公开(公告)号：CN1723567A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN200380105463.4

申请日：2003-12-02

申请人： 先进互连技术有限公司

发明人： 迈克尔·H·麦克雷甘 ,  谢菲杜尔·伊斯拉姆 ,  里柯·森南托尼欧

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L23/544 ,  H01L23/495 ,  H01L23/28 ,  H01L21/44 ,  H01L21/70 ,  H01L21/46

CPC分类号： H01L23/3107 ,  H01L24/48 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 一个封装(10)包括具有一个电活性表面(16)和一个相反背面表面(14)的一个集成电路设备(12)。一个电介质模制树脂(26)至少部分包裹了所述集成电路模片和多个导电引线(20)，其中所述背面表面(14)和所述多个电接触(24)外露在所述封装(10)的诸个相反面上。特征(30)被形成在所述集成电路模片(12)的非电活性部分中，以封住水汽通路和减轻封装应力。所述特征(30)的形成是通过对齐一个锯街(48)部分并且穿过所述晶片(40)的背面(56)形成一个槽沟(54)，所述槽沟(54)具有第一宽度；以及形成一个从所述槽沟(54)延伸到所述电活性表面(42)的通道(62)，从而单片化所述集成电路设备元件，所述通道(62)具有小于所述第一宽度的第二宽度。

公开(公告)号：CN1180926A

公开(公告)日：1998-05-06

申请号：CN97111639.3

申请日：1997-04-07

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 崔镇邦

IPC分类号： H01L21/365 ,  H01L21/46

CPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/02 ,  Y10S438/907 ,  Y10S438/908

摘要： 在半导体晶片上淀积膜的方法包括:用第一运送盒的第一组晶片装载淀积设备,淀积第一种材料。淀积第一膜后取出第一片晶片,装载另一晶片。然后在其余和增加的晶片上淀积第二膜。取出第二晶片,把另一晶片装入设备。如果设备具有N个分散头,则重复上述步骤,直到全部晶片均已装载,且第N个晶片已淀积具有期望厚度的复合膜。当最后晶片已经经历了最终淀积后终止淀积步骤,卸下最后晶片和第一运送盒的第一到N－1片晶片。

公开(公告)号：CN118448270A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410609550.7

申请日：2024-05-16

申请人： 衢州市人民医院(衢州中心医院)

发明人： 张金中 ,  王桂芳 ,  洪子安 ,  程志立 ,  高照潭 ,  赵灿 ,  国洪志 ,  胡志高 ,  褚君浩

IPC分类号： H01L21/34 ,  H01L21/42 ,  H01L21/477 ,  H01L21/46 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78

摘要： 本发明涉及可逆的极性调控场效应晶体管及其制备方法，步骤如下：1)剥离少层的硒化铟薄片；2)利用二维材料定向转移辅助平台将硒化铟薄片转移至清洗干净的硅/二氧化硅衬底上；并制备金电极，此时所制备的晶体管沟道区域硒化铟载流子极性为n型，随后利用紫外臭氧对沟道表面进行处理，晶体管随着紫外臭氧处理的时间会从n型先转变至双极型最后完全转变为p型。所制备的p型晶体管性能稳定；在高温下退火，所述晶体管可从p型重新回到n型。使用本发明的方法制备的晶体管，其载流子极性可以任意切换，并丰富了p型材料库。

公开(公告)号：CN114263902B

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN202111469260.X

申请日：2021-12-03

申请人： 苏州智程半导体科技股份有限公司

发明人： 万帮勇 ,  刘国强 ,  吴求

IPC分类号： H01L21/46

摘要： 本发明提供了一种混合蒸汽发生系统，包括蒸汽发生装置，浓度补偿装置，以及输送管道；蒸汽发生装置包括第一蒸汽输出通道，第一蒸汽输出通道通过流道控制元件与输送管道连通；浓度补偿装置包括载气补偿管路；控制流道控制元件，以将蒸汽发生装置中产生的小于预设浓度阈值的混合蒸汽作为载气源，经输送管道和载气补偿管路注入浓度补偿装置以进行二次反应。采用该混合蒸汽发生系统，使其所供给的混合蒸汽浓度稳定，从而得到较好的干燥效果。

公开(公告)号：CN115424940A

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN202211026540.8

申请日：2022-08-25

申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院

发明人： 常晶晶 ,  袁海东 ,  苏杰 ,  林珍华 ,  高香香 ,  张进成 ,  郝跃

IPC分类号： H01L21/46 ,  H01L21/02 ,  C01B32/194

摘要： 一种表面P型氧化镓的制备方法，在衬底上生长氧化镓层，然后通过表面功能化生长制备单层极性氢氟化石墨烯，最后采用转印聚合物对极性氢氟化石墨烯进行二次转移调整方向之后，转移到氧化镓层上，构建形成氧化镓/极性氢氟化石墨烯异质结界面，利用异质结界面强烈的电荷转移获得无晶格受损的表面P型氧化镓。本发明摒弃了传统的离子掺杂工艺，采用异质工程转移自对准工艺制备表面P型氧化镓，降低了成本，简化了工艺。本发明通过界面电荷转移效率实现氧化镓表面的电子抽取和空穴注入，不会阻碍载流子的输运特性。本发明通过异质工程制备的P型氧化镓，通过界面强烈的电荷转移实现，对氧化镓表面进行有效的空穴注入，从而实现更加有效的P型氧化镓。

公开(公告)号：CN114141630A

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN202111452356.5

申请日：2021-12-01

申请人： 济南晶正电子科技有限公司

发明人： 王金翠 ,  张涛 ,  张秀全 ,  连坤 ,  刘桂银

IPC分类号： H01L21/425 ,  H01L21/46 ,  H01L29/24

摘要： 本申请公开了一种二次离子注入薄膜晶圆方法、复合薄膜及电子元器件，所述方法包括：准备薄膜晶圆与非同质衬底晶圆；对所述薄膜晶圆执行两次离子注入处理，其中第一次离子注入的深度与第二次离子注入的深度差值为20nm‑200nm，得到包含余质层、第一注入层、第二注入层和薄膜层四层结构的薄膜晶圆注入片；对所述薄膜晶圆注入片与所述非同质衬底晶圆执行键合，得到键合体；对所述键合体执行热处理，得到分离气泡层；在所述分离气泡层处剥离掉所述余质层，使得所述余质层与所述薄膜层分离，得到复合薄膜。本申请通过二次离子注入，使薄膜晶圆和衬底晶圆不会产生较大热膨胀系数的差异，也就不会导致薄膜层炸裂，进而提高了薄膜晶圆的成品良率。

公开(公告)号：CN107403732A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201710477261.6

申请日：2017-06-21

申请人： 武汉华星光电半导体显示技术有限公司

发明人： 王选芸

IPC分类号： H01L21/46 ,  H01L21/34

摘要： 本发明提供一种改善氧化物半导体薄膜晶体管阈值电压的方法。该方法通过对氧化物半导体薄膜晶体管进行预设次数的弯折或对氧化物半导体薄膜晶体管进行弯折并保持预设的时长，利用弯折使得所述氧化物半导体层压缩或拉伸，进而改变氧化物半导体薄膜晶体管的沟道中原子间的距离，使得氧化物半导体层中的原子间成键轨道和反键轨道之间的能量差值改变，最终将氧化物半导体薄膜晶体管的阈值电压调控到合适的范围内，达到改善氧化物半导体薄膜晶体管阈值电压的目的。

公开(公告)号：CN102668050A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN200980162606.2

申请日：2009-11-25

申请人： 英特尔公司

发明人： C·杨 ,  J·钱 ,  H·吴

IPC分类号： H01L21/46

CPC分类号： H01L23/585 ,  H01L23/481 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： 本发明涉及在微电子器件晶片（100）的刻道附近形成多个穿硅过孔保护环（130）。该微电子器件晶片（100）包括衬底（114），其中通过形成延伸完全穿过所述衬底（114）的过孔（132）来制造穿硅过孔保护环（130）。该穿硅过孔保护环（130）起到裂纹（124）抑制装置的作用，从而大体上减少或消除由微电子晶片的切割所导致的裂纹（124）引起的缺陷。

公开(公告)号：CN100544040C

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200710040285.1

申请日：2007-04-29

申请人： 上海理工大学

发明人： 李毅 ,  胡双双 ,  蒋群杰 ,  武斌

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/46 ,  H01L21/465

摘要： 碲化镉材料表面氧化膜层的处理工艺，是将碲化镉材料先用丙酮、无水乙醇、去离子水清洗后，经溴和无水乙醇溶液腐蚀，再用乳酸和乙二醇溶液进行表面处理，可获得氧化物极少甚至无氧化物的碲化镉表面。可大大提高碲化镉光伏探测器列阵的光电性能、成品率和可靠性，整个工艺过程简单，操作方便，重复性好，实用性强，对人体基本无伤害。可广泛用于碲化镉材料表面的制备和碲化镉光电器件的制造。

公开(公告)号：CN100492595C

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200580020377.2

申请日：2005-05-19

申请人： 飞思卡尔半导体公司

发明人： 戴维·P.·曼西尼 ,  杨·纯 ,  威廉·J·道克什 ,  唐纳德·F·韦斯顿 ,  斯蒂文·R·杨 ,  罗伯特·W·拜尔德

IPC分类号： H01L21/301 ,  H01L21/46

CPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/78 ,  Y10S438/977

摘要： 根据具体实施方式，公开了一种处理半导体衬底的方法，从而减薄衬底，并且通过普通的工艺将衬底上形成的小片分成单个。在衬底的背侧上形成沟槽区(42、43)。对背侧的各向异性蚀刻导致了衬底减薄同时保持沟槽深度，从而便于将管芯分成单个。