公开(公告)号：CN101479611B

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN200780024625.X

申请日：2007-06-26

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 安德烈亚斯·菲舍尔 ,  戴维·皮克尔

IPC分类号： H01L21/3065 ,  G01R23/00 ,  H05B7/16

CPC分类号： H01L21/67069 ,  H01J37/304 ,  H01J37/32935 ,  H01L21/67253

摘要： 检测等离子处理室中等离子失限状态的通用等离子失限检测系统以及方法。该检测系统和方法设计为以不依赖工艺并且不依赖制法的方式可靠并且准确地检测该等离子失限状态的存在。

公开(公告)号：CN102683172A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210065366.8

申请日：2012-03-13

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 坂本美里 ,  加藤芳健 ,  山本阳一 ,  京野敬 ,  山本力 ,  本沢辉一 ,  前田实太 ,  伊藤广志

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/67253 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6875 ,  Y10S438/974

摘要： 公开了一种半导体器件制造方法。在台架被保持在受热状态的情况下，半导体晶圆被放置在台架上(步骤S10)。然后，在经过第一时间的情况下，控制器使真空腔室内的压力升高到高于第一压力的第二压力(步骤S40)。在半导体晶圆被放置在台架上之后，真空腔室内的压力与吸附端口内的压力之间的压力差被设置到不使半导体晶圆在凸起上滑动的最小值。此外，在步骤S40，也使压力差保持在不使半导体晶圆在凸起上滑动的最小值。

公开(公告)号：CN102610518A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201110430826.8

申请日：2011-12-20

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 佐藤润 ,  长谷川雅之

IPC分类号： H01L21/3213 ,  H01L21/311 ,  G03F7/40

CPC分类号： H01L21/0337 ,  C23C8/36 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67253

摘要： 本发明提供含碳薄膜的宽度减小方法及氧化装置。该含碳薄膜的宽度减小方法包括以下工序：输入工序，其用于将形成有被图案化了的含碳薄膜的被处理体向氧化装置的处理容器内输入；宽度减小工序，其用于一边向处理容器内供给水分一边利用氧化气体对含碳薄膜的表面进行氧化处理而除去该含碳薄膜的表面，由此，使图案的凸部的宽度减小。

公开(公告)号：CN101978486B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200980109949.2

申请日：2009-04-03

申请人： 诺发系统股份有限公司

发明人： S·K·拉希里 ,  P·弗兰岑

IPC分类号： H01L21/66

CPC分类号： B24B37/205 ,  B24B37/013 ,  B24B49/105 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/6723 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/12 ,  H01L22/26 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 提供了校准涡流传感器(214)的方法和装置(20，200，250)。形成将磁场内的导电层(205)的厚度和以涡流传感器(214)测量的值，或从这种测量得出的值，诸如，阻抗变元相关联的校准曲线。校准曲线可以是具有无限项数的分析函数，诸如三角、双曲线和对数函数，或连续的多个函数，诸如直线。这些曲线可以减少用于校准传感器(214)中的晶片的数目，同时提供较大厚度范围上的较高准确度。高准确度允许忽略光学传感器，并且允许使用涡流传感器(214)进行终点检测、转变调用检测和闭环控制，其中基于一个或多个处理区域内测量的磁通密度的改变，改变处理参数。

公开(公告)号：CN101645387B

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN200910168285.9

申请日：2002-11-19

申请人： 应用材料公司

发明人： 拉克斯曼·穆鲁盖什 ,  加里·R·阿尔

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/67253 ,  H01J37/32862 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/32963 ,  H01J37/32972 ,  Y10S438/905

摘要： 本发明涉及处理室中工艺终点的检测。本发明公开了用于确定在室中进行的清洗工艺的终点的方法和装置。具体地，本发明的实施例是包括如下步骤的方法：(a)将清洗工艺的副产物吸收的辐射导入所述室的抽出管道内；(b)检测副产物对所述辐射的吸收率的测量值；以及(c)当所述吸收率测量值落在预定窗口内时确定所述终点。

公开(公告)号：CN1971870B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200610149470.X

申请日：2006-11-21

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 铃木胜

IPC分类号： H01L21/683 ,  B23Q3/06

CPC分类号： H01L21/6838 ,  H01L21/67253

摘要： 本发明提供一种被处理体的取出方法，用于将真空吸附在载置台上的上述被处理体取出，其中，上述载置台具有在其上多处开口的多个气体流路，上述被处理体的取出方法包括，(a)通过上述多个气体流路关闭用于真空吸附上述被处理体的真空的工序；(b)利用被处理体抬起单元将上述被处理体从上述载置台抬起的工序；和(c)在工序(b)中，从上述多个气体流路中的至少一个向上述载置台与上述被处理体之间供给气体的工序。此外，本发明还提供一种存储有用于运行上述取出方法的计算机可执行程序的程序存储介质。

公开(公告)号：CN102255242A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201110110011.1

申请日：2006-02-13

申请人： 株式会社理光

发明人： 佐藤俊一 ,  轴谷直人 ,  伊藤彰浩 ,  梅本真哉 ,  禅野由明 ,  山本高稔

IPC分类号： H01S5/183

CPC分类号： H01L21/67103 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68785 ,  H01S5/18313 ,  H01S5/18358 ,  H01S5/32366 ,  H01S5/34306 ,  H01S5/34353 ,  H01S5/423 ,  H01S2304/04

摘要： 一种半导体氧化设备，其配有：由室壁界定的可密封氧化室；设置于氧化室内，并用来支撑半导体样品的基座；用于向所述氧化室供应对所述半导体样品的特定部分进行氧化的水蒸汽的供应部分；监测窗，其设置于所述氧化室的室壁之一内，并且设置于能够面对支撑于所述基座上的所述半导体样品的位置处；监测部分，其设置于所述氧化室之外，并且能够经由所述监测窗面对支撑于所述基座上的半导体样品；以及调整所述基座和所述监测部分之间的距离的调整部分。

公开(公告)号：CN101546698B

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN200910129117.9

申请日：2009-03-25

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 佐藤贤司

IPC分类号： H01L21/00 ,  H05H1/24

CPC分类号： H01L21/67069 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32935 ,  H01L21/67253

摘要： 本发明提供一种等离子体处理装置和供电棒。供电棒(210)经由匹配器(200)，向对晶片实施规定的等离子体处理的处理室内配置的等离子体生成用的基座(112)传输高频，在供电棒上设置有电特性测量用的探头(例如电压探头(220V)、电流探头(220I))并与探头一体化，作为整体在匹配器和处理室之间可安装拆卸。由此，能够大幅降低伴随探头的安装产生的电力损失，并且能够防止由于探头的安装误差导致的每个装置的测量值的偏差，另外能够保持探头实际使用时的安装状态对基于探头的测量进行校正，以比现有技术更高的精度测量其高频的电特性。

公开(公告)号：CN101689522B

公开(公告)日：2011-11-02

申请号：CN200880021581.X

申请日：2008-06-25

申请人： 爱德万测试株式会社

发明人： 冲野升

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L21/677 ,  G01R31/28

CPC分类号： H01L21/67178 ,  G01R31/2831 ,  G01R31/2886 ,  G01R31/2893 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67748

摘要： 本发明涉及的测试装置具有：多个测试单元，所述多个测试单元的每个测试单元具有：和形成于被测试晶片上的电路进行测试信号的发送与接收的测试模块；在测试模块及被测试晶片之间将测试信号的传送路径加以结合的结合部；在供给压力时，使被测试晶片抵接于结合部的保持部，以及收纳保持部及结合部的框体，并且，在框体的内部测试被测试晶片；该测试装置还包括储存部；搬运部；主机；电源及压力源，其中，储存部中储存着由多个测试单元测试的作为测试对象的被测试晶片，且相对于多个测试单元共享；搬运部在储存部及多个测试单元各自之间搬运被测试晶片，主机对多个测试单元分别指示测试的顺序，电源对多个测试单元分别供给电力，且是相对于多个测试单元的共用电源，压力源对多个测试单元分别供给压力，且是相对于多个测试单元的共用压力源。

公开(公告)号：CN102191473A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110057683.0

申请日：2011-03-10

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 小林诚

IPC分类号： C23C14/54 ,  C23C16/52 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205 ,  H01L21/22

CPC分类号： H01L21/67253 ,  C23C16/463 ,  H01L21/67109

摘要： 本发明提供立式热处理装置及其冷却方法。其一边将炉主体和处理容器之间的空间内高精度地保持为微负压一边对该空间内进行强制冷却。立式热处理装置包括具有加热元件的炉主体和用于收容被处理体而对其实施热处理的、配置在炉主体内的处理容器。在炉主体上连接有空气供给管路和空气排气管路，在空气供给管路上配置有空气供给鼓风机和空气供给管路侧阀机构，在空气排气管路上配置有空气排气鼓风机和空气排气管路侧阀机构。利用压力检测系统检测空间内的压力，由控制部基于来自压力检测系统的检测信号控制空气供给鼓风机、空气供给管路侧阀机构、空气排气鼓风机以及空气排气管路侧阀机构，从而将空间内保持为微负压。