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公开(公告)号：CN105874578A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201480071921.5
申请日：2014-12-11
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L21/8246 , H01L27/08 , H01L27/088 , H01L27/105 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/78 , H01L43/08
Abstract: 本发明的半导体装置包含第一扩散部分(22)、第二扩散部分(21)、沟道部分(23)、栅极部分(24)和应力施加部分(31、32或33)。在具有凹槽(10A)的半导体层(10)中，第一扩散部分(22)形成在凹槽(10A)的底部处或附近，第二扩散部分(21)形成在凹槽(10A)的上端处，且沟道部分(23)形成在第一扩散部分(22)与第二扩散部分(21)之间。栅极部分(24)在与沟道部分(23)相对的位置处埋入在凹槽(10A)中。应力施加部分(31、32或33)在垂直于半导体层(10)的方向上将压缩应力和拉伸应力中的一者施加到沟道部分(23)。
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公开(公告)号：CN102386196B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201110248341.7
申请日：2011-08-26
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H01L27/148
CPC classification number: H01L25/00 , H01L21/76251 , H01L23/147 , H01L23/49805 , H01L23/49822 , H01L25/0657 , H01L25/167 , H01L25/50 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/1469 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件、其制造方法和包括该半导体器件的电子装置。所述半导体器件包括：第一半导体芯片；和第二半导体芯片，其堆叠在所述第一半导体芯片上，其中所述第一半导体芯片包括第一布线部，所述第一布线部的侧面暴露在所述第一半导体芯片的侧端部处，其中，所述第二半导体芯片包括第二布线部，所述第二布线部的侧面暴露在所述第二半导体芯片的侧端部处，且其中所述第一布线部和所述第二布线部的分别暴露在所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片的所述侧端部处的所述侧面被导电层覆盖，所述第一布线部与所述第二布线部通过所述导电层彼此电连接。根据本发明，能够提高装置的制造效率、降低成本、提高装置的可靠性并能够对装置进行小型化。
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公开(公告)号：CN104718622A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201380053203.0
申请日：2013-10-10
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14645 , H01L27/14612 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/1469
Abstract: 本发明提供了一种半导体装置，其包括：第一半导体部，它包括在它一侧的第一布线层，所述第一半导体部还包括光电二极管；第二半导体部，它包括在它一侧的第二布线层，所述第一半导体部和所述第二半导体部被紧固在一起；第三半导体部，它包括在它一侧的第三布线层，所述第二半导体部和所述第三半导体部被紧固在一起以使所述第一半导体部、所述第二半导体部和所述第三半导体部被堆叠在一起；以及第一导电材料，其将(i)所述第一布线层、(ii)所述第二布线层和(iii)所述第三布线层之中的至少两者电连接，以使得被电连接的布线层处于电气通信。
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公开(公告)号：CN104425439A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410421921.5
申请日：2014-08-25
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L23/52 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L27/14643 , H01L21/76898 , H01L21/84 , H01L23/481 , H01L27/1203 , H01L27/14612 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14689 , H01L27/1469 , H01L27/228 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了半导体装置、半导体装置制造方法和半导体单元。所述半导体装置包括：半导体基板，所述半导体基板具有彼此面对的第一表面和第二表面，并且具有元件区和隔离区，所述元件区包括所述第一表面中的晶体管，并且所述隔离区包括围绕所述元件区的元件隔离层；以及接触插塞，所述接触插塞在所述半导体基板的所述隔离区中从所述第一表面延伸至所述第二表面。本发明在确保设计的灵活性的同时，能够实现更高的集成度。
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公开(公告)号：CN102054849A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201010516265.9
申请日：2010-10-22
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/335 , H04N5/374
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L21/76251 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/05 , H01L27/14632 , H01L27/14634 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14687 , H01L27/1469 , H01L31/02005 , H01L31/0203 , H01L31/02325 , H01L31/18 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48463 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01047 , H01L2924/10253 , H01L2924/12043 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2224/48 , H01L2924/01005 , H01L2924/01033 , H01L2224/45099
Abstract: 本发明提供了一种半导体装置、其制造方法以及一种电子设备，所述半导体装置具有：第一半导体部，在其一侧包括第一布线层；第二半导体部，在其一侧包括第二布线层，第一半导体部和第二半导体部被固定到一起，使得第一半导体部的第一布线层侧与第二半导体部的第二布线层侧彼此面对；导电材料，其穿过第一半导体部延伸到第二半导体部的第二布线层，且第一布线层和第二布线层通过所述导电材料电连通；以及穿过第一半导体部而延伸到第二布线层的开口，该开口不同于用于导电材料的开口。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110265414B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN201910189180.5
申请日：2013-10-10
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供了一种固体摄像装置，其包括：第一半导体部，包括第一布线层、位于与第一侧相对的第二侧的光电二极管、至少一个传输晶体管、复位晶体管和放大晶体管；第二半导体部，包括第二布线层和多个晶体管，第一和第二半导体部被紧固在一起；第三半导体部，包括第三布线层，第二和第三半导体部被紧固在一起；以及第一导体，与第一布线层和第二半导体部中的第二导体连接，其中，第二导体的一部分在第二半导体部中横向延伸，第二导体还与第二布线层和第三布线层连接，第二导体的一部分位于所述第二半导体部中与第一侧相对的第二侧，且多个晶体管在垂直方向上位于所述一部分和所述第二布线层的布线之间。
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公开(公告)号：CN105659376B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201480056283.X
申请日：2014-10-10
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L21/8246 , H01L21/8242 , H01L27/105 , H01L27/108 , H01L29/82 , H01L43/08
Abstract: 本公开涉及使得能够提供MRAM的存储器单元结构的存储器单元结构、存储器制造方法以及存储器装置，其减小连接到MTJ的牵引布线的电阻、减小存储器单元的面积并避免由于热导致的MTJ的性能退化。存储器单元包括：晶体管，其使用在通过将硅衬底加工为槽形而形成的凹部的底部中形成的第一扩散层和在凹部的两个相对侧壁部分各自的上端部中形成的第二扩散层来在两个侧壁部分中、第一扩散层和第二扩散层之间的部分处形成沟道；以及存储器元件，其设置在第一扩散层之下。第一扩散层经由在使硅衬底薄膜化之后形成的触点而电连接到存储器元件。
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公开(公告)号：CN104425496B
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201410422941.4
申请日：2014-08-25
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本发明提供了半导体装置及半导体装置制造方法，该装置和该方法能够在确保设计的灵活性的同时允许更高的集成度。该半导体装置包括：半导体基板，所述半导体基板包括彼此面对的第一表面和第二表面，所述半导体基板具有元件区和隔离区，在所述元件区中在所述第一表面上设置有晶体管，在所述隔离区中设置有围绕所述元件区的元件隔离层；接触插塞，所述接触插塞在所述半导体基板的所述元件区中从所述第一表面延伸至所述第二表面；以及绝缘膜，所述绝缘膜覆盖所述接触插塞的周围。
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公开(公告)号：CN107924873A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680048583.2
申请日：2016-08-09
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L21/8234 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L27/00 , H01L27/088 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/0688 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L21/76895 , H01L21/823475 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01L25/065 , H01L25/0657 , H01L25/07 , H01L25/074 , H01L25/167 , H01L25/18 , H01L27/088 , H01L27/0886 , H01L27/101 , H01L27/1203 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14634 , H01L27/1464 , H01L27/228 , H01L2223/6677
Abstract: 根据本发明的一个实施例的层叠体设置有：多个晶体管；第一基板；和第二基板，所述第二基板与所述第一基板层叠且电连接至所述第一基板。多个晶体管中的将以作为最低电压的第一驱动电压驱动的第一晶体管仅设置在所述第一基板和所述第二基板中的所述第一基板中，从而形成第一电路。
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公开(公告)号：CN104425496A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410422941.4
申请日：2014-08-25
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L27/228 , H01L21/76897 , H01L21/76898 , H01L21/84 , H01L21/845 , H01L23/481 , H01L27/0694 , H01L27/1203 , H01L27/1211 , H01L29/7833 , H01L29/785 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L43/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了半导体装置及半导体装置制造方法，该装置和该方法能够在确保设计的灵活性的同时允许更高的集成度。该半导体装置包括：半导体基板，所述半导体基板包括彼此面对的第一表面和第二表面，所述半导体基板具有元件区和隔离区，在所述元件区中在所述第一表面上设置有晶体管，在所述隔离区中设置有围绕所述元件区的元件隔离层；接触插塞，所述接触插塞在所述半导体基板的所述元件区中从所述第一表面延伸至所述第二表面；以及绝缘膜，所述绝缘膜覆盖所述接触插塞的周围。
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