公开(公告)号：CN1963946A

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200610091210.1

申请日：2006-06-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金元柱 ,  边成宰 ,  朴允童 ,  李殷洪 ,  金锡必 ,  玄在雄

IPC: G11C11/56 ,  G11C16/02 ,  H01L27/115

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C11/5678 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0004 ,  G11C16/0416 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11568

Abstract: 本发明提供了一种混合型非易失性存储器，其可以处理高容量的数据，其中减少了用于处理单元位数据的单元面积。该存储器包括具有源极、漏极和控制栅极的晶体管。第一存储节点连接到晶体管以根据晶体管控制栅极的操作存储电荷。第一字线连接到晶体管的控制栅极，且第一位线连接到晶体管的漏极。二极管具有连接到晶体管的源极的一端以整流来自晶体管源极的电信号，且第二存储节点连接到二极管的另一端以存储电阻变化。第二位线连接到第二存储节点，且第二字线连接到晶体管的源极。

公开(公告)号：CN1925119A

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN200610126323.0

申请日：2006-08-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金锡必 ,  朴允童 ,  金元柱 ,  朴东健 ,  赵恩锡 ,  成锡江 ,  崔炳镕 ,  金泰瑢 ,  李忠浩

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/84 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10879 ,  H01L27/1159 ,  H01L27/2436 ,  H01L29/66795

Abstract: 提供了制造半导体器件的方法，所述半导体器件所包括的鳍型FET结构提供主体偏压控制，表现出与SOI结构相关的某些特征优点，提供增大的工作电流和/或降低的接触电阻。所述的制造半导体器件的方法包括：在第一绝缘膜的突出部分的侧壁上形成绝缘分隔体；通过以绝缘分隔体作为蚀刻掩模去除半导体衬底的暴露区域而形成第二沟槽，并由此形成与第一绝缘膜接触并由其支撑的鳍。在形成鳍之后，形成填充第二沟槽并支撑所述鳍的第三绝缘膜。之后，去除第一绝缘膜的一部分，以开放鳍之间的空间，在所述空间内可以形成包括栅极电介质、栅电极和额外接触、绝缘和存储节点结构的额外结构。

公开(公告)号：CN1901201A

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN200610108020.6

申请日：2006-07-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金元柱 ,  金锡必 ,  朴允童 ,  李殷洪 ,  玄在雄 ,  边成宰 ,  李政勋

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/7881 ,  G11C16/0483 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明提供了一种非易失存储装置及其制备方法，其通过减小每个位的面积和控制主体偏压而具有提高的集成度并/或提高的性能。该非易失存储装置可以使用至少一对鳍的外侧表面和/或上表面的表面部分作为至少一对沟道区域，该至少一对鳍从主体突出并彼此间隔开地沿一个方向延伸。至少一个控制栅电极可以形成来跨过该沟道区域，并且至少一对存储节点可以插入在控制栅电极和沟道区域之间的至少一个部分。

公开(公告)号：CN1652336A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN200510056566.7

申请日：2005-01-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申尚旻 ,  具俊谟 ,  金锡必 ,  赵重来

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/82 ,  H01L21/28 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L28/65 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/55

Abstract: 本发明提供了一种电容器、包括该电容器的存储器件，以及制造该电容器和该存储器件的方法。该电容器包括下电极，形成在下电极上的介质膜，以及形成在介质膜上的上电极，该下电极是由贵金属合金构成的单层。

公开(公告)号：CN1869811B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200610092874.X

申请日：2006-05-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金锡必 ,  宋利宪 ,  朴永洙 ,  张丞爀 ,  金勋

IPC: G03F1/14 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26 ,  H01L21/00

CPC classification number: G21K1/062 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F1/24

Abstract: 本发明公开了一种用于极远紫外(EUV)光刻的反射掩模和制作该反射掩模的方法，其中，该反射掩模包括：基板，以多层结构形成在基板上并包含反射EUV光线的材料的下反射层，以多层结构形成在下反射层上和反射EUV光线的上反射层，在下反射层和上反射层之间形成为预定图案的相位反转层，该相位反转层引起来自上反射层的反射光线与来自下反射层的反射光线之间的破坏性干涉。这减少了阴影效应的影响，并且可以消除不必要的EUV光线，使得在掩模上设计的图案能够精确地投影到硅晶片上。由于相位反转层具有与反射层和吸收层的材料完全一样的材料，掩模制作过程能够简易地处理。

公开(公告)号：CN101615656A

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200910136928.1

申请日：2009-04-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 具俊谟 ,  金锡必 ,  尹泰应

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/1021 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/249 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明提供了一种非易失性存储装置及其制造方法。所述非易失性存储装置可以以堆叠的结构延伸，因此可以高度集成。所述非易失性存储装置包括：至少一个第一电极；至少一个第二电极，与所述至少一个第一电极交叉；至少一个数据存储层，设置在所述至少一个第一电极和所述至少一个第二电极之间，并在所述至少一个第一电极与所述至少一个第二电极交叉的区域处；至少一个金属硅化物层，设置在所述至少一个第一电极和所述至少一个第二电极之间，并在所述至少一个第一电极和所述至少一个第二电极交叉的区域处。

公开(公告)号：CN101447502A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200810212778.3

申请日：2008-09-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 陈暎究 ,  朴允童 ,  金元柱 ,  李承勋 ,  金锡必

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  H01L21/82 ,  G11C16/10 ,  G11C16/26

CPC classification number: G11C5/02 ,  G11C5/025 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/249 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146

Abstract: 本发明提供了一种可以具有堆叠结构并可以以增大的密度容易地集成的非易失性存储装置以及制造该非易失性存储装置和使用该非易失性存储装置的方法。所述非易失性存储装置可以包括至少一对第一电极线。至少一条第二电极线可以在所述至少一对第一电极线之间。至少一个数据存储层可以在所述至少一对第一电极线和所述至少一条第二电极线之间，并可以局部地存储电阻变化。

公开(公告)号：CN101409290A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200810144944.0

申请日：2008-08-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金锡必 ,  朴允童 ,  金德起 ,  金元柱 ,  陈暎究 ,  李承勋

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  G11C16/10 ,  G11C16/26

CPC classification number: H01L27/115 ,  G11C16/0483 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/8221 ,  H01L21/84 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11578 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/42336 ,  H01L29/42344 ,  H01L29/42352 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833

Abstract: 本发明提供一种非易失性存储装置及其操作方法和制造方法。所述非易失性存储装置可以包括至少一个半导体层、多个控制栅电极、多个电荷存储层、至少一个第一辅助电极和/或至少一个第二辅助电极。多个控制栅电极可以凹陷到半导体层中。多个电荷存储层可以在多个控制栅电极和半导体层之间。第一和第二辅助电极可以布置成彼此面对。多个控制栅电极可以在第一和第二辅助电极之间，第一和第二辅助电极可以与半导体层电容式结合。

公开(公告)号：CN100463181C

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200510076258.0

申请日：2005-05-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴永洙 ,  李正贤 ,  赵重来 ,  具俊谟 ,  金锡必 ,  申尚旻

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L28/91 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L28/65

Abstract: 提供了一种存储设备的电容器及其制造方法，用于实现高集成度的半导体存储设备并保持优良的疲劳特性。在具有晶体管结构的存储设备的电容器中，电容器包括形成在晶体管结构的掺杂区上的、包括金属电极和金属氧化物电极的下部电极，围绕下部电极的铁电层，和形成在铁电层上的上部电极。

公开(公告)号：CN101246891A

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN200810009914.9

申请日：2008-02-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金元柱 ,  具俊谟 ,  金锡必 ,  朴允童

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/7926

Abstract: 本发明提供了一种非易失性存储装置及其制造方法，在该非易失性存储装置中，沟道长度有效地增加并且高集成度是可能的。在该非易失性存储装置中，半导体装置可包括：有源区，通过器件隔离膜限定，有源区可包括至少一个突起部分；成对的控制栅电极，可以覆盖至少一个突起部分的两个侧表面，并可彼此分隔开；成对的电荷存储层，可以位于至少一个突起部分的两个侧表面和成对的控制栅电极之间。