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公开(公告)号：CN107394037B
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN201710239774.3
申请日：2017-04-13
申请人： 新加坡商世界先进积体电路私人有限公司
发明人： 夏佳杰 , M·普拉布哈钱德兰·奈尔 , Z·斯比阿 , R·P·耶勒汉卡 , R·库马尔
IPC分类号： H01L41/083 , H01L41/27 , B81B7/02
摘要： 本发明涉及压电微机电系统，为一种在通过介电层分离的衬底上包括压电堆栈的微机电系统(MEMS)装置。压电堆栈包括第一压电层与第二压电层，其具有位在第一压电层与接触垫下面的第一电极、以及位在第一压电层与第二压电层间的第二电极。第一接触穿过压电层与接触垫延展至第一电极，而第二接触穿过第二压电层延展至第二电极。接触垫防止接触开口中的第一压电层与第二压电层间形成接口，从而防止压电层在接触形成过程中遭受侵蚀。
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公开(公告)号：CN107416757A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710295681.2
申请日：2017-04-28
申请人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
CPC分类号： B81B7/0064 , B81B7/0022 , H01L23/522 , B81B7/0077 , B81B7/02
摘要： 提供具有屏蔽微机电系统(MEMS)装置的集成电路及用于制造屏蔽MEMS装置的方法。在一实施例中，具有屏蔽MEMS装置的集成电路包括：基板；在该基板上方包括导电材料的接地平面；以及在该接地平面上方的介电层。该集成电路更包括在该接地平面上方的MEMS装置。再者，该集成电路包括穿过该介电层且与该接地平面接触的导电柱。该集成电路包括在该MEMS装置上方且与该导电柱接触的金属薄膜，其中该金属薄膜、该导电柱及该接地平面形成包围该MEMS装置的电磁屏蔽结构。此外，该集成电路包括在该基板上方且毗邻该电磁屏蔽结构的声学屏蔽结构。
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公开(公告)号：CN103569948B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310319903.1
申请日：2013-07-26
申请人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
发明人： R·K·科特兰卡 , R·库马尔 , P·奇拉亚瑞卡帝维度桑卡拉皮莱 , H·林 , P·耶勒汉卡
CPC分类号： B81B7/0006 , B81C1/00269 , B81C3/001 , B81C2201/0115 , H01L21/50 , H01L23/481 , H01L23/5226 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及一种使用多孔化表面用于制作堆栈结构的接合方法，其中，揭露有具有至少一多孔化表面的接合装置。多孔化工艺将纳米多孔性孔洞带进装置接合表面的微结构。多孔化材料的材料特性比非多孔化材料软。对于相同的接合条件，与非多孔化材料相比较，多孔化接合表面的使用得强化接合接口的接合强度。
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公开(公告)号：CN107394036B
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201710305709.6
申请日：2017-05-03
申请人： 新加坡商世界先进积体电路私人有限公司
发明人： 亚维克·纳斯·查特基 , 拉盖·库马 , 杰米·夫卡司 , 马特斯·汤马士·马拉克
IPC分类号： H01L41/047 , H01L27/20 , B06B1/06 , G01H11/08
摘要： 本发明涉及pMUT及pMUT换能器阵列的电极配置，根据本文所述例示性具体实施例所提供的是各具有第一电极的压致微机械超音波换能器(pMUT)，该第一电极包括第一电极部与第二电极部。该第二电极部可与该第一电极部分别操作。第二电极与该第一电极隔开并且在该第一电极与该第二电极间界定空间。压电材料设置于该空间中。还提供的是pMUT的阵列，其中个别pMUT具有可与阵列诸列操作性联结的第一电极部、以及可与阵列诸行操作性联结的第二电极部。
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公开(公告)号：CN107416757B
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201710295681.2
申请日：2017-04-28
申请人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
发明人： H·坎帕内拉-皮内达 , R·库马尔 , Z·斯比阿 , N·兰加纳坦 , R·P·耶勒汉卡
CPC分类号： B81B7/0064 , B81B7/0022 , H01L23/522
摘要： 提供具有屏蔽微机电系统(MEMS)装置的集成电路及用于制造屏蔽MEMS装置的方法。在一实施例中，具有屏蔽MEMS装置的集成电路包括：基板；在该基板上方包括导电材料的接地平面；以及在该接地平面上方的介电层。该集成电路更包括在该接地平面上方的MEMS装置。再者，该集成电路包括穿过该介电层且与该接地平面接触的导电柱。该集成电路包括在该MEMS装置上方且与该导电柱接触的金属薄膜，其中该金属薄膜、该导电柱及该接地平面形成包围该MEMS装置的电磁屏蔽结构。此外，该集成电路包括在该基板上方且毗邻该电磁屏蔽结构的声学屏蔽结构。
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公开(公告)号：CN109775652A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811189719.9
申请日：2018-10-12
申请人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
摘要： 本发明涉及用于MEMS装置的晶圆级封装，揭示微机电系统(MEMS)装置。该MEMS装置包括：具有顶部装置表面及底部装置表面的装置衬底，其具有位于装置区中的MEMS组件。在围绕该装置区的该顶部装置表面上设置顶部装置接合环，且在围绕该装置区的该底部装置表面上设置底部装置接合环。具有顶部覆盖接合环的顶部覆盖层通过顶部共晶接合与该顶部装置接合环接合，且具有底部覆盖接合环的底部覆盖层通过底部共晶接合与该底部装置接合环接合。该共晶接合包覆该MEMS装置。
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公开(公告)号：CN109712959A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811223242.1
申请日：2018-10-19
申请人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
IPC分类号： H01L23/528 , H01L21/82
CPC分类号： B81C1/00246 , B81B7/007 , B81B2203/04 , B81B2207/015 , B81B2207/07 , B81B2207/094 , B81B2207/095 , B81C2203/0735 , B81C2203/0778 , B81C2203/0792
摘要： 本申请涉及MEMS与IC装置的单块整合，揭示一种具有微机电系统(MEMS)与集成电路(IC)的整合型单块装置及其形成方法。该单块装置包括在该IC上方形成有IC组件及MEMS的衬底。该衬底上方形成在接垫阶中具有IC互连垫的后段(BEOL)介电质。具有所述IC互连垫的该BEOL介电质上方形成MEMS。该MEMS包括MEMS堆栈，该MEMS堆栈具有主动MEMS层、及在该主动MEMS层的顶端与底端表面上形成的图案化顶端与底端MEMS电极。形成至少部分地穿过该主动MEMS层的IC MEMS接触贯孔。IC MEMS接触形成于该主动MEMS层中的所述IC MEMS接触贯孔中，并且组配成耦接至所述IC互连垫。
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公开(公告)号：CN104377163B
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201410405897.6
申请日：2014-08-18
申请人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L21/185 , B81B7/0006 , B81C1/00238 , B81C1/00269 , B81C2203/0118 , B81C2203/033 , B81C2203/0785 , B81C2203/0792 , H01L23/4827 , H01L24/05 , H01L24/26 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L2224/04026 , H01L2224/05568 , H01L2224/05572 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/05686 , H01L2224/2908 , H01L2224/29124 , H01L2224/293 , H01L2224/32145 , H01L2224/32502 , H01L2224/85805 , H01L2924/00014 , H01L2924/01032 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/00012
摘要： 本发明涉及互补式金属氧化物半导体相容晶圆键合层与工艺，揭露一种晶圆键合层及使用晶圆键合层键合晶圆的晶圆键合工艺。该晶圆键合工艺包含设置第一晶圆，设置第二晶圆，及设置晶圆键合层。该晶圆键合层是分开设置在第一和第二晶圆的接触表面层，而成为CMOS相容工艺配方的一部分。
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公开(公告)号：CN109319726B
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN201810842110.0
申请日：2018-07-27
申请人： 新加坡商世界先进积体电路私人有限公司
摘要： 本发明涉及具有偏向控制的压电麦克风及其制造方法，其提供一种形成具有互锁/挡止件及微凸块的压电麦克风的方法与所产生的装置。数个具体实施例包括：形成隔膜于具有第一及第二牺牲层设置于其相对两面上的硅衬底上方，该隔膜形成于该第一牺牲层上，形成第一HM于该隔膜上方，形成穿过该第一HM的第一及第二通孔，形成第一垫层于该第一及该第二通孔中且于一暴露上薄膜上方，形成一沟槽到在该第一及该第二通孔之间的该第一牺牲层中以及在该沟槽与第二通孔之间的间隙，图案化在该隔膜上方、在该第一及第二通孔、该沟槽及该间隙中的第二HM，以及形成第二垫层于该第二HM上方以及于该第一及该第二通孔周围的暴露区域中以形成数个垫结构。
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公开(公告)号：CN109510607B
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN201810959018.2
申请日：2018-08-22
申请人： 新加坡商世界先进积体电路私人有限公司
发明人： H·坎帕内拉-皮内达 , 钱优 , R·库玛
摘要： 本发明涉及具有碎形电极的声波MEMS共振器与滤波器及其制造方法，提供了设计具有碎形几何的体内声波(BAW)共振器的方法以及所形成的装置。实施例包含：提供一碎形产生函数；提供三条或更多条线段；将该碎形产生函数应用于该等三条或更多条线段中的每一线段，而形成三条或更多条各别的碎形线段，该等三条或更多条碎形线段中的每一碎形线段具有一各别的起点及终点、以及至少四条子线段；以及将该等三条或更多条碎形线段中的每一碎形线段的一终点连接到该等三条或更多条碎形线段中的另一碎形线段的一接续的起点，而形成代表一BAW共振器的一电极的面积的一闭合回路轮廓线，该闭合回路轮廓线具有大于一且小于二的一碎形维度。
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