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公开(公告)号：CN101203947A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200680022184.5
申请日：2006-06-21
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/78 , H01L29/49
CPC分类号： H01L29/66636 , H01L21/28079 , H01L29/495 , H01L29/66545 , H01L29/7834
摘要： 本发明涉及一种互补型金属氧化物半导体集成电路，其可以形成有PMOS器件，而该PMOS器件可利用替代金属栅极及抬高的源极漏极形成。抬高的源极漏极可以由掺杂了P型的外延沉积锗硅材料形成。替代金属栅极过程产生了金属栅电极，并且可能会涉及到氮化物蚀刻阻止层的去除。
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公开(公告)号：CN101076888A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200580023444.6
申请日：2005-07-08
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L21/8238
CPC分类号： H01L21/823842
摘要： 通过在先前由被图案化的栅极结构占据的沟槽中沉积金属层来形成互补金属氧化物半导体金属栅极晶体管。在一个实施例中，被图案化的栅极结构可由多晶硅形成。金属层可以具有最适用于形成一种类型的晶体管的功函数，但用于形成n和p型这两种晶体管。金属层的功函数可以被转化，例如通过离子注入以使其最适用于形成相反类型的晶体管。
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公开(公告)号：CN101027770A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200580032440.4
申请日：2005-09-16
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L21/8234 , H01L21/336 , H01L21/8238
CPC分类号： H01L21/823437 , H01L21/823828
摘要： 一种互补金属氧化物半导体集成电路可以由NMOS晶体管和PMOS晶体管形成，所述这些晶体管具有在半导体衬底之上的高介电常数的栅极电介质材料。金属阻挡层可以形成在栅极电介质上。功函数设定金属层形成在金属阻挡层上，并且覆盖金属层形成在功函数设定金属层上。
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公开(公告)号：CN101006579A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200580028560.7
申请日：2005-07-29
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/092 , H01L21/28114 , H01L21/823842 , H01L21/82385 , H01L29/66545
摘要： 在金属栅替代工艺中，可形成至少两个多晶硅层或其它材料的叠层。可在该叠层上形成侧壁隔片。然后可将叠层平坦化。接着，可选择性地去除该叠层的上层。然后，可选择性地去除侧壁隔片的暴露部分。最后，可去除叠层的下部以形成可用金属替代填充的T形沟槽。
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公开(公告)号：CN1977387A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200580021607.7
申请日：2005-06-08
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/04 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/785 , H01L21/76243 , H01L21/76254 , H01L21/76256 , H01L29/045 , H01L29/66772
摘要： 提供了一种高迁移率半导体组件。在一个示范方面，高迁移率半导体组件包括具有位于第一衬底上 晶面位置处的第一参考定向的第一衬底和在第一衬底顶部形成的第二衬底。第二衬底具有位于第二衬底上 晶面位置处的第二参考定向，其中第一参考定向与第二参考定向对准。在另一个示范方面，第二衬底具有位于第二衬底上 晶面位置处的第二参考定向，其中在第二参考定向相对于第一参考定向偏移大约45度的情况下，第二衬底在第一衬底上方形成。
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公开(公告)号：CN1873922A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200510129150.3
申请日：2005-11-02
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L21/283 , H01L21/336 , H01L29/40 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/28079 , H01L21/28088 , H01L21/28097 , H01L21/28194 , H01L21/823842 , H01L21/823857 , H01L29/4966 , H01L29/66545
摘要： 描述了一种制造半导体器件的方法。该方法包括：在衬底上形成高k栅介质层，在该高k栅介质层上形成阻挡层，和在该阻挡层上形成全硅化物栅电极。
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公开(公告)号：CN101133498B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200680006840.2
申请日：2006-01-03
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/338
CPC分类号： H01L29/66871 , H01L29/7784
摘要： 可以利用置换金属栅极法来形成量子阱晶体管或高电子迁移率晶体管。可以利用虚拟栅极来定义侧壁间隔物和源漏接触金属。可以移除虚拟栅极，并利用剩余结构作为掩模来蚀刻掺杂层以形成与所述开口自对准的源极和漏极。高介电常数材料可以涂覆所述开口的侧面，然后可以沉积金属栅极。结果，源极和漏极得以与金属栅极自对准。此外，金属栅极通过该高介电常数材料而与下面的阻挡层隔离。
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公开(公告)号：CN102637741A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210110878.1
申请日：2005-10-28
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/08 , H01L27/088 , B82Y10/00 , B82Y30/00
CPC分类号： H01L29/0847 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L21/76 , H01L21/823418 , H01L21/823425 , H01L21/823481 , H01L27/088 , H01L29/0895 , H01L29/66636 , H01L29/78 , H01L29/7834
摘要： 本发明的名称为应用金属氧化物半导体工艺的共振隧穿器件，其中的一实施例涉及具有低截止漏电流的半导体器件的制造方法。第一器件的栅极结构形成在具有硬掩模的衬底层上。沟道在栅极结构下面形成并具有一定宽度用于支撑栅极结构。在衬底层上淀积一层氧化物或介电层。在氧化物层上淀积一层掺杂多晶硅层。在第一器件与相邻器件之间的掺杂多晶硅层上形成一凹陷结区。
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公开(公告)号：CN101641772B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200880009695.2
申请日：2008-03-21
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L27/10873 , H01L27/10826 , H01L29/785
摘要： 一种片上存储单元包括三栅存取晶体管(145)和三栅电容器(155)。片上存储单元可以是三维三栅晶体管和电容器结构上的嵌入式DRAM，它与现有三栅逻辑晶体管制造工艺完全兼容。本发明的实施例使用高垂直面纵横比和固有的较大表面积的三栅晶体管，从而用反向模式三栅电容器来替换商品DRAM中的“沟槽”电容器。三栅晶体管的高侧壁提供了足够大的表面积，以在小的单元面积上提供存储电容。
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公开(公告)号：CN101622705B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200880006469.9
申请日：2008-03-28
申请人： 英特尔公司
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115
CPC分类号： H01L21/8249 , H01L21/28273 , H01L27/0705 , H01L29/0821 , H01L29/66825 , H01L29/73 , H01L29/7606 , H01L29/7881
摘要： 一种异质BiMOS注入系统包括形成在衬底上的MOSFET晶体管和形成在衬底内的异质双极晶体管。该双极晶体管可以用于将电荷载流子注入到MOSFET晶体管的浮栅中。这是通过操作所述MOSFET晶体管以在其沟道区中形成反型层以及操作所述双极晶体管以将少数电荷载流子从衬底驱动到所述MOSFET晶体管的浮栅中来实现的。衬底为所述双极晶体管提供硅发射极和含硅锗的基极。反型层为所述双极晶体管提供硅集电极。
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