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公开(公告)号：CN1964011A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200610146346.8
申请日：2006-11-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/603 , H01L21/00 , H01L21/66 , G06K19/077
CPC classification number: B32B41/00 , B32B2309/12 , B32B2309/72 , B32B2519/02 , H01L21/67144 , H01L21/6835 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L2221/6835 , H01L2221/68368 , H01L2224/2919 , H01L2224/838 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/0104 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01044 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01054 , H01L2924/0106 , H01L2924/01067 , H01L2924/01068 , H01L2924/0107 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01076 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/0665 , H01L2924/0781 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/19043 , H01L2924/00 , H01L2924/01014 , H01L2924/01028
Abstract: 本发明的技术方案是：在压力检测薄膜上设置衬底；在衬底上选择性地设置元件组，以使提供在衬底上且用作天线的导电膜与提供在元件组且用作凸块的导电膜重叠；通过施加压力压合衬底和元件组，使形成在衬底上的导电膜和提供在元件组且用作凸块的导电膜电连接；以及当压合时，通过由压力检测薄膜检测施加到元件组的压力值和压力分布，并且基于检测的压力值和压力分布来控制当压合时施加的压力。
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公开(公告)号：CN1893050A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610099778.8
申请日：2006-06-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 高桥秀和
IPC: H01L23/488 , H01L23/522 , G06K19/077
CPC classification number: H01L27/13 , H01L27/124 , H01L27/1266 , H01L27/1288 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体器件，其中包括在具有晶体管的叠层体中的第一导电层和基板上的第二导电层是电连接起来的。在本发明的半导体器件中设置有使包括在具有晶体管的叠层体中的第一导电层(例如，设置在与晶体管所包括的栅电极相同的层上的导电层；设置在与连接于晶体管的源极或漏极的源极布线或漏极布线相同的层上的导电层；设置在与连接于源极布线或漏极布线的布线相同的层上的导电层等)和设置在基板上的第二导电层(例如，起到天线或连接布线的作用的导电层)电连接的导电层。
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公开(公告)号：CN1873964A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610087707.6
申请日：2006-05-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L23/488 , H01L27/12 , H01L21/60 , H01L21/84 , G06K19/077
CPC classification number: H01L23/66 , H01L23/49855 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的半导体器件包括晶体管、形成在晶体管上的绝缘层、通过形成在绝缘层中的开口部与晶体管的源极区域或漏极区域电连接的第一导电层(相当于源极布线或漏极布线)、形成在绝缘层和第一导电层上的第一树脂层、通过形成在第一树脂层中的开口部与第一导电层电连接的含有导电粒子的层、以及设置有第二树脂层和用作天线的第二导电层的衬底。在具有上述结构的半导体器件中，第二导电层与第一导电层电连接，其中间夹有含有导电粒子的层。此外，第二树脂层形成在第一树脂层上。
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公开(公告)号：CN101471349B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200810189727.3
申请日：2008-12-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/76254 , H01L27/1214 , H01L29/66772 , H01L2224/48091 , H01L2224/48464 , H01L2224/73265 , H01L2924/12044 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的之一在于减少起因于外部压力的半导体集成电路的破损。此外，本发明还有一个目的是提高薄型化半导体集成电路的制造成品率。其方法如下：使用从单晶半导体衬底分离的单晶半导体层作为半导体集成电路所具有的半导体元件，然后以树脂层覆盖设置有半导体集成电路的被较薄地形成的衬底，在切断工序中在支撑衬底上形成用来切断半导体元件层的槽并在形成有槽的支撑衬底上设置树脂层，然后将树脂层以及支撑衬底在槽部进行切断以将其切割成多个半导体集成电路。
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公开(公告)号：CN101919057B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200980103053.3
申请日：2009-01-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/146 , H01L21/301 , H01L23/12 , H01L27/14 , H01L29/786 , H01L31/10
CPC classification number: H01L31/0232 , H01L27/1214 , H01L27/1266 , H01L27/1277 , H01L27/1462 , H01L31/02162 , H01L2224/11
Abstract: 提供了一种由外部应力引起的诸如裂缝、裂口或缺口之类的损伤减少的半导体器件。此外，提高了具有小厚度的半导体器件的生产率。该半导体器件包括：具有台阶状侧面的透光衬底，其在该台阶上方且较靠近一个表面的部分中的宽度小于其在该台阶下方的部分中的宽度；设置在该透光衬底的另一表面上的半导体元件层；以及第一透光树脂层和第二透光树脂层的叠层，其覆盖该透光衬底的该一个表面和侧面的一部分。第一透光树脂层和第二透光树脂层中的一个具有彩色。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1866548B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200610082461.3
申请日：2006-05-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/08 , H01L27/144 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1055 , H01L31/02162 , H01L31/022408 , H01L31/02325
Abstract: 本发明提供一种光电转换装置，其中漏电流得到抑制。本发明的光电转换装置包括：衬底上的第一电极；第一电极上的光电转换层，该光电转换层包括具有一种导电性的第一导电层、第二半导体层以及具有与第一半导体层的导电性相反导电性的第三半导体层，其中第一电极的末端部分覆盖有第一半导体层；在第三半导体层之上提供绝缘薄膜，在该绝缘薄膜之上提供与第三半导体薄膜电连接的第二电极，该绝缘薄膜位于第三半导体薄膜和第二电极之间，且其中位于光电转换层区域中的第二半导体层的一部分和第三半导体层的一部分被去除，该区域没有覆盖绝缘薄膜。
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公开(公告)号：CN102082189A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN201010571325.7
申请日：2007-04-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/0352 , H01L31/10 , H01L27/146
CPC classification number: H01L31/035281 , H01L21/32136 , H01L21/32137 , H01L27/14643 , Y02E10/50
Abstract: 一个目的是通过逐步进行光电转换层的蚀刻，提供侧表面带不同锥角的光电转换元件。与pn光敏二极管相比，pin光敏二极管具有高响应速度，但具有大的暗电流缺陷。暗电流的一个原因被认为是通过在蚀刻中生成并沉积在光电转换层侧表面上的蚀刻残余的导电。通过形成一种结构，其中常规具有均匀表面的侧表面具有两个不同锥形，以便光电转换层具有不在同一平面的p层侧表面和n层侧表面，降低了光电转换元件的泄露电流。
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公开(公告)号：CN101919057A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN200980103053.3
申请日：2009-01-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/146 , H01L21/301 , H01L23/12 , H01L27/14 , H01L29/786 , H01L31/10
CPC classification number: H01L31/0232 , H01L27/1214 , H01L27/1266 , H01L27/1277 , H01L27/1462 , H01L31/02162 , H01L2224/11
Abstract: 提供了一种由外部应力引起的诸如裂缝、裂口或缺口之类的损伤减少的半导体器件。此外，提高了具有小厚度的半导体器件的生产率。该半导体器件包括：具有台阶状侧面的透光衬底，其在该台阶上方且较靠近一个表面的部分中的宽度小于其在该台阶下方的部分中的宽度；设置在该透光衬底的另一表面上的半导体元件层；以及第一透光树脂层和第二透光树脂层的叠层，其覆盖该透光衬底的该一个表面和侧面的一部分。第一透光树脂层和第二透光树脂层中的一个具有彩色。
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公开(公告)号：CN101034723B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200710086231.9
申请日：2007-03-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/101 , H01L27/144 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14632 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14625 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14687 , H01L27/14689 , H01L27/14692
Abstract: 本发明的目的在于获得一种可防止污染物质混入到光电转换层、分光感度特性良好、并输出电流的偏差小的光电转换装置。在包括光电转换装置的半导体装置中，获得一种可靠性高的半导体装置。本发明的提供一种半导体装置，其在绝缘表面上包括：第一电极；第二电极；在所述第一电极和第二电极之间的彩色滤光片；覆盖所述彩色滤光片的覆盖层；以及在所述覆盖层上的、包括p型半导体层、i型半导体层及n型半导体层的光电转换层，其中所述光电转换层的一个端部与所述第一电极接触，并且所述彩色滤光片的端部位于所述光电转换层的另一个端部的内侧。
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公开(公告)号：CN100580916C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200610099778.8
申请日：2006-06-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 高桥秀和
IPC: H01L23/488 , H01L23/522 , G06K19/077
CPC classification number: H01L27/13 , H01L27/124 , H01L27/1266 , H01L27/1288 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体器件，其中包括在具有晶体管的叠层体中的第一导电层和基板上的第二导电层是电连接起来的。在本发明的半导体器件中设置有使包括在具有晶体管的叠层体中的第一导电层(例如，设置在与晶体管所包括的栅电极相同的层上的导电层；设置在与连接于晶体管的源极或漏极的源极布线或漏极布线相同的层上的导电层；设置在与连接于源极布线或漏极布线的布线相同的层上的导电层等)和设置在基板上的第二导电层(例如，起到天线或连接布线的作用的导电层)电连接的导电层。
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