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公开(公告)号：CN107015431A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201611063636.6
申请日：2016-11-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明根据一些实施例提供了一种用于半导体光刻工艺的装置。该装置包括具有导热表面的薄膜；多孔薄膜框架；以及将薄膜固定至多孔薄膜框架的导热粘合层。多孔薄膜框架包括从多孔薄膜框架的外表面连续延伸至多孔薄膜框架的内表面的多个孔道。本发明的实施例还涉及用于先进光刻的薄膜组件和方法。
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公开(公告)号：CN106483772A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201510860745.X
申请日：2015-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70866 , G03F7/70925
Abstract: 一种微影术系统及其使用方法，微影术系统包括一负载锁定腔室，此负载锁定腔室包括配置用以接收遮罩的开口；曝光模块，其配置用以经由使用遮罩，使半导体晶圆曝露于光源；及清洗模块，其嵌入在此微影术工具内，此清洗模块配置用以自遮罩清洗碳粒子。本发明内容可提供一种用于高级微影术技术中，保持遮罩干净且无缺陷的方法。此方法所形成的干净无缺陷遮罩，可提升微影术工艺的良率与精准度。
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公开(公告)号：CN106353962A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201510852193.8
申请日：2015-11-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/24
Abstract: 本发明提供了光刻掩模。光刻掩模包括包含低热膨胀材料(LTEM)的衬底。多层(ML)结构设置在衬底上方。ML结构配置为反射辐射。ML结构包含多个交错的膜对。每个膜对包括第一膜和第二膜。第一膜和第二膜具有不同的材料组分。每个膜对具有相应的厚度。对于多个膜对的至少一个子集，膜对的相应的厚度沿着预定方向随机地变化。本发明的实施例还涉及具有多层结构的掩模和通过使用掩模的制造方法。
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公开(公告)号：CN103777470B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310046337.1
申请日：2013-02-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/2002 , G03F7/20 , G03F7/70916 , G03F7/70933
Abstract: 提供了一种用于紫外线(UV)和远紫外线(EUV)光刻图案化的方法和装置。生成UV或EUV光束并且将它们引导至设置在工作台上且涂覆有光刻胶的衬底表面。在曝光(即，光刻操作)期间引导层状惰性气体流过并且紧邻涂覆有光刻胶的衬底表面。将惰性气体快速排出并且在曝光位置处具有短暂的共振时间。惰性气体流防止通过光刻胶除气产生的废气和其他污染物沉淀和污染光刻装置的其他部件。
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公开(公告)号：CN105319832A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510133081.7
申请日：2015-03-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/24
Abstract: 本发明公开了一种具有部分厚度辅助部件的光掩模以及用于制造该光掩模的技术。在示例性实施例中，光掩模包括掩模衬底、设置在掩模衬底上的反射结构以及设置在反射结构上的吸收层。在掩模上限定印刷部件区域和辅助部件区域。吸收层在印刷部件区域中具有第一厚度以及在辅助部件区域中具有不同于第一厚度的第二厚度。在一些这样的实施例中，配置第二厚度使得被辅助部件区域反射的辐射不超过目标的光刻胶的曝光阈值。本发明还涉及用于光刻工艺的辅助部件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104914677A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201410258190.7
申请日：2014-06-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F1/72 , G03F1/24 , G03F7/701 , G03F7/70191 , G03F7/7065
Abstract: 本发明提供了用于超紫外线光刻(EUVL)工艺的方法的一个实施例，该方法包括将掩模装载到光刻系统。该掩模包括缺陷修复区，且该掩模限定了位于其上的集成电路(IC)图案。该方法也包括根据IC图案在照明模式中设置光刻系统的照明器，根据照明模式在光刻系统中配置光瞳滤波器，以及在照明模式中通过光刻系统对具有掩模和光瞳滤波器的目标实施光刻曝光工艺。本发明也提供了制造具有增强的缺陷可修复性的集成电路的方法。
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公开(公告)号：CN104155846A
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201310456172.5
申请日：2013-09-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/00 , H01L21/3105
CPC classification number: H01L21/31144 , G03F7/095 , G03F7/2022 , H01J2237/31769 , H01J2237/31796 , H01L21/0274 , H01L21/76811 , H01L21/76895 , H01L2221/1021
Abstract: 本发明提供了一种方法，包括：在衬底上形成第一光刻胶层；在第一光刻胶层上方形成第二光刻胶层；以及对第一光刻胶层和第二光刻胶层进行光刻曝光工艺，由此在第一光刻层内形成第一潜在部件，并且在第二光刻胶层内形成第二潜在部件。本发明还提供了采用单次曝光限定多层图案的方法。
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公开(公告)号：CN104049469A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410084248.0
申请日：2014-03-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70925
Abstract: 本发明提供了一种光刻系统。该光刻系统包括配置为使用固定在掩模台上的掩模实施光刻曝光工艺的曝光模块；以及集成在曝光模块中并且设计为使用吸附机构清洗掩模和掩模台中的至少一个的清洗模块。本发明还提供了具有嵌入式清洗模块的光刻系统。
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公开(公告)号：CN101846885A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200910168480.1
申请日：2009-08-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70275 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/70291 , G03F7/70508 , H01J37/3177 , H01J2237/31762
Abstract: 本发明提供一种无掩膜光刻设备及图案化多个基材的方法。此设备包括多个写入腔室，每一写入腔室包括：一晶圆座，用以固持一待写入晶圆；以及一多波束模块，用以提供多道辐射束以对该晶圆进行写入；一接口，可在每一该些写入腔室与一阻剂涂布显影机之间传输该晶圆，以处理该晶圆的一影像层；以及一数据路径，可提供一组电路图案数据给每一该些写入腔室中该多道辐射束中的每一道辐射束。
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公开(公告)号：CN111948897B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202010806388.X
申请日：2015-03-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/24
Abstract: 本发明公开了一种具有部分厚度辅助部件的光掩模以及用于制造该光掩模的技术。在示例性实施例中，光掩模包括掩模衬底、设置在掩模衬底上的反射结构以及设置在反射结构上的吸收层。在掩模上限定印刷部件区域和辅助部件区域。吸收层在印刷部件区域中具有第一厚度以及在辅助部件区域中具有不同于第一厚度的第二厚度。在一些这样的实施例中，配置第二厚度使得被辅助部件区域反射的辐射不超过目标的光刻胶的曝光阈值。本发明还涉及用于光刻工艺的辅助部件。
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