公开(公告)号：CN104465319B

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201410605937.1

申请日：2014-10-30

申请人： 深圳市华星光电技术有限公司

发明人： 李亚

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/1277 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/324 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1262 ,  H01L29/66757

摘要： 本发明提供一种低温多晶硅的制作方法及TFT基板的制作方法。所述低温多晶硅制作方法包括如下步骤：步骤1、提供一基板(1)；步骤2、在基板(1)上沉积缓冲层(2)；步骤3、在缓冲层(2)上镀一层金属网膜(3)；步骤4、在金属网膜(3)上沉积非晶硅层(4)；步骤5、对非晶硅层(4)进行快速热退火处理，非晶硅层(4)结晶、转变为多晶硅层(5)；步骤6、移除金属网膜(3)。该方法能够有效降低结晶制程温度、缩短结晶制程时间，降低大面积制备多晶硅薄膜的成本，并改善结晶效果，使晶粒更大更均匀。

公开(公告)号：CN103839826B

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201410062525.8

申请日：2014-02-24

申请人： 京东方科技集团股份有限公司

发明人： 毛雪

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  H01L29/786 ,  H01L29/08 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L21/2254 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1274 ,  H01L27/1285 ,  H01L28/60 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618

摘要： 本发明公开了一种低温多晶硅薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法，用以简化薄膜晶体管的制作工艺流程。所述方法包括在衬底基板上形成有源层、源极掺杂层、漏极掺杂层的过程；形成所述有源层、源极掺杂层、漏极掺杂层的过程包括：通过成膜工艺在衬底基板上形成非晶硅层；通过构图工艺在所述非晶硅层上至少在待形成的源极掺杂层和漏极掺杂层区域形成杂质膜层；对形成有所述非晶硅层以及杂质膜层的衬底基板进行准分子激光退火工艺，至少形成所述多晶硅层、源极掺杂层和漏极掺杂层；对所述多晶硅层进行构图工艺形成所述有源层。

公开(公告)号：CN104160456B

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201380011944.2

申请日：2013-02-28

申请人： 独立行政法人科学技术振兴机构

发明人： 下田达也 ,  李金望

IPC分类号： H01B13/00 ,  B05D5/12 ,  H01B5/14 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288

CPC分类号： H01L21/02565 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1233 ,  C23C18/1241 ,  C23C18/1245 ,  C23C18/1279 ,  C23C18/1283 ,  C23C18/1295 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/288 ,  H01L29/247

摘要： 本发明提供一种导电性膜的形成方法，其特征在于，经过下述工序：涂膜形成工序，在基板上，涂布含有1种以上的下述金属化合物以及溶剂的组合物而形成涂膜，所述金属化合物选自：选自铜、钯、铑、钌、铱、镍及铋中的金属的羧酸盐、醇盐、二酮化物及亚硝酰羧酸盐；以及氢自由基处理工序，向该涂膜供给氢自由基来进行氢自由基处理。

公开(公告)号：CN103035793B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201210520669.4

申请日：2012-10-08

申请人： 夏普株式会社

发明人： 驹田聪

IPC分类号： H01L33/12 ,  H01L33/22 ,  H01S5/02 ,  H01S5/028

CPC分类号： H01L33/007 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/12 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/173 ,  H01S2304/04 ,  H01S2304/12

摘要： 本发明公开了一种氮化物半导体器件的制造方法，该方法包括步骤：通过金属有机化学气相沉积形成具有倾斜面的第二氮化物半导体层，其中提供到金属有机化学气相沉积生长设备的生长腔中的V族元素气体对III族元素气体的摩尔流量比率设置为240或更小。

公开(公告)号：CN103730336B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201310746243.5

申请日：2013-12-30

申请人： 深圳市华星光电技术有限公司

发明人： 余威 ,  李冠政

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02686 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02444 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02532 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603

摘要： 本发明涉及定义多晶硅生长方向的方法。该定义多晶硅生长方向的方法包括：步骤1、在基板上形成缓冲层；步骤2、在该缓冲层上形成规律的石墨烯阵列；步骤3、在形成有该石墨烯阵列的该缓冲层上形成非晶硅薄膜；步骤4、经由准分子镭射退火使该非晶硅薄膜形成多晶硅。本发明定义多晶硅生长方向的方法能够控制多晶硅形成时的生长方向，进而可以提高多晶硅晶粒大小。

公开(公告)号：CN102468453B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201110337133.4

申请日：2011-10-31

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 吴在焕 ,  崔宰凡 ,  李源规 ,  张荣真 ,  陈圣铉

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L27/12 ,  H01L27/32

CPC分类号： H01L21/67115 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02678 ,  H01L21/02691 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/3244 ,  H01L2227/323

摘要： 一种激光结晶系统及使用该系统制造显示装置的方法，该系统包括：i)母基板，在该母基板中形成有非晶半导体层的第一、第二和第三显示区域沿第一方向顺序布置；ii)台子，支撑母基板并沿第一方向和垂直于第一方向的第二方向移动。该系统还包括：i)照射第一激光束的第一激光照射单元，第一激光束具有大于或等于第一、第二和第三显示区域之一在第一方向上的一侧的宽度；ii)第二激光照射单元，与第一激光照射单元隔开并照射第二激光束，第二激光束具有大于或等于第一、第二和第三显示区域之一在第一方向上的一侧的宽度，第一激光束对应第一显示区域在第一方向上的一侧的宽度且第二激光束对应第三显示区域在第一方向上的一侧的宽度。

公开(公告)号：CN102386072B

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201110228409.5

申请日：2011-08-10

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 小松立 ,  神保安弘 ,  宫入秀和

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/02532 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78672 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/78696 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1824 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明提供一种以高生产率制造电特性优良的半导体装置的方法。本发明的一个方式如下：在第一条件下在绝缘膜上形成以低微粒密度具有高结晶性的混合相微粒的晶种，然后在第二条件下使混合相微粒生长而以填埋混合相微粒的空隙的方式在晶种上形成第一微晶半导体膜，并且，在不扩大第一微晶半导体膜所包含的混合相微粒之间的空隙且形成高结晶性的微晶半导体膜的第三条件下在第一微晶半导体膜上层叠形成第二微晶半导体膜。

公开(公告)号：CN105513947A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201510861616.2

申请日：2015-12-01

申请人： 友达光电股份有限公司

发明人： 叶家宏

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/24 ,  H01L21/34 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/78696 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L21/02598

摘要： 本发明公开一种结晶氧化铟镓锌半导体层及薄膜晶体管的制造方法，该结晶氧化铟镓锌半导体层的制造方法包括下列步骤。在制作工艺温度高于摄氏200度、氧气流量高于60sccm以及氩气流量低于20sccm的条件下，通过等离子体所产生的离子轰击氧化铟镓锌溅镀靶材以于基板上形成结晶氧化铟镓锌半导体层。此外，具有所述结晶氧化铟镓锌半导体层的薄膜晶体管的制造方法亦被提出。

公开(公告)号：CN105493239A

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201380079246.6

申请日：2013-09-27

申请人： 英特尔公司

发明人： S·达斯古普塔 ,  H·W·田 ,  S·H·宋 ,  S·K·加德纳 ,  M·拉多萨夫列维奇 ,  B·舒-金 ,  R·S·周

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/0243 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/8258 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/7787

摘要： 在衬底上的沟槽中的多个台面结构上共形地沉积绝缘层。所述绝缘层填充所述台面结构外部的空间。在所述台面结构上沉积成核层。在所述成核层上沉积Ⅲ-Ⅴ材料层。Ⅲ-Ⅴ材料层在所述绝缘层上方横向生长。

公开(公告)号：CN105336670A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201410334110.1

申请日：2014-07-14

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 何作鹏 ,  赵洪波

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/481 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构的形成方法包括：提供衬底，所述衬底内形成有通孔；在所述通孔底部和侧壁表面形成非晶硅层；在所述非晶硅层表面形成阻挡层，且所述阻挡层择优取向晶面(111)；在所述阻挡层表面形成金属层，所述金属层填充满所述通孔，且所述金属层择优取向晶面(111)。本发明在硅通孔底部和侧壁表面形成非晶硅层后，在非晶硅层表面形成择优取向晶面(111)的阻挡层以及金属层，提高金属层的抗电迁移能力，降低金属层的电阻，提高半导体结构的抗电迁移能力，降低半导体结构的RC延迟效应，从而改善半导体结构的电学性能。