表面处理玻璃纤维膜
    11.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104775303B

    公开(公告)日:2018-09-14

    申请号:CN201510016340.8

    申请日:2015-01-13

    Abstract: 本发明的课题在于提供一种表面处理玻璃纤维膜,为高强度且耐热性、尺寸稳定性及自立性优良,平均线性膨胀系数较低,并且高温时的贮存刚性模量较高,而且表面均匀性优良。为了解决上述课题,本发明提供一种表面处理玻璃纤维膜,其是表面经过处理的玻璃纤维膜,前述表面处理玻璃纤维膜是根据含硅化合物进行表面处理而成,且相对于未处理的玻璃纤维膜的惯用抗弯刚度的值,利用日本JIS R 3420所述的方法测定的前述表面处理玻璃纤维膜的惯用抗弯刚度的值为3倍至100倍。

    光学半导体装置用基台、其制造方法以及光学半导体装置

    公开(公告)号:CN103165794B

    公开(公告)日:2016-12-28

    申请号:CN201210544701.2

    申请日:2012-12-14

    CPC classification number: H01L2224/45144 H01L2224/48091 H01L2924/00014

    Abstract: 本发明提供光学半导体装置用基台及制造方法,用于实现机械性稳定且高耐久性、高散热性的光学半导体装置。一种光学半导体装置用基台的制造方法,光学半导体装置用基台具有多个晶片载持部,用于载持半导体晶片;多个信号连接部,电性连接于被载持的半导体晶片并向外部提供电极部;具有:准备金属框架的工序,金属框架形成有多个晶片载持部与信号连接部,信号连接部具有厚度小于多个晶片载持部的厚度的部分;制造光学半导体装置用基台的工序,以使多个晶片载持部的表面和背面同时露出且信号连接部的至少一面露出的方式,利用树脂填埋除已形成于金属框架上的多个晶片载持部与信号连接部之外的部分,且将光学半导体装置用基台形成为板状。

    真空层压装置及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN104851826A

    公开(公告)日:2015-08-19

    申请号:CN201510086886.0

    申请日:2015-02-17

    Abstract: 本发明提供一种真空层压装置,在制造半导体装置时使用,其具备框架结构,其围绕附带支撑基材的密封材料的至少侧面,附带支撑基材的密封材料是在支撑基材上积层热固化性树脂层作为密封材料而成,框架结构具有保持手段,其保持搭载有半导体元件的基板或形成有半导体元件的晶片,并使基板或晶片隔着空间地与附带支撑基材的密封材料的热固化性树脂层相对向,前述装置将被框架结构围绕的附带支撑基材的密封材料与基板或晶片一起进行真空层压。由此,尤其是即使在使用大面积的基板(或晶片)的情况下,也会抑制树脂层内的孔隙的产生和基板(或晶片)的翘曲,并且能够以低成本来制造一种精度良好地成型有树脂层的半导体装置。

    有机聚亚甲基硅硅氧烷组成物及其固化物

    公开(公告)号:CN101993540B

    公开(公告)日:2013-06-05

    申请号:CN201010258920.5

    申请日:2010-08-18

    Abstract: 本发明提供一种由具有亚甲基硅键的硅系聚合物形成的缩合固化型有机聚亚甲基硅硅氧烷,并且提供一种含有该缩合固化型有机聚亚甲基硅硅氧烷,进行固化的话,耐热性、电绝缘性、耐水性、成型加工性优异且透气性少的有机聚亚甲基硅硅氧烷组成物及其固化物。有机聚亚甲基硅硅氧烷由通式(1)表示,式中,R1彼此独立为选自未经取代或经取代碳原子数1~10的除烯基外的一价烃基、烷氧基、羟基或卤素原子中的基团,R2彼此独立为选自未经取代或经取代的碳原子数1~10的除烯基外的一价烃基、烷氧基、羟基、卤素原子或(R1)3SiCH2-中的基团,R3为氢原子、碳数1~4的烷基,k为1~100的整数,n为1~1000的整数,在1分子中具有至少2个键合于硅原子的烷氧基、羟基或卤素原子。

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