary methods and systems, the crystallization processing of the semiconductor thin film samples can consist of a sequential lateral solidification (SLS) process.

Abstract translation: 本公开涉及用于处理薄膜样品的方法和系统。 在一个示例性方法中，将半导体薄膜加载到两个不同的加载装置上，由激光源系统产生的激光束脉冲被分成第一激光束脉冲和第二激光束脉冲，装载在一个装载固定装置上的薄膜被照射 第一激光束脉冲以在加载在另一个装载固定装置上的薄膜用第二激光束脉冲照射时引发结晶。 在优选实施例中，在装载在第二装载固定装置上的薄膜的至少一部分也被照射的同时照射装载在第一装载固定装置上的薄膜的至少一部分。 在示例性实施例中，激光I源系统包括第一和第二激光源以及组合由第一和第二激光源产生的激光束脉冲以形成组合的激光束脉冲的积分器。 在某些示例性实施例中，方法和系统进一步利用附加的加载夹具来处理附加的薄膜样品。 在这样的方法和系统中，可以在将薄膜样品加载到剩余的装载装置上的同时执行装载在一些装载装置上的薄膜样品的照射。 在某些示例性方法和系统中，半导体薄膜样品的结晶处理可以由顺序横向固化（SLS）工艺组成。

公开(公告)号：WO2005020308A1

公开(公告)日：2005-03-03

申请号：PCT/US2004/026210

申请日：2004-08-12

Applicant: CREE, INC. ,  SLATER, David, B, Jr. ,  EDMOND, John, A. ,  DONOFRIO, Matthew

Inventor： SLATER, David, B, Jr. ,  EDMOND, John, A. ,  DONOFRIO, Matthew

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L21/0272 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/2636 ,  H01L21/268 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/34 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: A contact for a semiconductor device can be formed by forming a metal on a Silicon Carbide (SiC) substrate and annealing an interface location of the metal and the SiC substrate to form a metal-SiC material thereat and avoiding annealing at a location on the SiC substrate to avoid forming the metal-SiC material thereat.

Abstract translation: 半导体器件的接触可以通过在碳化硅（SiC）衬底上形成金属并退火金属和SiC衬底的界面位置以形成金属SiC材料，并避免在SiC上的位置退火而形成 衬底以避免在其上形成金属-SiC材料。

公开(公告)号：WO01073821A2

公开(公告)日：2001-10-04

申请号：PCT/US2001/007634

申请日：2001-03-08

IPC: H01L21/263 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01J2237/316 ,  H01L21/263 ,  H01L21/2636 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513

Abstract: A method of this invention includes annealing at least one region (2) of a substrate (1) with a short pulse of particles (4). The substrate (1) can be composed of a semiconductor material, for example. The particles (4) can be electrons, protons, alpha particles, other atomic or molecular ions or neutral atoms and molecules. The particles (4) can include dopant atoms such as p-type dopant atoms (e.g. boron, aluminum, gallium, or indium) and n-type dopant atomic species (e.g. arsenic, phosphorus, or antimony). The particles (4) can also include silicon or germanium atoms, or ionized gas atoms including those of hydrogen, oxygen, nitrogen, neon, argon, or krypton. The particles (4) can be used to anneal dopant atoms previously implanted into the substrate. Alternatively, the particle species (4) can be chosen to include the desired implant dopant; the energy of the particles (4) may be chosen to achieve the desired implant depth; and the energy, dose, and pulse duration may be chosen to anneal the implanted region during the pulse. This embodiment of the method performs implantation and activation in a single step. If no change in the electrical state of the substrate (1) is required, the particles (4) can include silicon, and germanium atoms.

Abstract translation: 本发明的方法包括用短脉冲的颗粒（4）退火衬底（1）的至少一个区域（2）。 基板（1）例如可以由半导体材料构成。 颗粒（4）可以是电子，质子，α粒子，其他原子或分子离子或中性原子和分子。 颗粒（4）可以包括诸如p型掺杂剂原子（例如硼，铝，镓或铟）和n型掺杂剂原子（例如砷，磷或锑）的掺杂剂原子。 颗粒（4）还可以包括硅或锗原子，或包括氢，氧，氮，氖，氩或氪的电离气原子。 颗粒（4）可用于退火以前植入衬底中的掺杂剂原子。 或者，可以选择颗粒物质（4）以包括所需的注入掺杂剂; 可以选择颗粒（4）的能量以实现期望的植入深度; 并且可以选择能量，剂量和脉冲持续时间以在脉冲期间退火注入区域。 该方法的该实施例在单个步骤中执行植入和激活。 如果不需要基板（1）的电气状态的变化，则颗粒（4）可以包括硅和锗原子。