公开(公告)号：CN102859696A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201180020961.3

申请日：2011-04-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 三浦成久 ,  中田修平 ,  大塚健一 ,  渡边昭裕 ,  渡边宽

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/781 ,  H01L29/7811

Abstract: 本发明的目的在于提供一种反馈电容小、且开关损耗低的半导体装置。本发明的半导体装置具备：半导体基板（20）；漂移层（21），形成于半导体基板（20）表面上；第1阱区域（41），在漂移层（21）表面形成了多个；源极区域（80），是形成于各第1阱区域（41）表面的区域，将由该区域和漂移层（21）夹住的各第1阱区域（41）表面规定为沟道区域；栅电极（50），从沟道区域上到漂移层（21）上隔着栅极绝缘膜（30）形成；以及第2阱区域（43），在栅电极（50）下的漂移层（21）内部埋设，并且与相互相邻的各第1阱区域（41）的各个连接地形成。

公开(公告)号：CN102334190A

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN200980157510.7

申请日：2009-04-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 三浦成久 ,  中田修平 ,  大塚健一 ,  渡边昭裕 ,  油谷直毅

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L23/53209 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7805 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在第一导电类型的半导体基板的第一主面内的单元区域中在表层形成第二导电类型的第一阱。在第一阱内的表层形成第一导电类型的扩散区。在第一阱上形成第一栅极绝缘膜，其上形成第一栅电极。在单元区域的外周部中在第一主面的表层形成第二导电类型的第二阱。在第二阱上形成第二栅极绝缘膜，在其外周侧形成厚的场氧化膜。在栅极绝缘膜和场氧化膜上连续地形成与第一栅电极连接的第二栅电极。在第一、第二阱和扩散区中连接有第一电极。在半导体基板的第二主面形成有第二电极。以在单元区域的外周绕一周的方式在场氧化膜上形成与第二栅电极连接的栅极布线。栅极布线是对第二栅电极的构成物质进行硅化物化而成的。

公开(公告)号：CN109155239B

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN201780029769.8

申请日：2017-05-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 田中贵规 ,  山本茂久 ,  中村勇 ,  木村泰广 ,  中田修平 ,  三谷阳一郎

IPC: H01L21/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及碳化硅外延基板及碳化硅半导体装置。外延基板(3)具备：由碳化硅形成的单晶基板(10)和在其上形成的由碳化硅形成的外延层(4)。外延层(4)具备：在单晶基板(10)上形成的第1外延层(41)、在第1外延层(41)上形成的第2外延层(42)、和在第2外延层(42)上形成的第3外延层(43)，第1外延层(41)中的基底面位错的转换率不到95％，第2外延层(42)中的基底面位错的转换率比98％大。

公开(公告)号：CN103703565B

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201280036061.2

申请日：2012-07-31

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 川上刚史 ,  中木义幸 ,  藤井善夫 ,  渡边宽 ,  中田修平 ,  海老原洪平 ,  古川彰彦

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/8725 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明的目的在于提供一种无需高位置精度地形成埋入注入层，具有高耐压并且高可靠性的半导体装置。本发明的半导体装置具备：作为第2导电类型的活性区域的基极2，形成于第1导电类型的半导体层表层，构成半导体元件；作为第2导电类型的多个第1杂质区域的保护环11～保护环16），在半导体层表层，以俯视时分别包围基极2的方式相互离开地形成；以及作为第2导电类型的第2杂质区域的埋入注入层18，被埋入到半导体层表层，连接多个保护环11～保护环16的底部中的至少两个。

公开(公告)号：CN103299425B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201180064721.3

申请日：2011-06-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 海老池勇史 ,  中谷贵洋 ,  渡边宽 ,  藤井善夫 ,  绫淳 ,  中木义幸 ,  川上刚史 ,  中田修平

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L21/266 ,  H01L21/0465 ,  H01L23/544 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/872 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种能够抑制高电场的产生、抑制绝缘破坏的产生的半导体装置及其制造方法。本发明的半导体装置的制造方法具备：（a）准备作为由第1导电类型的碳化硅半导体构成的基底的n+基板（1）的工序；（b）在n+基板（1）上使用抗蚀剂图案（13）来形成包围元件区域的凹槽构造（14）的工序；以及（c）通过经由抗蚀剂图案（13）的杂质注入而在凹槽构造（14）内的凹槽底面（15）以及凹槽侧面（20）的面内形成作为第2导电类型的杂质层的保护环注入层（3）的工序，其中，凹槽构造（14）的拐角部分被杂质层（3）所覆盖。

公开(公告)号：CN102334190B

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN200980157510.7

申请日：2009-04-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 三浦成久 ,  中田修平 ,  大塚健一 ,  渡边昭裕 ,  油谷直毅

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L23/53209 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4916 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7805 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在第一导电类型的半导体基板的第一主面内的单元区域中在表层形成第二导电类型的第一阱。在第一阱内的表层形成第一导电类型的扩散区。在第一阱上形成第一栅极绝缘膜，其上形成第一栅电极。在单元区域的外周部中在第一主面的表层形成第二导电类型的第二阱。在第二阱上形成第二栅极绝缘膜，在其外周侧形成厚的场氧化膜。在栅极绝缘膜和场氧化膜上连续地形成与第一栅电极连接的第二栅电极。在第一、第二阱和扩散区中连接有第一电极。在半导体基板的第二主面形成有第二电极。以在单元区域的外周绕一周的方式在场氧化膜上形成与第二栅电极连接的栅极布线。栅极布线是对第二栅电极的构成物质进行硅化物化而成的。

公开(公告)号：CN102870217A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201180016343.1

申请日：2011-02-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 日野史郎 ,  三浦成久 ,  中田修平 ,  大塚健一 ,  渡边昭裕 ,  古川彰彦 ,  中尾之泰 ,  今泉昌之

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/1095 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7805 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/8611

Abstract: 在高速切换的功率用半导体装置中，存在在切换时流过位移电流从而与其流路的电阻互相作用，而发生高电压，由于该电压，栅极绝缘膜那样的薄的绝缘膜发生绝缘破坏，而半导体装置发生破坏的情况。本发明涉及的半导体装置具备：第1导电类型的半导体基板；第1导电类型的漂移层，被形成于所述半导体基板的第1主面；第2导电类型的第2阱区域，被形成为包围漂移层的单元区域；以及源极焊盘，经由贯通第2阱区域上的栅极绝缘膜而设置的第1阱接触孔、贯通第2阱区域上的场绝缘膜而设置的第2阱接触孔、以及源极接触孔，而使第2阱区域彼此和单元区域的源极区域电连接。

公开(公告)号：CN101960606A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200980108148.4

申请日：2009-03-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 渡边昭裕 ,  中田修平 ,  大塚健一

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/047 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/32 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明提供一种源·漏之间的耐压高、减小了ON时和OFF时的栅·漏之间电容之差的碳化硅MOSFET。设置有：在第1导电类型的碳化硅基板上设置的第1导电类型的碳化硅漂移层；在碳化硅漂移层的表层部中设置的呈现第2导电类型的一对基区；在一对所述基区的表层部的内侧设置的呈现第1导电类型的一对源区；以及在碳化硅基板与一对所述基区之间设置的半绝缘区域。

公开(公告)号：CN1628363A

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN02829122.0

申请日：2002-06-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 泽田隆夫 ,  中田修平 ,  大野克巳 ,  山口博

IPC: H01J1/26 ,  H01J1/20 ,  H01J1/14 ,  H01J9/04

CPC classification number: H01J9/042 ,  H01J1/26

Abstract: 本发明的截止电压的变动降低方法是通过在阴极基体(7)的表面(7a)上加热而形成使上述阴极基体(7)向前方突出变形的金属层(9)，同时在上述阴极基体(7)的前面(7a)上直接或者经由上述金属层(9)形成电子发射物质层(11)，并具有通过加热上述电子发射物质层(11)使热电子从上述电子发射物质层(11)的前面(11a)释放的加热装置(5)的电子管用阴极的截止电压的变动降低方法，通过由于上述加热装置(5)的加热引起的上述金属层(9)产生的上述阴极基体(7)向前方的突出变形，使上述电子发射物质层(11)的前面(11a)向前方突出变形因消耗上述电子发射物质层(11)的前面(11a)而后退的部分。

公开(公告)号：CN1300443A

公开(公告)日：2001-06-20

申请号：CN00800594.X

申请日：2000-04-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 白石哲也 ,  中田修平

IPC: H01J29/48

CPC classification number: H01J29/488

Abstract: 能解决传统的阴极射线管用电子枪需要大的驱动功率和用于在约45V宽度下快速驱动而产生的大量不需要的电磁波的问题的一种阴极射线管用电子枪,它包括用于将电子发射向显示面或荧光屏的阴极以及至少三个电极:加有比此阴极高的电压的G2电极、加有预定电压的Gm电极、加有比此G2电极高的电压的G3电极,这些电极都设有电子通过孔且共轴线地按照从该阴极开始的顺序排列,所引出的电子量随阴极电压的变化而变化,其中此轴线上的该Gm电极所在部分的电压中的最低电压则与此阴极电压变化范围内的最大电压一致,且从此阴极引出的电子的一部分则流入G2电极与Gm电极中之一。