公开(公告)号：CN107452796A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710259948.2

申请日：2017-04-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏品岱 ,  江庭玮 ,  庄惠中 ,  田丽钧 ,  陈顺利

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/02

CPC classification number: H03K19/0948 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/823431 ,  H01L23/535 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0649 ,  H03K19/21 ,  H01L29/785 ,  H01L27/0207

Abstract: 本发明实施例的半导体装置包括：至少一个有源区；至少一个氧化物上覆盖金属区，形成于所述至少一个有源区的一部分上；及至少一个栅极电极，形成于所述至少一个有源区的与形成有氧化物上覆盖金属区的有源区的部分不同的一部分上。半导体装置还包括至少一个金属层，其位于所述至少一个有源区的至少一部分上，且位于半导体装置的与上面形成有所述至少一个氧化物上覆盖金属区的层及上面形成有所述至少一个栅极电极的层不同的层上。通孔形成于所述至少一个有源区上且将所述至少一个栅极电极中的一者连接至所述至少一个金属层中的一者。所述至少一个金属层用以使所述至少一个栅极电极能够连接另一个至少一个栅极电极及/或至少一个氧化物上覆盖金属区。

公开(公告)号：CN105845676A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201510437337.3

申请日：2015-07-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周庭暐 ,  吴文朗 ,  陈启通 ,  陈顺利 ,  江庭玮 ,  田丽钧

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/092 ,  H01L21/77 ,  H01L21/768 ,  H01L23/528

Abstract: 在一些实施例中，半导体器件包括第一有源区、第二有源区和导电金属结构。第二有源区与第一有源区分隔开。导电金属结构布置为连接第一有源区与第二有源区。导电金属结构包括第一支柱、第二支柱和主体。第二支柱与第一支柱分隔开且主体在第一支柱和第二支柱之间延伸并连接第一支柱和第二支柱。本发明涉及半导体器件及其布局方法。

公开(公告)号：CN102820280B

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201210005698.7

申请日：2012-01-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 鲁立忠 ,  侯元德 ,  林学仕 ,  田丽钧 ,  陈殿豪

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/7681 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/522 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/5283 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种集成电路结构包括：半导体衬底，以及位于半导体衬底上方的第一金属层。第一金属层具有第一最小间距。第二金属层位于第一金属层上方。第二金属层具有小于第一最小间距的第二最小间距。本发明还提供了一种用于集成电路的非分层式金属层。

公开(公告)号：CN104716087A

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201410765376.1

申请日：2014-12-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 曾祥仁 ,  陈威宇 ,  江庭玮 ,  田丽钧

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L24/25 ,  H01L21/743 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/8221 ,  H01L23/481 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/535 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L27/0688 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599

Abstract: 一种堆叠的集成电路包括垂直连接在一起的多层。多层水平连接结构被制造于层的衬底内。从衬底之上观察时水平连接结构的层具有不同的图案。本发明还涉及用于堆叠的CMOS器件的连接技术。

公开(公告)号：CN104715100A

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201410058877.6

申请日：2014-02-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈威宇 ,  田丽钧 ,  庄惠中 ,  江庭玮 ,  曾祥仁

IPC: G06F17/50

CPC classification number: H01L23/5226 ,  G06F17/5077 ,  H01L23/528 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/11807 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种集成电路布局包括第一金属线、第二金属线、至少一个第一导电通孔和第一导电部分。第一金属线沿着第一方向形成。至少一个第一导电通孔设置在第一金属线上方。第二金属线设置在至少一个第一导电通孔上方且与第一金属线平行。第一导电部分形成在第二金属线的一端上。

公开(公告)号：CN102737975B

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201110310542.5

申请日：2011-10-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈蓉萱 ,  陈炎辉 ,  田丽钧 ,  廖宏仁

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/32139 ,  H01L21/76816

Abstract: 一种形成集成电路的方法包括：在栅电极线的上方形成掩模层，其中，栅电极线位于半导体衬底的阱区域的上方；在掩模层中形成开口，其中，通过开口暴露栅电极线的部分和阱区域的阱拾取区域；以及通过开口去除栅电极线的这部分。本发明还公开了一种与有源区重叠的POLY切口的布局。

公开(公告)号：CN103035639A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210371496.4

申请日：2012-09-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 鲁立忠 ,  田丽钧 ,  庄惠中 ,  黄美惠

IPC: H01L27/02

CPC classification number: H01L27/0207 ,  G06F17/5068 ,  G06F17/5077 ,  H01L27/11807 ,  H01L2027/11875 ,  H01L2027/11885

Abstract: 一种设计集成电路的方法包括在第一标准单元中布置有源区域。至少一个栅电极被布线，与第一标准单元中的有源区域重叠。至少一个金属线结构被布线，与第一标准单元中的有源区域重叠。至少一个金属线结构基本上平行于栅电极。与第一标准单元中的至少一个金属线结构基本垂直地对第一供电轨道进行布线。第一供电轨道与至少一个金属线结构重叠。第一供电轨道具有与至少一个金属线结构相邻的平坦边缘。第一连接插塞被布置在第一供电轨道与第一标准单元中的至少一个金属线结构重叠的区域中。

公开(公告)号：CN102841956A

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201210005669.0

申请日：2012-01-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 鲁立忠 ,  田丽钧 ,  林学仕 ,  江哲维

IPC: G06F17/50

CPC classification number: G03F1/70 ,  G06F17/504 ,  G06F17/5072 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种方法，包括：选择出存储在非瞬态计算机可读存储介质中的单元，将多个单元布置在半导体器件的模型上，以及基于该半导体器件的模型形成该半导体器件的掩模。该单元是根据设计规则设计的，在该设计规则中第一电源连接通孔所符合的标准选自包含以下标准的组：i)第一电源连接通孔与第二电源连接通孔间隔开的距离大于使得通孔能够通过单光刻单蚀刻工艺制造的阈值距离，或者ii)第一电源连接通孔与基本上平行的第一导线和第二导线相连接，该第一导线和第二导线沿着直接邻近的轨道延伸。本发明还提供了一种单元结构及方法。

公开(公告)号：CN100395890C

公开(公告)日：2008-06-18

申请号：CN200510067848.7

申请日：2005-04-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 侯永清 ,  田丽钧 ,  萧庆和 ,  游万斌 ,  郑嘉麟 ,  鲁立忠

IPC: H01L27/00

CPC classification number: G06F1/189 ,  G11C5/063 ,  G11C5/14 ,  H01L23/5286 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明是有关于集成电路结构与提供电源电压至集成电路的方法，所述供应电压至集成电路的方法。一高电压VddH以及/或一低电压VddL可被供应至一注入单元并被导引至其余单元。电压VddH与VddL当中的每一电压是经由一第一电压供应线与一第二电压线当中之一传达。一电压选择线路导引所需电压至一注入单元。该第一与第二电压供应线较佳上是平行于该电压选择线路互相平行，而且其边缘与该电压选择线路的边缘大体上校准。形成通孔以导引该所需电压。并且较佳上，第一电压供应线是一形成于该注入单元范围外的M1导线，而该第二电压供应线是一形成于该注入单元范围内的M2导线。

公开(公告)号：CN112736027B

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN201910974639.2

申请日：2019-10-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司 ,  台积电(中国)有限公司

Inventor： 王新泳 ,  王启权 ,  田丽钧 ,  马远

IPC: H01L21/768 ,  H01L27/02 ,  H01L23/528 ,  G06F30/392

Abstract: 本公开涉及具有约束金属线布置的集成电路。一种方法包括如下步骤：将电路布局中的第一布置的金属线划分为两组金属线，第一组金属线位于外围区域中，并且第二组金属线位于中心区域中。金属线的布置被配置为电连接到电路布局的第二层的接触件。该方法包括调整中心区域中的至少一条金属线的金属线周边以形成第二布置的金属线，其中，每个经调整的金属线周边与集成电路布局的第二层中的接触件分开至少检查距离。将金属线材料沉积在集成电路的电介质层中的一组开口中，该组开口对应于第二布置的金属线。