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公开(公告)号：CN102082157A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN201010553232.1
申请日：2010-11-22
Applicant: 索尼公司
Inventor： 藤井宣年
IPC: H01L27/146 , H04N5/225 , G03B19/02
CPC classification number: H01L27/1469 , H01L21/76251 , H01L27/1462 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14632 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/14645 , H01L27/14683 , H01L31/18 , H04N5/374 , Y10T428/24421
Abstract: 本文公开了结合基板及制造方法、固体摄像装置及制造方法、照相机。所述结合基板制造方法包括如下步骤：在半导体基板一侧表面上形成第一结合层；在支撑基板一侧表面上形成第二结合层；使所述第一结合层与所述第二结合层相互粘结；进行使所述第一结合层与所述第二结合层相互结合的热处理；并且从所述半导体基板另一侧表面对所述半导体基板进行减薄，由此形成半导体层。在该制造方法中，在所述第一结合层形成步骤和所述第二结合层形成步骤至少一者中，在所述第一结合层和所述第二结合层至少一者的表面上形成含有碳化硅或碳氮化硅的层。本发明使得通过在低温下进行结合处理时也能够制造出结合基板，并能够获得高结合强度。
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公开(公告)号：CN110649053B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN201910872906.5
申请日：2015-01-26
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H01L31/0203
Abstract: 本技术涉及防止水分侵入芯片的技术。各种示例性实施方案包括图像传感器，所述图像传感器包括：基板；叠置在所述基板上的多个层；所述多个层包括光电二极管层，多个光电二极管形成在所述光电二极管层的表面上；所述多个层包括形成有凹槽的至少一个层，使得所述至少一个层的一部分被挖掘；和形成在所述光电二极管层的上方并形成在所述凹槽中的透明树脂层。本技术可以适用于例如图像传感器。
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公开(公告)号：CN110610951B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN201910872243.7
申请日：2015-01-26
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本技术涉及防止水分侵入芯片的技术。各种示例性实施方案包括图像传感器，所述图像传感器包括：基板；叠置在所述基板上的多个层；所述多个层包括光电二极管层，多个光电二极管形成在所述光电二极管层的表面上；所述多个层包括形成有凹槽的至少一个层，使得所述至少一个层的一部分被挖掘；和形成在所述光电二极管层的上方并形成在所述凹槽中的透明树脂层。本技术可以适用于例如图像传感器。
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公开(公告)号：CN110649052A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910872242.2
申请日：2015-01-26
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本技术涉及防止水分侵入芯片的技术。各种示例性实施方案包括图像传感器，所述图像传感器包括：基板；叠置在所述基板上的多个层；所述多个层包括光电二极管层，多个光电二极管形成在所述光电二极管层的表面上；所述多个层包括形成有凹槽的至少一个层，使得所述至少一个层的一部分被挖掘；和形成在所述光电二极管层的上方并形成在所述凹槽中的透明树脂层。本技术可以适用于例如图像传感器。
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公开(公告)号：CN110190076A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910445485.8
申请日：2014-03-14
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 一种半导体装置，包括：第一基板，具有暴露第一电极和第一绝缘膜的接合表面；绝缘薄膜，覆盖该第一基板的该接合表面；以及第二基板，具有暴露第二电极第二绝缘膜的接合表面，在该第二基板的该接合表面和该第一基板的该接合表面接合在一起并在该第二基板的该接合表面和该第一基板的该接合表面之间夹设该绝缘薄膜的状态下该第二基板接合到该第一基板，该第一电极和该第二电极将该绝缘薄膜的一部分变形并且破坏以使该第一电极和该第二电极彼此直接电连接。还公开了半导体装置的制造方法。
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公开(公告)号：CN104620385B
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201380031398.9
申请日：2013-06-11
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/369
Abstract: 本公开的目的是改善半导体装置例如其中层叠多个基板的具有三维结构的固态成像设备中的耐热性、扩散阻力和可靠性。再者，本公开涉及半导体装置、半导体装置的制造方法以及包括半导体装置的电子装置。本公开的半导体装置包括第一基板和第二基板，该第一基板包括第一层间绝缘膜和第一配线层，第一配线层具有从第一层间绝缘膜突出预定量的第一连接电极，第二基板包括第二层间绝缘膜和第二配线层，第二配线层具有从第二层间绝缘膜突出预定量的第二连接电极。在第一基板和第二基板之间的贴合表面上，第一连接电极和第二连接电极彼此接合，并且同时在层叠方向上彼此面对的第一层间绝缘膜的至少一部分和第二层间绝缘膜的一部分彼此接合。
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公开(公告)号：CN105793988A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201580002735.0
申请日：2015-01-26
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本技术涉及防止水分侵入芯片的技术。各种示例性实施方案包括图像传感器，所述图像传感器包括：基板；叠置在所述基板上的多个层；所述多个层包括光电二极管层，多个光电二极管形成在所述光电二极管层的表面上；所述多个层包括形成有凹槽的至少一个层，使得所述至少一个层的一部分被挖掘；和形成在所述光电二极管层的上方并形成在所述凹槽中的透明树脂层。本技术可以适用于例如图像传感器。
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公开(公告)号：CN103503122A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201280021467.3
申请日：2012-05-16
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L21/3205 , H01L21/02 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L25/00 , H01L27/00 , H01L27/14
CPC classification number: H01L23/498 , H01L23/49866 , H01L23/522 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/08 , H01L24/80 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L2224/05547 , H01L2224/05571 , H01L2224/0603 , H01L2224/06131 , H01L2224/06133 , H01L2224/0616 , H01L2224/06517 , H01L2224/08123 , H01L2224/08147 , H01L2224/80357 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2225/06513 , H01L2225/06565 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/12043 , H01L2924/13091 , H01L2224/05552 , H01L2924/00 , H01L21/7684
Abstract: 第一半导体装置包括：第一配线层，它包括第一层间绝缘膜、第一电极焊盘和第一虚设电极，第一电极焊盘埋在第一层间绝缘膜内并且具有与第一层间绝缘膜的一个表面在同一面上的一个表面，和第一虚设电极埋在第一层间绝缘膜内，具有与第一层间绝缘膜的上述一个表面在同一面上的一个表面，并且在第一电极焊盘的周围配置；和第二配线层，它包括第二层间绝缘膜、第二电极焊盘和第二虚设电极，第二电极焊盘埋在第二层间绝缘膜内，具有与第二层间绝缘膜的一个表面在同一表面上的一个表面，并且与第一电极焊盘接合，和第二虚设电极具有与第二层间绝缘膜的更靠近第一层间绝缘膜的表面在同一面上的一个表面，在第二电极焊盘的周围配置，并且与第一虚设电极接合。第二半导体装置包括：包括第一电极的第一半导体部，第一电极在更靠近接合界面的表面上形成并在第一方向上延伸；和包括第二电极并被配置成在所述接合界面处与第一半导体部贴合的第二半导体部，第二电极与第一电极接合并在与第一方向交叉的第二方向上延伸。
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公开(公告)号：CN110190076B
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN201910445485.8
申请日：2014-03-14
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 一种半导体装置，包括：第一基板，具有暴露第一电极和第一绝缘膜的接合表面；绝缘薄膜，覆盖该第一基板的该接合表面；以及第二基板，具有暴露第二电极第二绝缘膜的接合表面，在该第二基板的该接合表面和该第一基板的该接合表面接合在一起并在该第二基板的该接合表面和该第一基板的该接合表面之间夹设该绝缘薄膜的状态下该第二基板接合到该第一基板，该第一电极和该第二电极将该绝缘薄膜的一部分变形并且破坏以使该第一电极和该第二电极彼此直接电连接。还公开了半导体装置的制造方法。
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公开(公告)号：CN110211979B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN201910468930.2
申请日：2014-03-14
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/768 , H01L23/485 , H01L21/60 , H04N5/225
Abstract: 一种半导体装置，包括：第一基板，具有暴露第一电极和第一绝缘膜的接合表面；绝缘薄膜，覆盖该第一基板的该接合表面；以及第二基板，具有暴露第二电极第二绝缘膜的接合表面，在该第二基板的该接合表面和该第一基板的该接合表面接合在一起并在该第二基板的该接合表面和该第一基板的该接合表面之间夹设该绝缘薄膜的状态下该第二基板接合到该第一基板，该第一电极和该第二电极将该绝缘薄膜的一部分变形并且破坏以使该第一电极和该第二电极彼此直接电连接。还公开了半导体装置的制造方法。
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