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公开(公告)号：CN104335284B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201380027469.8
申请日：2013-05-24
申请人： 科洛斯巴股份有限公司
IPC分类号： G11C13/00
CPC分类号： G11C13/004 , G11C11/419 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C13/0097 , G11C2013/0042 , G11C2013/0052 , G11C2213/53 , G11C2213/74 , G11C2213/78 , G11C2213/79
摘要： 本发明提供一种具有高读取速度的电阻型随机存取存储器(RRAM)。在一实例中，RRAM存储器可以在一端子处通过一位线上电，并且在另一端子处连接到具有较低栅极电容(相对于该位线的电容)的晶体管的栅极。按照此布置，施加到该位线的信号能够响应于RRAM存储器处于导电状态而快速切换晶体管的栅极的状态。被配置为测量该晶体管的感测电路可以检测该晶体管的电流、电压等的变化并且从测量中确定RRAM存储器的状态。此外，由于晶体管栅极的电容较低，所以这种测量可以快速进行，大幅提高RRAM的读取速度。
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公开(公告)号：CN104335284A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201380027469.8
申请日：2013-05-24
申请人： 科洛斯巴股份有限公司
IPC分类号： G11C13/00
CPC分类号： G11C13/004 , G11C11/419 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C13/0097 , G11C2013/0042 , G11C2013/0052 , G11C2213/53 , G11C2213/74 , G11C2213/78 , G11C2213/79
摘要： 本发明提供一种具有高读取速度的电阻型随机存取存储器(RRAM)。在一实例中，RRAM存储器可以在一端子处通过一位线上电，并且在另一端子处连接到具有较低栅极电容(相对于该位线的电容)的晶体管的栅极。按照此布置，施加到该位线的信号能够响应于RRAM存储器处于导电状态而快速切换晶体管的栅极的状态。被配置为测量该晶体管的感测电路可以检测该晶体管的电流、电压等的变化并且从测量中确定RRAM存储器的状态。此外，由于晶体管栅极的电容较低，所以这种测量可以快速进行，大幅提高RRAM的读取速度。
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公开(公告)号：CN105980743B
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201480066846.3
申请日：2014-10-29
申请人： 于利奇研究中心有限公司
IPC分类号： F16H48/40
CPC分类号： G11C13/004 , G11C13/0011 , G11C13/0069 , G11C2013/0047 , G11C2013/0052 , G11C2213/33 , G11C2213/52 , H01L45/08 , H01L45/1266 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148
摘要： 在本发明的范围内，研发了一种用于读取电阻存储单元的方法，所述电阻存储单元具有两个通过离子传导电阻材料彼此间隔开的电极，所述电极可以通过施加写入电压从具有较高电阻值的稳定状态（高阻态，HRS）被转变到具有较低电阻值的稳定状态（低阻态，LRS）。根据本发明，为了读取，将读取电压作为读取脉冲来施加，其中在脉冲期间通过离子传导电阻材料被推动的离子的数目通过脉冲的高度和时长被调整为使得所述数目的离子足以从用于形成经过离子传导电阻材料的导电路径的状态出发，至少直到使用流经所述路径的电流，并且因此足以转移到具有减小的电阻值和预先给定的用于回到状态HRS的松弛时间的亚稳定状态VRS（易失性电阻状态），但是不足以转移到状态LRS。通过这种方式保证：存储单元在读取以后在任何情况下都再次处于与读取以前相同的状态。这尤其是使得由两个存储单元的反串联电路构成的存储元件能够以费破坏性方式被读取，而这不减小由所述存储元件实现大阵列的可能性。
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公开(公告)号：CN105980743A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201480066846.3
申请日：2014-10-29
申请人： 于利奇研究中心有限公司
IPC分类号： F16H48/40
CPC分类号： G11C13/004 , G11C13/0011 , G11C13/0069 , G11C2013/0047 , G11C2013/0052 , G11C2213/33 , G11C2213/52 , H01L45/08 , H01L45/1266 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148
摘要： 在本发明的范围内，研发了一种用于读取电阻存储单元的方法，所述电阻存储单元具有两个通过离子传导电阻材料彼此间隔开的电极，所述电极可以通过施加写入电压从具有较高电阻值的稳定状态（高阻态，HRS）被转变到具有较低电阻值的稳定状态（低阻态，LRS）。根据本发明，为了读取，将读取电压作为读取脉冲来施加，其中在脉冲期间通过离子传导电阻材料被推动的离子的数目通过脉冲的高度和时长被调整为使得所述数目的离子足以从用于形成经过离子传导电阻材料的导电路径的状态出发，至少直到使用流经所述路径的电流，并且因此足以转移到具有减小的电阻值和预先给定的用于回到状态HRS的松弛时间的亚稳定状态VRS（易失性电阻状态），但是不足以转移到状态LRS。通过这种方式保证：存储单元在读取以后在任何情况下都再次处于与读取以前相同的状态。这尤其是使得由两个存储单元的反串联电路构成的存储元件能够以费破坏性方式被读取，而这不减小由所述存储元件实现大阵列的可能性。
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公开(公告)号：CN105960678A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201580008219.9
申请日：2015-03-09
申请人： 英特尔公司
CPC分类号： G11C13/004 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0033 , G11C13/0035 , G11C13/0061 , G11C2013/0047 , G11C2013/0052
摘要： 本公开涉及减轻交叉点存储器中的读取干扰。设备可包括配置成选择用于存储器访问操作的目标存储器单元的存储器控制器。存储器控制器包括配置成确定在感测间隔期间是否发生骤回事件的感测模块；和配置成如果检测到骤回事件，则将逻辑1回写到存储器单元的回写模块。
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公开(公告)号：CN104956441A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201480006418.1
申请日：2014-02-12
申请人： 美光科技公司
发明人： 达尼埃莱·维梅尔卡蒂 , 里卡尔多·穆泽托
CPC分类号： G11C13/004 , G11C7/062 , G11C7/12 , G11C7/14 , G11C8/08 , G11C13/00 , G11C13/0004 , G11C13/0026 , G11C13/0028 , G11C13/0038 , G11C29/025 , G11C29/028 , G11C2013/0052 , G11C2013/0054 , G11C2029/0409 , G11C2029/1202 , G11C2029/1204 , G11C2207/063 , G11C2213/79
摘要： 本发明描述用于补偿存储器中的字线上的电压增加的设备、感测电路及方法。实例设备包含位线、耦合到所述位线的存储器单元、耦合到所述存储器单元的选择器装置、耦合到所述选择器装置的字线及耦合到所述字线的字线驱动器。所述设备进一步包含模型字线电路，其经配置以将所述字线的阻抗及所述字线驱动器的阻抗建模；及感测电路，其耦合到所述位线及所述模型字线电路。所述感测电路经配置以基于单元电流感测所述存储器单元的状态且提供指示所述存储器单元的状态的感测信号。所述感测电路经进一步配置以响应于如由所述模型字线电路建模的字线电压的增加调整位线电压。
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公开(公告)号：CN102326206B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201080008677.X
申请日：2010-02-12
申请人： 国际商业机器公司
发明人： M·M·弗兰切斯基尼 , L·拉斯特拉斯-莫塔诺 , J·P·卡里迪斯
CPC分类号： G11C13/004 , G11C11/56 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0033 , G11C2013/0052
摘要： 披露了用于读取相变存储器的减轻阻抗漂移的技术。一种构想的方法包括将多个电输入信号施加于存储单元。所述方法包括测量来自所述存储单元的、从所述多个电输入信号产生的多个电输出信号。所述方法包括计算所述多个电输出信号的取决于所述存储单元中的非晶物质的组态的不变成分。所述方法还包括根据所述不变成分确定所述存储单元的存储状态。在本发明的一个优选实施例中，所述方法还包括将所述多个电输出信号映射到多个测量区域中的一个测量区域。所述测量区域对应于所述存储单元的存储状态。
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公开(公告)号：CN104036822A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201410064481.2
申请日：2014-02-25
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： G11C13/00
CPC分类号： G11C7/00 , G11C11/24 , G11C13/0002 , G11C13/003 , G11C13/004 , G11C13/0061 , G11C13/0069 , G11C2013/0052 , G11C2013/0054 , G11C2013/0071 , G11C2213/18 , G11C2213/35 , G11C2213/73
摘要： 本发明涉及一种基于基元电容的存储基元和用于操作存储基元的方法。一种存储基元和用于操作存储基元的方法包括：在电气上串联耦合的双向存取器件和存储元件。所述双向存取器件包括隧穿电容。所述存储元件可通过施加极性彼此相反的第一和第二写入电压而编程为第一和第二状态。所述存储元件在所述第一状态的电容低于在所述第二状态的电容。读取单元读出由于施加读取电压时的压降所导致的瞬时读取电流。基于所述读取电流是大于还是小于读出阈值，判定所述存储元件是所述第一还是第二状态。所述读出阈值基于所述第一和第二状态之间的电容比率。
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公开(公告)号：CN102498521A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201080041969.3
申请日：2010-08-18
申请人： 美光科技公司
发明人： 巴斯卡尔·斯里尼瓦桑 , 古尔特杰·S·桑胡
CPC分类号： G11C13/004 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C13/0061 , G11C2013/0052 , G11C2213/72
摘要： 一些实施例包含读取存储器单元的方法。所述存储器单元具有仅在施加足够绝对值的电压达足够持续时间的情况下发生的写入操作；且以具有太短的持续时间而不足以用于所述写入操作的脉冲来实施所述读取。在一些实施例中，用于所述读取的所述脉冲可具有大于或等于用于所述写入操作的所述电压的电压绝对值。在一些实施例中，所述存储器单元可包括非欧姆装置；例如忆阻器及二极管。
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公开(公告)号：CN102326206A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201080008677.X
申请日：2010-02-12
申请人： 国际商业机器公司
发明人： M·M·弗兰切斯基尼 , L·拉斯特拉斯-莫塔诺 , J·P·卡里迪斯
CPC分类号： G11C13/004 , G11C11/56 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0033 , G11C2013/0052
摘要： 披露了用于读取相变存储器的减轻阻抗漂移的技术。一种构想的方法包括将多个电输入信号施加于存储单元。所述方法包括测量来自所述存储单元的、从所述多个电输入信号产生的多个电输出信号。所述方法包括计算所述多个电输出信号的取决于所述存储单元中的非晶物质的组态的不变成分。所述方法还包括根据所述不变成分确定所述存储单元的存储状态。在本发明的一个优选实施例中，所述方法还包括将所述多个电输出信号映射到多个测量区域中的一个测量区域。所述测量区域对应于所述存储单元的存储状态。
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