公开(公告)号：WO2012169044A1

公开(公告)日：2012-12-13

申请号：PCT/JP2011/063246

申请日：2011-06-09

Applicant: 三菱電機株式会社 ,  大賀 琢也 ,  坂元 一泰 ,  杉原 剛 ,  加藤 政紀 ,  中島 大輔 ,  治田 剛 ,  多田 玄

Inventor： 大賀　琢也 ,  坂元　一泰 ,  杉原　剛 ,  加藤　政紀 ,  中島　大輔 ,  治田　剛 ,  多田　玄

IPC: H01L23/48 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L23/4952 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49551 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L25/115 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/29201 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/30181 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37011 ,  H01L2224/4007 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40179 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/40249 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83139 ,  H01L2224/8314 ,  H01L2224/83143 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/84138 ,  H01L2224/84143 ,  H01L2224/84205 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/92157 ,  H01L2224/92246 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2224/37099

Abstract: 第１のリード（１１）とＭＯＳ－ＦＥＴ（２１）の下面電極（２３）が第１のはんだ（５１）で接合され、ＭＯＳ－ＦＥＴの上面電極（２２）と内部リード（３１）が第２のはんだ（５２）で接合され、内部リードと第２のリードの突起部（６１）が第３のはんだ（５３）で接合され、第1のリード、第２のリード、ＭＯＳ－ＦＥＴおよび内部リードが封止樹脂（４１）により一体に成形されている半導体装置において、第１のはんだの内部と第２のはんだ内部に位置する支持部材（５４）（５５）を設け、セルフアライメントにより内部リードとＭＯＳ－ＦＥＴの位置を安定させる。

Abstract translation: 提供了使用第一焊料（51）将第一引线（11）焊接到MOS-FET（21）的底部电极（23）的半导体器件，MOS-FET的顶部电极（22）被焊接 使用第二焊料（52）到内部引线（31），使用第三焊料（53）将内部引线焊接到第二引线的突起（61），并且第一引线，第二引线，MOS-FET和内部引线 引线使用密封树脂（41）一体成型，其中支撑构件（54,55）位于第一焊料内部和第二焊料内部，并且内部引线和MOS-FET的位置通过自 对准。

公开(公告)号：WO2017047289A1

公开(公告)日：2017-03-23

申请号：PCT/JP2016/073406

申请日：2016-08-09

Applicant: 富士電機株式会社

Inventor： 渡邉　裕彦 ,  齋藤　俊介 ,  西村　芳孝 ,  百瀬　文彦

IPC: B23K35/26 ,  C22C13/02 ,  H01L21/52

CPC classification number: H01L24/29 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/025 ,  B23K35/26 ,  B23K35/262 ,  C22C13/02 ,  H01L23/053 ,  H01L2224/29201 ,  H01L2224/29211 ,  H01L2224/2922 ,  H01L2224/29238 ,  H01L2224/29239 ,  H01L2224/29247 ,  H01L2224/29255 ,  H01L2224/29272 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3656 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 耐熱温度が高く、熱伝導特性が高温領域で変化しない鉛フリーはんだを提供する。Ｓｂを、５．０質量％を超えて１０．０質量％以下と、Ａｇを２．０～４．０質量％含有し、残部は、Ｓｎ及び不可避不純物からなるはんだ材、並びに半導体素子と、基板電極もしくはリードフレームとの間に、かかるはんだ材を含んでなる接合層を備える半導体装置。

Abstract translation: 提供一种在高温范围内保持不受影响的耐热温度和导热性高的无铅焊料。 本发明涉及：含有5.0质量％以上且10.0质量％以下的Sb和2.0〜4.0质量％Ag的焊料，其余部分为Sn和不可避免的杂质; 以及在半导体元件和基板电极或引线框架之间设置有包含焊料的接合层的半导体器件。