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公开(公告)号：CN102237347A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201110099131.6
申请日：2011-04-20
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L24/49 , H01L23/3121 , H01L24/32 , H01L24/40 , H01L24/41 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/072 , H01L2224/32225 , H01L2224/40225 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2224/4943 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01068 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明的目的在提供一种在使用无铅焊料和传递模塑树脂的情况下在与未使这些的功率块之间确保互换性的功率块以及使用该功率块的功率半导体模块。本发明的功率块具有：绝缘基板；导体图形，形成在该绝缘基板上；功率半导体芯片，利用无铅焊料固定在该导体图形上；多个电极，与该功率半导体芯片电连接并且向该绝缘基板的上方延伸；传递模塑树脂，以覆盖该导体图形、该无铅焊料、该功率半导体芯片以及该多个电极的方式形成。并且，该多个电极在与该传递模塑树脂的外表面中的导体图形正上方方向的外表面相同的平面上露出。
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公开(公告)号：CN100479186C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200510088226.2
申请日：2005-07-29
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/70
CPC classification number: H01L29/0661 , H01L29/0619 , H01L29/0834 , H01L29/74
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种为降低恢复损耗而能够使阳极电极区域的杂质扩散深度减小的功率半导体器件。备有半导体衬底(1)、栅极电极区域(控制电极区域)(2)、阴极电极区域(第一主电极区域)(3)、阳极电极区域(第二主电极区域)(4)以及护圈(5)。半导体衬底(1)从剖视图看具有侧面部，该侧面部具有与主面大致垂直地形成的垂直部(1a)和与该垂直部(1a)连接的台面部(1b)。栅极电极区域(2)形成在半导体衬底(1)的第一主面(1c)内。阴极电极区域(3)形成在栅极电极区域(2)的表面内的一部分上。阳极电极区域(4)形成在半导体衬底(1)的第二主面(1d)内。护圈(5)形成在半导体衬底(1)的第二主面(1d)内，并包围阳极电极区域(4)。
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公开(公告)号：CN110137140B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201910107599.1
申请日：2019-02-02
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/13 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 本发明的目的在于提供能够实现功率模块的可靠性和散热性的提高的技术。功率模块(202)具备：凹状的基座板(1)，其具有谷部(9)；至少1个绝缘基板(4)，其配置于基座板(1)的谷部(9)；至少1个半导体芯片(5)，其搭载于至少1个绝缘基板(4)之上；以及封装树脂(7)，其对基座板(1)的谷部(9)侧的面、至少1个绝缘基板(4)以及至少1个半导体芯片(5)进行封装。
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公开(公告)号：CN114391176A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN201980100046.1
申请日：2019-09-11
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 目的在于提供对由热应力造成的金属图案的变形进行抑制而使相对于热循环的可靠性提高的半导体装置。半导体装置包含绝缘基板、金属图案、微小化区域及半导体芯片。金属图案设置于绝缘基板的上表面。微小化区域设置于金属图案的表面的至少一部分区域。该微小化区域包含比该表面的至少一部分区域之外的金属图案所包含的金属的晶粒小的晶粒。半导体芯片安装于金属图案的微小化区域。
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公开(公告)号：CN108713250B
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN201680082881.3
申请日：2016-03-03
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 目的在于提供能够适当地实现小型化的压力接触型的电力用半导体装置及电力用半导体核心模块。各电力用半导体核心模块具有：多个电力用半导体芯片，它们包含在俯视观察时相邻的多个自消弧型半导体元件及多个二极管；以及多个第1弹簧，它们配置于上侧金属板与导电性覆盖板之间。各电力用半导体核心模块的多个自消弧型半导体元件在俯视观察时沿L字型、十字型以及T字型中的任一种线排列。
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公开(公告)号：CN104798194A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201380060012.7
申请日：2013-12-20
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L23/3737 , H01L23/08 , H01L23/3121 , H01L23/36 , H01L23/4334 , H01L23/482 , H01L23/495 , H01L23/49558 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/49586 , H01L23/49838 , H01L23/49861 , H01L23/564 , H01L29/1602 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L2224/2929 , H01L2224/32245 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/0665 , H01L2924/00
Abstract: 得到散热性提高并且绝缘性提高的半导体器件。半导体器件具备：半导体元件(2)；引线框(4)，半导体元件(2)与该引线框的一个面接合；第1绝缘层(5)，配置于引线框(4)的另一个面；以及金属基体板(6)，隔着所述第1绝缘层(5)而与引线框(4)连接，其中，所述第1绝缘层的外周部比所述金属基体板的外周部靠内部，包括引线框(4)的外周部的电场集中部位的所述第1绝缘层(5)的外周部被具有比所述第1绝缘层(5)更高耐湿性和更高绝缘性的第2绝缘层(7)覆盖。
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公开(公告)号：CN102005419B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201010268811.1
申请日：2010-08-27
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L23/3121 , H01L21/565 , H01L24/28 , H01L24/29 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/072 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2224/49 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01068 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/10272 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的目的在于提供一种无需严格管理内部部件或模具的尺寸的电极向上露出结构的功率用半导体装置及其制造方法。本发明的功率用半导体装置具有：绝缘基板(1)；电路图案(6)，形成在绝缘基板(1)上表面；功率用半导体(7)，形成在电路图案(6)上；多个金属制插座电极端子(8)，直立形成在电路图案(6)或功率用半导体(7)上，并且，与外部端子导通；一体式树脂制套筒(10)，分别从上部与多个金属制插座电极端子(8)嵌合的两端开口的多个套筒部(9)成为一体；模塑树脂(16)，覆盖绝缘基板(1)、电路图案(6)、功率用半导体(7)、电极端子(8)、一体式树脂制套筒(10)。
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公开(公告)号：CN102237332A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201110108351.0
申请日：2011-04-28
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 山口义弘
CPC classification number: H01L23/3107 , H01L23/3735 , H01L23/4334 , H01L23/49531 , H01L23/49811 , H01L24/01 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/72 , H01L24/73 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/49109 , H01L2224/73265 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01068 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/19107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。半导体装置（1）具有：基板（2），具有导电体（2a）；半导体芯片（3），配置在基板（2）上并且与导电体（2a）电连接；管状电极（4），一端部与导电体（2a）电连接；密封树脂（5），对基板（2）、半导体芯片（3）以及电极（4）进行密封。电极（4）以如下方式构成：在利用密封树脂（5）进行密封之前的状态下，能够在基板（2）与半导体芯片（3）层叠的层叠方向上伸缩，电极（4）的另一端部（42）的前端部（42a）从密封树脂（5）中露出，电极（4）具有在另一端部（42）的前端部（42a）开口的中空空间（6）。由此，能够得到小型化的半导体装置及其制造方法。
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