公开(公告)号：CN104684968B

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201380049625.0

申请日：2013-07-15

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 宋炫知 ,  朴银秀 ,  林相学 ,  郭泽秀 ,  金古恩 ,  金美英 ,  金补宣 ,  金奉焕 ,  罗隆熙 ,  裵镇希 ,  徐珍雨 ,  尹熙灿 ,  李汉松 ,  田钟大 ,  韩权愚 ,  洪承希 ,  黄丙奎

IPC: C08G77/38 ,  C08G77/26 ,  C08L83/08 ,  H01B3/46

CPC classification number: C08G77/54 ,  C08G77/60 ,  C08G77/62 ,  C09D183/02 ,  C09D183/14 ,  C09D183/16 ,  H01B3/02 ,  H01B3/303 ,  H01B3/46 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/0229 ,  H01L21/02326

Abstract: 本发明揭示改质氢化聚硅氧氮烷、组合物及其制法、绝缘层及其制法。改质氢化聚硅氧氮烷是藉由氢化聚硅氧氮烷和选自聚硅烷、聚环硅烷与硅烷低聚物的硅烷化合物的反应而制备。改质氢化聚硅氧氮烷的氮原子相较于硅原子有较小的摩尔数比，且从而，改质氢化聚硅氧氮烷可应用在用于形成氧化硅为主的绝缘层的组合物中，用以形成氧化硅为主的绝缘层时，可以显著降低膜收缩率。

公开(公告)号：CN104620326A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201380044747.0

申请日：2013-08-16

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 尹熙灿 ,  郭泽秀 ,  金美英 ,  林相学 ,  韩权愚 ,  金古恩 ,  金奉焕 ,  金相均 ,  罗隆熙 ,  朴银秀 ,  裵镇希 ,  宋炫知 ,  李汉松 ,  洪承希

IPC: H01B3/46 ,  C08L83/08

CPC classification number: C09D1/00 ,  B05D3/02 ,  B05D3/0254 ,  B05D3/0433 ,  C08G77/62 ,  C09D183/14 ,  C09D183/16 ,  H01B3/02 ,  H01B3/303 ,  H01B3/46 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02214 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02337

Abstract: 本发明提供一种用于形成氧化硅类绝缘层的组成物，其包括氢化聚硅氮烷或氢化聚硅氧氮烷，且具有浓度为1,200ppm或小于1,200ppm的环状化合物，所述环状化合物的重量平均分子量为400或小于400。所述用于形成氧化硅类绝缘层的组成物可减小氧化硅类绝缘层形成期间的厚度分布，由此减少在半导体制造制程期间的化学机械抛光(CMP)制程之后在层中的缺陷。

公开(公告)号：CN102713758A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201080060221.8

申请日：2010-12-10

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 金美英 ,  金相均 ,  赵显模 ,  高尚兰 ,  尹熙灿 ,  丁龙辰 ,  金钟涉

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/075 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0752 ,  C08G77/16 ,  C08G77/18 ,  C08L83/04 ,  C08L83/06 ,  G03F7/11 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0332

Abstract: 提供了一种抗蚀剂底层组合物，包括有机硅烷系缩聚化合物和溶剂，其中该有机硅烷系缩聚化合物包含40mol%至80mol%由以下化学式1表示的结构单元。因此，本发明涉及一种能够提供优异的图案转印特性的抗蚀剂底层组合物、利用具有优异的储存稳定性和耐蚀刻性的抗蚀剂底层、以及利用其制造半导体集成电路器件的方法。

公开(公告)号：CN102695987A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201080060384.6

申请日：2010-12-10

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 金美英 ,  金相均 ,  赵显模 ,  禹昌秀 ,  高尚兰 ,  尹熙灿 ,  李雨晋 ,  金钟涉

IPC: G03F7/11

CPC classification number: G03F7/0752 ,  G03F7/09 ,  G03F7/11

Abstract: 根据本发明的一个实施方式，一种光致抗蚀剂底层组合物，包括（A）下述化学式1表示的聚硅氧烷树脂和（B）溶剂。根据化学式1：{(SiO1.5-Y-SiO1.5)x(SiO2)y(XSiO1.5)z}(OH)e(OR1)f，所述光致抗蚀剂底层能够具有优良的储存性和耐蚀刻性，并且具有可容易控制的表面特性，以及能够使光致抗蚀剂图案稳定地形成。

公开(公告)号：CN102569060A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201110430768.9

申请日：2011-12-20

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 尹熙灿 ,  郭泽秀 ,  金奉焕 ,  裵镇希 ,  吴正堈 ,  林相学 ,  韩东一 ,  金相均 ,  李真旭

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02282 ,  B05D5/00 ,  B05D5/12 ,  B32B9/00 ,  C08G77/54 ,  C08G77/62 ,  C08L83/14 ,  C08L83/16 ,  C09D183/00 ,  C09D183/02 ,  C09D183/08 ,  C09D183/14 ,  C09D183/16 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  Y10T428/24355

Abstract: 本发明涉及形成硅氧层的组合物及其生产方法、利用其的硅氧层及生产硅氧层的方法。更具体地，本文公开了一种用于形成硅氧层的组合物，其包含选自氢化聚硅氮烷、氢化聚硅氧硅氮烷以及它们的组合中的一种，其中折算为聚苯乙烯时，重均分子量大于或等于约50000的氢化聚硅氮烷和氢化聚硅氧硅氮烷的总和的浓度范围为小于或等于约0.1wt％。当利用根据本发明的包括氢化聚硅氧硅氮烷的用于形成硅氧层的组合物来形成硅氧层时，缺陷显著减少，从而提高硅氧层所需的绝缘特性和间隙填充性能。

公开(公告)号：CN101238413B

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200580051272.3

申请日：2005-12-09

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 吴昌一 ,  鱼东善 ,  金到贤 ,  李镇国 ,  南伊纳 ,  尹熙灿 ,  金钟涉

IPC: G03F7/004

CPC classification number: G03F7/091

Abstract: 提供了一种用于平版印刷工艺的具有增透特性的硬掩膜组合物及其使用方法和用该方法制成的半导体装置。本发明提供的增透硬掩膜组合物含有：(a)含有至少一种具有如说明书中所述的式(I)单体单元的聚合物的聚合物组分；(b)交联组分：和(c)酸催化剂。

公开(公告)号：CN101770175A

公开(公告)日：2010-07-07

申请号：CN200910215519.0

申请日：2009-12-29

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 赵显模 ,  金相均 ,  禹昌秀 ,  金美英 ,  高尚兰 ,  尹熙灿 ,  李雨晋 ,  金钟涉

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0752 ,  C08G77/12 ,  C08G77/14 ,  C08G77/16 ,  C08G77/18 ,  C08G77/20 ,  C08G77/24 ,  C08G77/26 ,  C08G77/50 ,  C08G77/52 ,  C08G77/70 ,  C08K5/0008 ,  C08L83/04 ,  C08L83/14 ,  C09D183/04 ,  C09D183/14 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/09 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  G03F7/30 ,  G03F7/36

Abstract: 本发明披露了一种抗蚀剂下层组合物，其包括从以下化学式1和2中的至少一种化合物与以下化学式3～5中的至少一种化合物获得的有机硅烷缩聚产物；以及溶剂。[化学式1][R1]3Si-[Ph1]1-Si[R2]3[化学式2][R1]3Si-[Ph1]m-Ph2[化学式3][R1]3Si-CH2n-R3[化学式4][R1]3Si-R4[化学式5][R1]3Si-X-Si[R2]3在以上化学式1～5中，Ph1、Ph2、R1～R4、X、l、m和n与说明书中的定义相同。

公开(公告)号：CN103946361B

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201280055366.8

申请日：2012-10-31

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 金奉焕 ,  郭泽秀 ,  裴镇希 ,  尹熙灿 ,  林相学 ,  金相均 ,  李真旭

IPC: C11D7/50 ,  C11D7/00 ,  H01L21/306

CPC classification number: C09K13/00 ,  C08G77/62 ,  C09D183/16 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31111

Abstract: 提供一种聚硅氧氮烷氢氧化物薄膜清洗溶液，相对于清洗溶液整体包括0.01wt％至7wt％之间的选自由醇类溶剂、酯类溶剂、硅烷醇类溶剂、烷氧基硅烷类溶剂、和烷基硅氮烷类溶剂以及它们的组合组成的组中的添加剂。

公开(公告)号：CN102874813B

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201210241251.X

申请日：2012-07-11

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 朴银秀 ,  金奉焕 ,  林相学 ,  郭泽秀 ,  裵镇希 ,  尹熙灿 ,  金相均 ,  李真旭

IPC: H01L21/02 ,  C01B33/00

CPC classification number: C08G77/62 ,  C01B21/087 ,  H01L28/90

Abstract: 本发明公开了一种填充间隙的填料、其制备方法及制造半导体电容器的方法。所述填充间隙的填料包含由下列化学式1表示的化合物：[化学式1]SiaNbOcHd在化学式1中，1.96＜a＜2.68，1.78＜b＜3.21，0≤c＜0.19，且4＜d＜10。

公开(公告)号：CN104684968A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201380049625.0

申请日：2013-07-15

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 宋炫知 ,  朴银秀 ,  林相学 ,  郭泽秀 ,  金古恩 ,  金美英 ,  金补宣 ,  金奉焕 ,  罗隆熙 ,  裵镇希 ,  徐珍雨 ,  尹熙灿 ,  李汉松 ,  田钟大 ,  韩权愚 ,  洪承希 ,  黄丙奎

IPC: C08G77/38 ,  C08G77/26 ,  C08L83/08 ,  H01B3/46

CPC classification number: C08G77/54 ,  C08G77/60 ,  C08G77/62 ,  C09D183/02 ,  C09D183/14 ,  C09D183/16 ,  H01B3/02 ,  H01B3/303 ,  H01B3/46 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/0229 ,  H01L21/02326

Abstract: 本发明揭示了一种藉由氢化聚硅氧氮烷和选自聚硅烷、聚环硅烷与硅烷低聚物的硅烷化合物的反应而制备的改质氢化聚硅氧氮烷。改质氢化聚硅氧氮烷的氮原子相较于硅原子有较小的摩尔数比，且从而，改质氢化聚硅氧氮烷可应用在用于形成氧化硅为主的绝缘层的组合物中，用以形成氧化硅为主的绝缘层时，可以显著降低膜收缩率。