公开(公告)号：CN106409897A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610617751.7

申请日：2016-07-29

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 岩崎真也 ,  龟山悟 ,  药师川裕贵

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/41 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/0664 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/417 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/872 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/41 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置在具有沟槽电极、势垒区、柱区的二极管中抑制了上部电极层的裂纹。在半导体装置中，在层间绝缘膜上形成有第一接触孔和宽度较窄的第二接触孔。在第二接触孔内配置有接触插头。跨及层间绝缘膜上、接触插头上以及第一接触孔内而配置有上部电极层。保护绝缘膜被配置在元件外部区域上。保护绝缘膜的在与沟槽交叉的方向上延伸的端部穿过多个第二接触孔的上部而延伸。阳极区与第一金属层(接触插头)相接。柱区与第一接触孔内的上部电极层相接。

公开(公告)号：CN106373882A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201610574239.9

申请日：2016-07-19

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 龟山悟 ,  岩崎真也 ,  药师川裕贵

IPC: H01L21/331

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L22/12 ,  H01L22/20 ,  H01L23/544 ,  H01L29/417 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/5446 ,  H01L29/7393

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，其防止由于在切割中产生的金属的切削屑而在半导体装置中产生损伤的情况。半导体装置的制造方法包括：在半导体基板上形成层间绝缘膜的工序；在层间绝缘膜上形成接触孔和宽度较宽的定位孔的工序；堆积膜厚厚于接触孔的宽度的二分之一且薄于定位孔的宽度的二分之一的第一金属层的工序；以定位孔的底面露出且在接触孔内残存第一金属层的方式，对第一金属层进行蚀刻的工序；根据定位孔的位置而对半导体基板进行处理的工序；对半导体基板的包括定位孔的部分进行切削的工序。

公开(公告)号：CN105981143A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201480075198.8

申请日：2014-09-08

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 龟山悟 ,  岩崎真也 ,  堀内佑树 ,  大木周平

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L27/04 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L27/0664 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L21/425 ,  H01L21/8222 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0839 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/78 ,  H01L29/8611

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置，其中，在沿着半导体基板的厚度方向而对在半导体基板(12)的表面上露出的第一导电型区域(38)中的第一导电型杂质的浓度分布进行观察时，从表面侧起形成有极大值N1、极小值N2、极大值N3、浓度N4，并满足N1＞N3＞N2＞N4的关系，且满足N3/10＞N2的关系，从表面起至具有极大值N1的深度(D1)为止的距离a与从具有极大值N1的深度(D1)起至具有极小值N2的深度(D2)为止的距离b的2倍相比较大。

公开(公告)号：CN106409897B

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201610617751.7

申请日：2016-07-29

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 岩崎真也 ,  龟山悟 ,  药师川裕贵

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/41 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/0664 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/36 ,  H01L29/417 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，所述半导体装置在具有沟槽电极、势垒区、柱区的二极管中抑制了上部电极层的裂纹。在半导体装置中，在层间绝缘膜上形成有第一接触孔和宽度较窄的第二接触孔。在第二接触孔内配置有接触插头。跨及层间绝缘膜上、接触插头上以及第一接触孔内而配置有上部电极层。保护绝缘膜被配置在元件外部区域上。保护绝缘膜的在与沟槽交叉的方向上延伸的端部穿过多个第二接触孔的上部而延伸。阳极区与第一金属层(接触插头)相接。柱区与第一接触孔内的上部电极层相接。

公开(公告)号：CN106688083A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201580052916.4

申请日：2015-08-03

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 秦裕史 ,  龟山悟 ,  岩崎真也

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/322 ,  H01L27/04 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 在半导体装置(1)中，在同一半导体基板(10)上形成有IGBT和二极管。并具备：半导体基板(10)；表面电极(11)，其被形成在半导体基板(10)的表面上；背面电极(12)，其被形成在半导体基板(10)的背面上。在半导体基板(10)上，形成有有源区(1a)、周围区(4)、结晶缺陷区(100)。在有源区(1a)中，在对所述半导体基板的表面进行俯视观察时并排设置有IGBT区(2)和二极管区(3)。在二极管区(3)中形成有：阳极区(31)，其与表面电极(11)导通；阴极区(32)，其与背面电极(12)导通；漂移区(50)，其位于阳极区(31)和阴极区(32)之间。在对半导体基板(10)的表面进行俯视观察时，周围区(4)位于有源区(1a)的周围。周围区(4)具备：p型的阱区(41)，其从半导体基板(10)的表面起到达至与阳极区(31)相比而较深的位置为止，并与表面电极(11)导通；漂移区(50)，其位于阱区(41)的背面侧，并且与二极管区(3)内的漂移区(50)连接。在结晶缺陷区(100)中被导入有复合中心，从而结晶缺陷区(100)中的复合中心的浓度与周围的复合中心的浓度相比而变得较高。结晶缺陷区(100)沿着二极管区(3)的长度方向而从二极管区(3)连续地延伸至周围区(4)为止。

公开(公告)号：CN105190897A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201380074750.7

申请日：2013-03-15

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 岩崎真也

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/4236 ,  H01L21/26513 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813

Abstract: 半导体装置具备：半导体基板，所述半导体基板包括：第一导电型的漂移层；第二导电型的体层，其被设置于漂移层的表面侧；第一导电型的第一半导体层，其被设置在体层的表面的一部分上；和沟槽栅，其从半导体基板的表面起贯穿体层以及第一半导体层并到达漂移层。沟槽栅具备被形成在沟槽的内壁上的栅绝缘膜和被配置于栅绝缘膜的内侧的栅电极。位于与半导体基板的体层相接的深度处的沟槽的内壁为半导体基板的(100)晶面。沟槽的在与长边方向垂直的短边方向上的宽度为，与成为从半导体基板的第一半导体层的下端到体层的下端为止的深度的位置处的宽度相比，成为半导体基板的表面的位置处的宽度较窄。

公开(公告)号：CN104160488A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201380001765.0

申请日：2013-03-06

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 岩崎真也

IPC: H01L21/322 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/322 ,  H01L21/263 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/266 ,  H01L29/32 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明提供一种正向电压的偏差减少方法，其为减少如下的半导体晶片的正向电压Vf的偏差的方法，所述半导体晶片为N型的半导体晶片，并且在俯视观察半导体晶片时N层中所含有的杂质的密度存在偏差。本说明书所公开的正向电压偏差减少方法为，向N型的半导体晶片照射带电粒子，从而在N层中生成缺陷以减少正向电压的偏差的方法。其中一个方式为，以在俯视观察半导体晶片时根据N层的杂质的密度而使深度方向上的到达位置或照射密度不同的方式，照射带电粒子。例如，以向半导体晶片的中央区域照射的带电粒子的晶片深度方向上的到达位置，与向半导体晶片的边缘区域照射的带电粒子的到达位置相比，较靠近于P型半导体层的方式，照射带电粒子。

公开(公告)号：CN102396056B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN200980158708.7

申请日：2009-12-15

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 岩崎真也 ,  龟井阳

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/266 ,  H01L21/76 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/861 ,  H01L21/263 ,  H01L21/266 ,  H01L21/761 ,  H01L27/0727 ,  H01L29/32 ,  H01L29/7397

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，其能够抑制杂质离子被注入的范围和带电粒子被注入的范围之间的相对位置的偏离。该半导体装置的制造方法具有：杂质离子注入工序，在将掩膜配置在杂质离子照射装置和半导体基板之间的状态下照射杂质离子；带电粒子注入工序，在将掩膜配置在带电粒子照射装置和半导体基板之间的状态下，通过照射带电粒子而形成低寿命区。从杂质离子注入工序和带电粒子注入工序的某一方开始起到杂质离子注入工序和带电粒子注入工序双方结束为止，掩膜和半导体基板之间的相对位置不发生改变。

公开(公告)号：CN102822968A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201080065840.6

申请日：2010-04-02

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 岩崎真也 ,  添野明高

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/265 ,  H01L21/322 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种二极管区和绝缘栅双极性晶体管区被形成在同一半导体基板上的半导体装置，其能够抑制绝缘栅双极性晶体管区和二极管区之间的载流子移动，从而抑制绝缘栅双极性晶体管动作时的通态电压的上升，且改善二极管的恢复特性。在二极管区(20)和绝缘栅双极性晶体管区(40)被形成在同一半导体基板上的半导体装置中，在半导体基板的背面侧，于二极管区的第二导电型的阴极区(30)和绝缘栅双极性晶体管区的第一导电型的集电区(52)之间，设置有低浓度区(100)。低浓度区(100)具有第一低浓度区和第二低浓度区中的至少某一方，所述第一低浓度区为第一导电型，且与集电区相比第一导电型的杂质浓度较低，所述第二低浓度区为第二导电型，且与阴极区相比第二导电型的杂质浓度较低。

公开(公告)号：CN105849912B

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201480071047.5

申请日：2014-11-19

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 岩崎真也 ,  亀山悟

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/263 ,  H01L21/28 ,  H01L21/322 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  H01L27/04 ,  H01L29/739

Abstract: 本申请提供一种半导体装置及其制造方法。IGBT区具备集电层、第一漂移层、第一体层、发射层和从半导体基板的表面侧起贯穿第一体层而到达第一漂移层的沟槽栅。二极管区具备阴极层、第二漂移层和第二体层。在位于沟槽栅的下端的深度与第一漂移层以及第二漂移层的表面之间的位置处的第一漂移层以及第二漂移层中，形成有包含结晶缺陷密度的峰值的寿命控制区。在半导体基板的表面侧的沟槽栅的上方还设置有氮化硅膜层。