公开(公告)号：WO2016146323A2

公开(公告)日：2016-09-22

申请号：PCT/EP2016/053169

申请日：2016-02-15

Applicant: PAC TECH - PACKAGING TECHNOLOGIES GMBH

Inventor： LÜDEKE, Heinrich ,  GEELHAAR, Ricardo

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  B23K26/20

CPC classification number: H01L24/48 ,  B23K26/20 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/16 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/73 ,  H01L24/77 ,  H01L24/81 ,  H01L24/84 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/37026 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40091 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/40491 ,  H01L2224/40992 ,  H01L2224/40997 ,  H01L2224/4112 ,  H01L2224/45005 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48839 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/73255 ,  H01L2224/77263 ,  H01L2224/77281 ,  H01L2224/77601 ,  H01L2224/77611 ,  H01L2224/77704 ,  H01L2224/81424 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81464 ,  H01L2224/84214 ,  H01L2224/84424 ,  H01L2224/84439 ,  H01L2224/84444 ,  H01L2224/84447 ,  H01L2224/84455 ,  H01L2224/84464 ,  H01L2224/8484 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2224/84986 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85214 ,  H01L2224/85379 ,  H01L2224/8584 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2224/13099

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Chipanordnung (10) sowie ein Verfahren zur Ausbildung einer Kontaktverbindung (11) zwischen einem Chip (18), insbesondere Leistungstransistor oder dergleichen, und einer Leitermaterialbahn (14), wobei die Leitermaterialbahn auf einem nichtleitenden Substrat (12) ausgebildet wird, wobei der Chip auf dem Substrat oder einer Leitermaterialbahn (15) angeordnet wird, wobei jeweils auf einer Chipkontaktfläche (25) des Chips und der Leitermaterialbahn (28) eine Silberpaste (29) oder eine Kupferpaste aufgebracht wird, wobei ein Kontaktleiter (30) in die Silberpaste oder die Kupferpaste auf der Chipkontaktfläche und in die Silberpaste oder die Kupferpaste auf der Leitermaterialbahn eingetaucht wird, wobei ein in der Silberpaste oder der Kupferpaste enthaltenes Lösungsmittel durch Erwärmen zumindest teilweise verdampft wird, wobei die Kontaktverbindung dadurch ausgebildet wird, dass die Silberpaste oder die Kupferpaste mittels Laserenergie gesintert wird.

Abstract translation: 本发明涉及的模具组件（10）以及用于形成管芯之间的接触连接（11）（18），特别是功率晶体管等的方法，和印刷材料幅材（14），其中形成有非导电性基板上的导体材料带（12）， 其中在基板上的芯片或在芯片和导体材料幅（28），将银膏（29）或铜膏施加的芯片接触面（25），每个外壳的印刷材料带（15）布置，其中，在所述接触导体（30） 银膏或铜膏浸渍于芯片接触表面和在银膏或铜膏印刷材料幅，其特征在于，包含在银膏或铜膏的溶剂中，通过加热蒸发，至少部分地，其中，所述接触连接是由银膏或铜膏形成在 由激光能量的装置烧结。

公开(公告)号：WO2012157583A1

公开(公告)日：2012-11-22

申请号：PCT/JP2012/062214

申请日：2012-05-11

Applicant: 富士電機株式会社 ,  長畦 文男

Inventor： 長畦　文男

IPC: H01L23/12 ,  H01L21/60 ,  H01L23/36 ,  H01L23/48 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/34 ,  H01L21/50 ,  H01L23/24 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/34 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/3701 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/4007 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/40227 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85214 ,  H01L2224/85801 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 　接合部コーナーでの応力集中を低減することにより、温度サイクル等の信頼性試験でのはんだ層のクラック進行を抑制し、あるいは防止できる半導体装置とその製造方法を提供する。　本発明の半導体装置は、両面に導体パターン（２ａ，２ｂ）が接合形成された絶縁基板（１）上に半導体チップ（３）をマウントするとともに絶縁基板（１）を放熱用ベース部材（４）と接合して、半導体チップ（３）の発熱が外部に放出可能な接続構造を有する。ここでは、導体パターン（２ａ，２ｂ）のうち放熱用ベース部材（４）側に接合形成された導体パターン（２ｂ）は、絶縁基板（１）との接合部周縁での厚みが当該接合部中心に比較して薄く形成されている。その結果、導体パターン（２ａ，２ｂ）の接合部中心に比較して、その外周部分における半田等による固着層を厚く形成することができる。

Abstract translation: 提供一种半导体器件，其通过在接合角减小应力集中，在温度循环和其他可靠性测试中抑制或防止焊料层中的裂纹前进; 还提供了所述半导体器件的制造方法。 该半导体器件具有通过将半导体芯片（3）安装在包括在两侧结合形成的导体图案（2a，2b）的绝缘基板（1）上并通过将绝缘基板（1）接合到 散热基体（4）能够从外部散发由半导体芯片（3）产生的热量。 在导体图案（2a，2b）中，形成在散热基底构件（4）侧的导体图案（2b）形成为使得与绝缘基板（1）的结的周边比 所述交界处的中心。 结果，接合周边的焊料等的固定层可以形成为比导电图案（2a，2b）的连接中心更厚。

公开(公告)号：WO2014103036A1

公开(公告)日：2014-07-03

申请号：PCT/JP2012/084153

申请日：2012-12-28

Applicant: 三菱電機株式会社 ,  愛甲 光徳 ,  荒木 慎太郎

Inventor： 愛甲　光徳 ,  荒木　慎太郎

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/58 ,  H01L25/18

CPC classification number: H03L1/022 ,  H01L23/34 ,  H01L23/58 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/40 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/07 ,  H01L25/072 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/37099

Abstract: 　ゲートを有し、ゲート電圧により制御される半導体素子と、該ゲート電圧を制御するゲート駆動回路と、該半導体素子と接続され、該半導体素子の主電流が流れる電極と、該電極の温度を検出する温度検出部と、該温度検出部で検出した温度に基づき、該電極の温度が予め定められた温度を超えない範囲で該半導体素子に最大の通電量を与える第１制御信号を生成する生成部と、該第１制御信号と、該ゲート電圧を制御するために外部から伝送された第２制御信号とを比較し、該電極の温度を抑制できる方の制御信号である選択制御信号を選択する比較部と、を備える。そして、該ゲート駆動回路は該選択制御信号に従い該ゲート電圧を制御する。

Abstract translation: 本发明提供有：具有栅极并通过栅极电压控制的半导体元件; 控制栅极电压的栅极驱动电路; 连接到所述半导体元件并且所述半导体元件的主电流流过其中的电极; 检测电极的温度的温度检测部; 生成部，其基于通过温度检测部检测到的温度，生成用于在电极的温度不超过的范围内向半导体元件施加最大量的功率的第一控制信号 预定温度; 以及比较部，其将第一控制信号和第二控制信号进行比较，所述第二控制信号从外部发送，以便控制栅极电压，并且选择控制信号，即控制 信号能够抑制电极的温度。 栅极驱动电路控制与选择控制信号对应的栅极电压。

公开(公告)号：WO2014034411A1

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：PCT/JP2013/071622

申请日：2013-08-09

Applicant: 三菱電機株式会社

Inventor： 藤野　純司 ,  米田　裕 ,  大西　良孝 ,  菅原　済文

IPC: H01L23/36 ,  H01L21/60 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H05K7/20

CPC classification number: H05K1/0203 ,  H01L23/13 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/492 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L25/07 ,  H01L25/072 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37012 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/4005 ,  H01L2224/40105 ,  H01L2224/4024 ,  H01L2224/4118 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/8346 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84447 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/10254 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15724 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/1576 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/16172 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/291 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/92252 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/40499 ,  H01L2224/8546 ,  H01L2224/85424 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2224/3716 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/4866 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/4886 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/4876 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/2076

Abstract: 　絶縁層(8)を介して放熱部材(9)が接合される伝熱板(4)と、伝熱板(4)に対して、所定の間隔をあけて配置され、外側面に形成された電極パターン(32)の近傍に開口部(3a)が設けられたプリント基板(3)と、伝熱板(4)とプリント基板(3)との間に配置され、裏面が伝熱板(4)に接合された電力用半導体素子(2)と、電力用半導体素子(2)の表面に形成された主電力用電極(21C)の第１の接合部に一端が接合され、他端が第２の接合部(32p)に接合された配線部材(5)と、を備え、主電力用電極(21C)からプリント基板(3)に向かって垂直方向に延びる空間に、第２の接合部(32p)の少なくとも一部が入るとともに、開口部(3a)から垂直方向に延びる空間に、第１の接合部が包含されるように構成した。

Abstract translation: 本发明提供一种电力半导体装置，其特征在于，包括：散热构件（9）与隔着绝缘层（8）接合的传热板（4）; 印刷基板（3），其以与传热板（4）相同的间隔布置，并且在外侧表面上具有位于电极图案（32）附近的开口（3a） 布置在所述传热板（4）和所述印刷基板（3）之间并具有与所述传热板（4）接合的背面的电力半导体元件（2）。 以及其一端接合到形成在所述电力半导体元件（2）的表面上的主电力电极（21C）的第一接合部的配线构件（5），并且其另一端接合到 第二接合部（32p）。 该装置被配置为使得第二接合部分（32p）的至少一部分落在从主电力电极（21C）朝向印刷基板（3）沿垂直方向延伸的空间中，并且同时 第一接合部分包括在从开口（3a）沿垂直方向延伸的空间中。

公开(公告)号：WO2013125022A1

公开(公告)日：2013-08-29

申请号：PCT/JP2012/054525

申请日：2012-02-24

Applicant: 株式会社日立製作所 ,  守田 俊章 ,  保田 雄亮

Inventor： 守田　俊章 ,  保田　雄亮

IPC: H01L21/60 ,  B23K20/00 ,  B23K20/10

CPC classification number: B23K1/0016 ,  B23K2201/42 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L24/85 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/2741 ,  H01L2224/27618 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40227 ,  H01L2224/40499 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48476 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83986 ,  H01L2224/84447 ,  H01L2224/84455 ,  H01L2224/8484 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2224/85455 ,  H01L2224/8584 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/0541 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00012

Abstract: 　銅、ニッケルはパワー半導体モジュール等で多く用いられる電極材料であるが、これらの銅電極やニッケル電極に対して信頼性の高い接合性能が確保できず大きな課題として残っていた。本発明は、銅、或いはニッケルによって形成された半導体素子や配線等の電極を酸化銅の粒子を主剤とする接合材料を用いて接合するようにし、接合材料中の酸化銅を還元することによって得られる銅粒子を加熱及び加圧することによって電極と銅粒子の接合界面に銅の高密度接合層を形成するものである。これによれば、長期に亘って接合部の接合信頼性が確保できる。

Abstract translation: 虽然铜和镍是通常用于功率半导体模块等的电极材料，但是存在关于功率半导体模块等的铜电极和镍电极的高度可靠的接合性能还没有得到确保的问题。 在本发明中，所述电极由铜或镍形成的半导体元件和布线的电极使用以氧化铜粒子为主体的接合材料进行接合，由铜构成的高密度接合层形成在 通过对通过还原接合材料中的氧化铜获得的铜颗粒进行加热加压，从而在电极与铜粒子之间的接合界面。 因此，可以长期确保接合部的接合可靠性。

公开(公告)号：WO2013021726A1

公开(公告)日：2013-02-14

申请号：PCT/JP2012/065224

申请日：2012-06-14

Applicant: 富士電機株式会社 ,  征矢野 伸

Inventor： 征矢野　伸

IPC: H01L21/60 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/49575 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49844 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L25/072 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/37011 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/4007 ,  H01L2224/40091 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/40139 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/40227 ,  H01L2224/40993 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/77272 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/84138 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/85001 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/92166 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

Abstract: 　大電流容量のリードフレームを接合している半田の寿命やリードフレームからの放熱性を確保し、小型化にともなう信頼性と組み立て性を向上した半導体装置である。　半導体装置は矩形形状のリードフレーム（２２）により導電パターン（１２）となる金属層が形成された絶縁基板上の電子部品（２３，２４）の間が電気的に接続される。その際、リードフレーム（２２）を貫通して形成された開口（２１）に電子部品（２３，２４）に跨って配置されたワイヤ部材（２７）を挿通することによって、リードフレーム（２２）を正確に位置決めすることができる。各電子部品（２３，２４）の電極面とリードフレーム（２２）の接合部（２２ａ，２２ｂ）との間には、それぞれ半田板（２８，２９）が挟み込まれ、後のリフロー工程で溶融される。半田板（２８，２９）には、リードフレーム（２２）の開口（２１）の幅に対応する大きさのスリット（２８ｓ，２９ｓ）が形成されている。

Abstract translation: 在该半导体装置中，确保结合大电流引线框架的焊料的使用寿命以及从引线框架散热的特性，提高了尺寸缩小的可靠性和组装性。 在半导体装置中，绝缘基板上的电子部件（23,24）通过矩形引线框架（22）彼此电连接，所述绝缘基板上形成有作为导电图案（12）的金属层， 。 此时，通过将设置在电子部件（23,24）上的线构件（27）插入穿过引线框架（22）形成的开口（21）中，可以将引线框架（22）精确对准 ）。 每个焊料板（28,29）被夹在电子部件（23,24）的每个电极表面和引线框架（22）的每个接合部分（22a，22b）中并熔化 在随后的回流步骤中。 在焊料板（28,29）中，分别形成具有与引线框架（22）的开口（21）的宽度对应的尺寸的狭缝（28s，29s）。

公开(公告)号：WO2017050702A1

公开(公告)日：2017-03-30

申请号：PCT/EP2016/072190

申请日：2016-09-19

Applicant: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT

Inventor： STEGMEIER, Stefan ,  BAUEREGGER, Hubert ,  SOMMER, Volkmar

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L23/48 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L24/37 ,  H01L24/05 ,  H01L24/40 ,  H01L24/84 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37166 ,  H01L2224/37211 ,  H01L2224/37224 ,  H01L2224/37239 ,  H01L2224/37244 ,  H01L2224/37247 ,  H01L2224/37255 ,  H01L2224/37266 ,  H01L2224/3729 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/376 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/84447 ,  H01L2224/848 ,  H01L2224/8492 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15798 ,  H01L2924/18301 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/05032 ,  H01L2924/09511 ,  H01L2924/0103

Abstract: Verfahren zur elektrischen Isolierung eines elektrischen Leiters insbesondere eines Bauteilmoduls und Bauteilmodul Bei dem Verfahren zur elektrischen Isolierung eines Leiters insbesondere eines Bauteils (10) wird als elektrischer Leiter zumindest ein mit einem offenporigen Material (60) gebildeter Leiter herangezogen und innenliegende Bereiche des offenporigen Materials werden mittels Poren des offenporigen Materials zumindest bereichsweise mit elektrisch isolierendes Material (210) versehen. Das Bauteilmodul ist mit einem Bauteil mit zumindest einem elektrisch leitfähigen Kontakt gebildet, an welchem zumindest ein offenporiges Kontaktstück galvanisch angebunden ist. Das Bauteilmodul ist insbesondere mittels eines vorgenannten Verfahrens gebildet.

Abstract translation: 用于特别是在用于导体的电绝缘的方法的部件模块和部件模块的电导体的电绝缘的方法，特别是组分（10）被用作电导体，至少一个具有开孔的材料（60）形成的导体和所述的开孔材料的内部区域是通过以下方式 至少部分地与电绝缘材料（210）中提供的开孔材料的孔。 所述部件模块与具有至少一个导电接触，其中至少一个开孔的接触件电连接的构件形成。 组件模块由所述过程来形成，尤其如此。

公开(公告)号：WO2016113079A1

公开(公告)日：2016-07-21

申请号：PCT/EP2015/080711

申请日：2015-12-21

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH

Inventor： GROSS, David

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L24/03 ,  H01L24/37 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/0332 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/03505 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03612 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/03848 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05247 ,  H01L2224/05294 ,  H01L2224/05347 ,  H01L2224/05395 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/05747 ,  H01L2224/05794 ,  H01L2224/05847 ,  H01L2224/05895 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/03444 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03442

Abstract: Die Erfindung betrifft eine bondbare Metallisierung (1) auf einem Halbleitersubstrat (3) für einen Leistungshalbleiter und ein Verfahren zur dessen Herstellung, wobei die bondbare Metallisierung (1) eine erste Metallisierungslage (M1), welche auf das Halbleitersubstrat (3) aufgebracht ist, und eine zweite Metallisierungslage (M2) aufweist, welche auf die erste Metallisierungslage (M1) aufgebracht ist, wobei die zweite Metallisierungslage (M2) als aufgedruckte und versinterte Kupfermetallisierung (Cu) ausgeführt ist. Erfindungsgemäß wird zur Ausbildung der zweiten Metallisierungslage (M2) eine Paste oder Tinte mit Kupfernanopartikeln auf die erste Metallisierungslage (M1) aufgedruckt und mittels eines thermischen Prozesses zu einer Kupfermetallisierung (Cu) versintert. Dadurch wird eine geeignete Kupfermetallisierung (Cu) für einen Bondpad (10) für Kupfer-Bändchen- und Kupfer-Dickdraht-Bonds ausgebildet. Die zweite Metallisierungslage (M2) wird zur Ausbildung der Kupfermetallisierung (Cu) mit einer vorgegebenen Struktur auf die erste Metallisierungslage (M1) aufgedruckt oder die Kupfermetallisierung (Cu) wird nach dem thermischen Sinterprozess durch einen fotolithografischen Prozess mit anschließendem Ätzprozess strukturiert. Auf der Kupfermetallisierung (Cu) kann mittels stromloser chemischer oder galvanischer Abscheidung oder chemischer oder physikalischer Dampfphasenabscheidung eine weitere Metallisierung aus mindestens einer Schicht zur Passivierung aufgebracht werden.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于功率半导体的半导体衬底（3）上的可粘合的金属涂层（1）和用于其生产的方法，其中，所述可结合的金属化（1）的第一金属化层（M1），其被施加到半导体衬底（3），和 第二金属化层（M2），其中，第一金属化层上（M1）被施加，所述第二金属化层（M2）被设计为印刷和烧结的铜金属化（Cu）制成。 根据本发明，（M2）是烧结印刷的浆料或油墨与第一金属化层（M1）和镀铜（Cu）的通过热工艺来形成第二金属化层上的铜纳米颗粒。 其特征在于一个合适的铜金属化（Cu）形成为一个键合焊盘（10），用于铜或铜带状厚引线键合。 第二金属化层（M2）是形成镀铜（Cu）的具有在所述第一金属化（M1）印刷或铜金属化（Cu）的通过光刻工艺，随后通过蚀刻过程中的热烧结过程之后图案化的预定图案。 上镀铜（Cu）的，至少一个层的另一金属化可以通过无电解化学或电沉积，或化学或物理气相沉积来施加到钝化。

公开(公告)号：WO2012108011A1

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：PCT/JP2011/052742

申请日：2011-02-09

Applicant: 三菱電機株式会社 ,  浅田 晋助 ,  長尾 健二郎 ,  中島 泰 ,  渡邊 雄悦 ,  浅尾 淑人 ,  大賀 琢也 ,  加藤 政紀

Inventor： 浅田　晋助 ,  長尾　健二郎 ,  中島　泰 ,  渡邊　雄悦 ,  浅尾　淑人 ,  大賀　琢也 ,  加藤　政紀

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/28 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L23/49568 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/36 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/40139 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/4103 ,  H01L2224/41051 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48139 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83411 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/37099

Abstract: 　パワー半導体モジュール１００は、本体部２ａと外部接続端子部２ｂとが一体に形成され、本体部２ａが同一平面上に配置された電極板２と、本体部２ａの一方の面（載置面）２ｃに載置された半導体素子１と、本体部２ａの他方の面（放熱面）２ｄが露出され、電極板２の本体部２ａ及び半導体素子１を樹脂により封止した樹脂パッケージ３と、を備えこの放熱面２ｄと樹脂パッケージ３の底面３ａとは、同一面となっている。これにより、放熱性及び信頼性を向上させ、かつ小型化を図ることができる。

Abstract translation: 功率半导体模块（100）具有：具有集成体（2a）的电极板（2）和外部连接端子（2b），所述主体（2a）为共面布置; 承载在主体（2a）的一个表面（承载表面）（2c）上的半导体元件（1）; 和体（2a）的另一面（散热面）（2d）露出的半导体元件（1）和电极板（2）的主体（2a）被密封的树脂封装体（3） 使用树脂。 辐射表面（2d）和树脂封装（3）的底表面（3a）是共面的。 由此，能够提高散热性能和可靠性以及减小尺寸。

公开(公告)号：WO2011121756A1

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：PCT/JP2010/055847

申请日：2010-03-31

Applicant: ルネサスエレクトロニクス株式会社 ,  谷藤 雄一 ,  岡 浩偉

Inventor： 谷藤　雄一 ,  岡　浩偉

IPC: H01L21/52

CPC classification number: H01L24/73 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/743 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/03436 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/2612 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40091 ,  H01L2224/40132 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/49433 ,  H01L2224/73219 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/743 ,  H01L2224/83051 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84205 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/92157 ,  H01L2224/92166 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/0134 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/05442

Abstract: 　配線板のチップ搭載部上にダイボンド材を塗布する工程で使用するスタンピングノズル（４２）の下面には、ダイボンド材が充填される堀り込み部（５０）が設けられている。掘り込み部（５０）の平面寸法は、チップ搭載部上に搭載されるチップの外形寸法よりも小さい。また、掘り込み部（５０）の深さは、上記チップの厚さよりも小さい。上記チップの厚さが１００μｍ以下である場合に、上記スタンピングノズル（４２）を使ってチップ搭載部上にダイボンド材を塗布することにより、上記チップの上面にダイボンド材が這い上がる不具合が回避される。

Abstract translation: 冲压喷嘴（42）的下表面设置有待填充芯片接合材料的雕刻部分（50），所述冲压喷嘴用于将模片接合材料施加到芯片安装部分 接线板 雕刻部分（50）的平面尺寸小于要安装在芯片安装部分上的芯片的外部尺寸。 此外，雕刻部分（50）的深度小于芯片的厚度。 当芯片的厚度为100μm以下时，通过使用冲压喷嘴（42）将芯片接合材料施加到芯片安装部分来消除在芯片的上表面上方的芯片接合材料的问题。