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公开(公告)号：CN1290055A
公开(公告)日：2001-04-04
申请号：CN00130582.4
申请日：2000-09-27
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01S5/00
CPC classification number: H01S5/2231 , H01S5/2205 , H01S5/221 , H01S5/222 , H01S5/2227 , H01S2301/18
Abstract: 本发明揭示一种半导体激光器件及其制造方法,其特征是脊部侧面与该脊部下部形成的倾斜角度θ为70°以上、117°以下,p型包层由Alx1Ga1－x1As构成,第1电流阻档层由Alx2Ga1－x2As构成,发光层与第1电流阻挡层间的距离t满足关系式t≤0.275/(1－(X2－X1))μm,脊部下部宽度W为2μm以上、5μm以下。具有在提高激光输出的同时可抑制激光水平散布角减小且水平散布角调整容易的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101276990B
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN200810086910.0
申请日：2008-03-28
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0201 , H01S5/0202 , H01S5/0213 , H01S5/0216 , H01S5/0217 , H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/2216 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3063 , H01S2304/04 , H01S2304/12
Abstract: 本发明提供一种能够提高半导体激光元件的波导路的解理面的平坦性的半导体激光元件。该半导体激光元件具有：支撑基板；具有设有沿第一方向延伸的波导路的端部的一对共振器面的半导体激光元件部；以及粘接支撑基板和半导体激光元件部的粘接层。粘接层在共振器面附近具有在所述波导路的至少是端部附近的区域上形成的空隙部。
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公开(公告)号：CN101938087A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN201010228358.1
申请日：2010-03-19
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01S5/405 , H01L2224/16145 , H01L2224/48091 , H01L2224/73257 , H01S5/0202 , H01S5/02212 , H01S5/0224 , H01S5/02268 , H01S5/02276 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/32341 , H01S5/4087 , H01S2301/176 , H04N9/3161 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种半导体激光元件的制造方法，包括：形成接合第一长方形基板和第二长方形基板的第三长方形基板的工序；第一半导体激光元件的第一侧面从形成第二半导体激光元件的第三侧面的位置突出的同时，第二半导体激光元件的第四侧面从第一半导体激光元件的第二侧面突出，并且按照第一电极位于第一半导体激光元件的突出区域中的方式分割第三长方形基板。
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公开(公告)号：CN101789562A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN201010103971.0
申请日：2010-01-26
Applicant: 三洋电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体激光元件的制造方法和半导体激光元件。该半导体激光元件的制造方法包括：形成表面具有用于劈开的第一槽的第一半导体激光元件基板的工序；将第二半导体激光元件基板贴合在具有第一槽的表面一侧的工序；和在此之后，至少沿第一槽劈开第一半导体激光元件基板和第二半导体激光元件基板的工序。
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公开(公告)号：CN101361203A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200780001749.6
申请日：2007-10-12
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/0079 , H01L33/385 , H01L33/62 , H01L33/641 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2924/01012 , H01L2924/01019 , H01L2924/01046 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2933/0075 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供半导体发光元件、照明装置和半导体发光元件的制造方法。能够抑制支撑基板和半导体元件层的剥离的产生，并得到可靠性高的半导体发光元件。该半导体发光元件包括：支撑基板(1)；在支撑基板(1)上形成的第一接合层(2a)；在第一接合层(2a)上形成的第二接合层(2b)；在第二接合层(2b)上形成的第三接合层(2c)；和在第三接合层(2c)上形成的半导体元件层(3)。并且，第二接合层(2b)的熔点低于第一接合层(2a)和第三接合层(2c)的熔点。
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公开(公告)号：CN1534841A
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN200410031629.9
申请日：2004-03-31
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01L24/83 , H01L2224/83192 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/0425 , H01S5/22 , H01S5/2201 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3211 , H01S5/34326
Abstract: 得到一种可实现放热特性和可靠性(寿命)提高、制造工序简化和制造合格率提高的半导体激光器元件。该半导体激光器元件具备形成于发光层上、构成凸状脊部的半导体层；至少覆盖脊部侧面来形成的、由半导体构成的电流阻挡层；接触脊部上面地形成的第一金属电极；和与脊部隔开规定间隔并配置在脊部两侧的凸状支承部。
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