公开(公告)号：CN101635261A

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200910151665.1

申请日：2004-07-23

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 关口庆一 ,  肥塚纯一 ,  荒井康行 ,  山崎舜平

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L21/82 ,  H01L21/50 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L27/1214 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/127 ,  H01L29/78624 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78696 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099

摘要： 本发明的名称是“半导体器件及其制造方法”。本发明提供一种用于制造半导体器件的方法，通过该方法提供包含有源层、与有源层接触的栅极绝缘膜、和与有源层相交叠的栅电极、其间有栅极绝缘膜的晶体管；通过从一个倾斜的方向将杂质添加到有源层，将杂质添加到有源层中与栅电极相交叠且其间具有栅极绝缘膜的第一区的部分、和有源层中除了第一区外的第二区；且第二区位于相对于第一区的一个方向中。

公开(公告)号：CN100547746C

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200710006995.2

申请日：2007-02-01

申请人： 国际商业机器公司

发明人： W·R·通蒂 ,  C·J·雷登斯 ,  J·A·曼德尔曼 ,  W·H-L·马

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  H01L29/786 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L29/66772 ,  H01L29/78612 ,  H01L29/78624 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 在第一方面，提供了制造高电压晶体管的第一方法。第一方法包括步骤(1)提供包括在绝缘体上硅(SOI)层下面的绝缘层下面的体硅层的衬底；以及(2)在SOI层中形成包括晶体管的扩散区域的晶体管节点的一个或多个部分。部分晶体管节点适于将晶体管内大于约5V的电压减小至小于约3V的电压。还提供了许多其它方面。

公开(公告)号：CN100530697C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200610127181.X

申请日：2006-09-11

申请人： 统宝光电股份有限公司

发明人： 林敬伟

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L27/00

CPC分类号： H01L29/78627 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78624 ,  H01L2029/7863

摘要： 本发明公开了一种N沟道TFT以及使用该TFT的OLED显示装置和电子器件。所述N沟道TFT包含：衬底、在衬底上的有源层，其中有源层包含N型源极区域和N型漏极区域、在有源层上的栅极介电层、以及在栅极介电层上的栅极区域。重掺杂的源极区域的至少一部分位于栅极区域的下面，且轻掺杂的漏极区域的至少一部分位于栅极区域的下面。

公开(公告)号：CN100495730C

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200610068045.8

申请日：2006-03-24

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 丰田吉彦 ,  中川直紀 ,  吉野太郎

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L27/088

CPC分类号： H01L27/1214 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/78624 ,  H01L2029/7863

摘要： 本发明提供一种半导体器件和图像显示装置。本发明的半导体器件在玻璃衬底(1)上形成有氮化硅膜(2)和氧化硅膜(3)。在该氧化硅膜(3)上形成有薄膜晶体管(T)，它包括源区(45)、漏区(46)、具有规定沟道长度的沟道区(40)、具有比沟道区(40)的杂质浓度高并比源区(45)和漏区(46)的杂质浓度低的杂质浓度的LDD区(44)和GOLD区(42)、栅绝缘膜(5)和栅电极(6a)。栅电极(6a)按照与沟道区(40)和GOLD区(42)在平面上交叠的方式而形成的。据此可以得到提高了源/漏耐压的半导体器件和图像显示装置。

公开(公告)号：CN101436599A

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200810145671.1

申请日：2008-08-15

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 秋山肇

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L29/78 ,  H01L21/84 ,  H01L21/762 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/407 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/404 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/78624

摘要： 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。本发明的HVIC在硅衬底(1)的表面层叠介电层(2)和SOI活性层(3)，在SOI活性层(3)的表面形成有晶体管(4)，在晶体管(4)的周边形成有沟槽隔离区(5)。介电层(2)包括：在硅衬底(1)的表面形成的第一埋入氧化膜(10)、与元件区对置地形成在第一埋入氧化膜(10)的下方的屏蔽层(11)、在屏蔽层(11)的周边形成的第二埋入氧化膜(12)、以及在屏蔽层(11)及第二埋入氧化膜(12)的下方形成的第三埋入氧化膜(13)。因此，介电层(2)内的等电位分布曲线(PC)的密度变小，从而得到高的耐压性。

公开(公告)号：CN101375402A

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200680048427.2

申请日：2006-11-17

申请人： 丰田自动车株式会社

发明人： 泷雅人 ,  川上昌宏 ,  早川清春 ,  石子雅康

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/22 ,  H01L29/24 ,  H01L29/20 ,  H01L29/10 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/8611 ,  H01L21/266 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/20 ,  H01L29/24 ,  H01L29/402 ,  H01L29/66128 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/78624

摘要： 二极管(10)包括SOI衬底，其中堆叠有半导体衬底(20)，绝缘膜(30)和半导体层(40)。底部半导体区域(60)、中间半导体区域(53)和表面半导体区域(54)在半导体层(40)中形成。底部半导体区域(60)包括高浓度的n型杂质。中间半导体区域(53)包括低浓度的n型杂质。表面半导体区域(54)包括p型杂质。还公开了LDMOS晶体管。

公开(公告)号：CN101203960A

公开(公告)日：2008-06-18

申请号：CN200680022229.9

申请日：2006-06-14

申请人： NXP股份有限公司

发明人： 简·雄斯基 ,  安科·黑林格

IPC分类号： H01L29/861 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/7824 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0886 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/78624 ,  H01L29/861

摘要： 一种半导体器件包括至少一个有源部件(18)，具有在半导体衬底(4)的有源区(19)中的半导体衬底上的p－n结(26)。将浅沟隔离图案用于形成包含绝缘体(14)的多个纵向延伸的浅沟(12)。这些沟槽限定了浅沟(12)之间的多个纵向有源条(10)。浅沟隔离深度(dSTI)比纵向有源条的结深度(dSi)大，而有源条(10)的宽度(wSi)比p－n结的耗尽长度(ldepi)小。

公开(公告)号：CN101110432A

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200710136637.3

申请日：2007-07-18

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 永田一志 ,  中川直纪 ,  今村卓司

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/36 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/78696 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78612 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78624

摘要： 本发明提供性能稳定的薄膜晶体管阵列基板、其制造方法及显示装置。本发明的一种形态的薄膜晶体管阵列基板是一种具备半导体层(22)和栅电极(24)的薄膜晶体管阵列基板，该半导体层(22)具有形成在绝缘基板(21)上的第1导电型的源极区域(221)、第1导电型的漏极区域(222)以及配置在源极区域(221)和漏极区域(222)之间的沟道区域(223)，该栅电极(24)则隔着栅极绝缘膜(23)配置在沟道区域(223)的对面；沟道区域(223)含有在膜厚方向上以预定分布导入的第2导电型杂质；在沟道区域(223)与绝缘基板(21)的界面附近或绝缘基板(21)一侧具有第2导电型杂质的最大浓度点。

公开(公告)号：CN101040388A

公开(公告)日：2007-09-19

申请号：CN200580035043.2

申请日：2005-10-13

申请人： 皇家飞利浦电子股份有限公司

发明人： 扬·J·科宁 ,  扬-哈姆·尼兰 ,  约翰内斯·H·H·A·埃格伯斯 ,  马尔腾·J·斯韦恩伯格 ,  阿尔弗雷德·格雷克斯特 ,  阿德里安娜·W·鲁迪克休泽

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/7824 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78624

摘要： 一种包括绝缘体上半导体(SOI)衬底的PMOS器件，所述SOI衬底具有在其上提供n型半导体材料的有源层(24)的绝缘材料层(22)。通过扩散将p型源极和漏极区(14、16)设置在n型有源层(22)中。将p型栓塞(28)设置在源极区(14)处，该栓塞穿过有源半导体层(24)延伸至绝缘层(22)。提供栓塞(28)以便能够将施加到器件上的源极电压显著地偏移到衬底电压以上，而不会发生过大的泄漏电流。

公开(公告)号：CN1870261A

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN200610087838.4

申请日：2006-05-26

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 松嵜隆德

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L21/768 ,  G06K19/07

CPC分类号： H01L23/5225 ,  H01L23/552 ,  H01L27/124 ,  H01L27/13 ,  H01L29/78624 ,  H01L29/78633 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供了一种用来以低成本和高成品率制造性能和可靠性更高的半导体器件的方法。本发明的半导体器件具有第一绝缘层上的第一导电层；第一导电层上的第二绝缘层，此第二绝缘层包括延伸到第一导电层的开口；以及形成在第二绝缘层上用来将集成电路部分电连接到天线的信号布线层，和邻近信号布线层的第二导电层。第二导电层通过开口与第一导电层相接触，且第一导电层重叠信号布线层，以第二绝缘层插入其间。