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公开(公告)号：CN109314039B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN201780024022.3
申请日：2017-01-25
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/683 , H01L21/67 , H05H1/46 , H01J37/32
Abstract: 提供了一种用于加热的基板支撑基座的方法及装置。在一个实施例中，该加热的基板支撑基座包括：主体，包括陶瓷材料；多个加热元件，封装在该主体内。柱耦合至该主体的底面。多个加热器元件、顶电极及屏蔽电极安置在该主体内。该顶电极安置在该主体的顶面附近，而该屏蔽电极安置在该主体的该底面附近。导电杆被安置成穿过该柱且耦合至该顶电极。
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公开(公告)号：CN109716497B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201780057399.9
申请日：2017-09-13
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本公开文本的实施总的来说涉及半导体处理腔室，并且更具体地涉及用于半导体处理腔室的被加热的支撑基座。在一个实施方式中，公开一种基座组件，且所述基座组件包括：基板支撑件，所述基板支撑件包括介电材料并具有用于接收基板的支撑表面；电阻加热器，所述电阻加热器被封装在所述基板支撑件内；空心轴，所述空心轴在所述轴的第一端处耦接至所述基板支撑件的支撑构件；以及导热材料，所述导热材料被设置在位于所述支撑构件与所述轴的所述第一端之间的界面处。
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公开(公告)号：CN113166939B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN201980078392.4
申请日：2019-10-24
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/505 , C23C16/503 , H01L21/67 , H01L21/02
Abstract: 本公开内容的实施方式总体提供用于真空腔室的气体扩散器组件的设备和方法，气体扩散器组件包括安装板，安装板包括中心部；复数个弯曲辐条，从中心部在径向方向中延伸；角板部，耦接于中心部与这些弯曲辐条的每个弯曲辐条之间，这些角板部的每个角板部具有凸弯曲部，设置于轴向方向中；和一个或多个安装孔，耦接于这些弯曲辐条。
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公开(公告)号：CN114121760A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111151942.6
申请日：2016-08-02
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 林兴 , 周建华 , Z·J·叶 , 陈建 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯
IPC: H01L21/683 , C23C16/44 , C23C16/513 , C23C16/458
Abstract: 公开了一种静电卡盘。所述静电卡盘包括：主体，所述主体耦合到支撑杆，所述主体具有基板支撑表面；肩部，所述肩部从所述主体的基板支撑表面突出，其中绕所述主体的周边设置所述肩部；内部电极，所述内部电极嵌入在所述主体内，所述内部电极从所述主体的中心径向地延伸到邻近所述肩部的区域；以及外部电极，所述外部电极嵌入在所述主体内，所述外部电极径向地设置在所述内部电极的外部，并且所述外部电极相对地设置在所述内部电极上方的一高度处。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112368802A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201980044799.5
申请日：2019-07-18
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/02 , H01L51/00 , H01L51/56 , H01L21/67 , C23C16/455
Abstract: 本公开内容涉及用于原子层沉积(ALD)腔室的方法和设备。在一个实施方式中，提供一种盖组件，所述盖组件包括：多通道喷头，所述多通道喷头具有多个第一气体通道和与所述第一气体通道中的每一者流体地隔离的多个第二气体通道；和流引导件，所述流引导件耦接到所述多通道喷头的相对侧，所述流引导件中的每一者流体地耦接到所述多个第二气体通道。
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公开(公告)号：CN107675143B
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201710941749.X
申请日：2015-05-19
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/48 , C23C16/509 , C23C16/517 , H01J37/32
Abstract: 本发明涉及包括双通道喷头的装置。本文所公开的实施方式总体包括一种用于电介质膜的基于自由基的沉积的装置。该装置包括：处理腔室；自由基源，所述自由基源被耦接到处理腔室；基板支撑件，所述基板支撑件设置在处理腔室中；以及双通道喷头，所述双通道喷头设置在自由基源与基板支撑件之间。双通道喷头包括多个管道和内部容积，所述内部容积围绕所述多个管道。多个管道和内部容积被嵌在双通道喷头中的一个或多个环形通道围绕。双通道喷头进一步包括：第一入口，所述第一入口被连接到所述一个或多个通道；以及第二入口，所述第二入口被连接到内部容积。处理腔室可以是PECVD腔室，并且该装置能够执行循环工艺(交替进行基于自由基的CVD和PECVD)。
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公开(公告)号：CN108885973A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201780022341.0
申请日：2017-02-20
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 林兴 , 周建华 , 刘宁利 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯
IPC: H01L21/02 , H01L21/205 , H05H1/46 , H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/324
CPC classification number: H01J37/32724 , C23C14/50 , C23C16/4586 , C23C16/46 , C30B23/063 , C30B25/10 , C30B25/12 , H01J37/32532 , H01J37/32577 , H01J37/32715
Abstract: 本公开的实施例大体上涉及半导体处理腔室中的基板支撑组件。半导体处理腔室可以是PECVD腔室，所述PECVD腔室包含具有基板支撑件和耦合至所述基板支撑件的心轴的基板支撑组件。RF电极被嵌入至所述基板支撑件中并且杆耦合至所述RF电极。所述杆由钛(Ti)或由涂覆有金(Au)、银(Ag)、铝(Al)或铜(Cu)的镍(Ni)制成。由Ti或涂覆有Au、Ag、Al或Cu的Ni制成的杆具有降低的电阻率和增加的趋肤深度，其最小化当RF电流行进通过所述杆时的热产生。
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公开(公告)号：CN108292600A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680052365.6
申请日：2016-07-25
Applicant: 应用材料公司
Inventor： S·巴苏 , J·李 , P·康纳斯 , D·R·杜鲍斯 , P·K·库尔施拉希萨 , K·T·纳拉辛哈 , B·贝伦斯 , K·高希 , 周建华 , G·巴拉苏布拉马尼恩 , K·D·李 , J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 , H·小木曾 , L·克里武莉娜 , R·吉尔伯特 , M·瓦卡尔 , V·山卡拉姆茜 , H·K·波内坎蒂
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/3213
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32009 , H01J37/32357 , H01J37/32366 , H01J37/3244 , H01J37/32633 , H01J37/32715 , H01J2237/334 , H01L21/6708 , H01L21/67201 , H01L21/68785
Abstract: 本文公开的实现描述一种在装载锁定斜面蚀刻腔室内的斜面蚀刻设备及其使用方法。所述斜面蚀刻设备具有在装载锁定斜面蚀刻腔室内的掩模组件。在蚀刻处理期间，掩模组件传输气体流，以控制斜面蚀刻，而无需使用阴影框。如此，在所述斜面边缘处的所述边缘排除可被减少，由此提高产品的良率。
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公开(公告)号：CN107675143A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201710941749.X
申请日：2015-05-19
Applicant: 应用材料公司
IPC: C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/48 , C23C16/509 , C23C16/517 , H01J37/32
Abstract: 本发明涉及包括双通道喷头的装置。本文所公开的实施方式总体包括一种用于电介质膜的基于自由基的沉积的装置。该装置包括：处理腔室；自由基源，所述自由基源被耦接到处理腔室；基板支撑件，所述基板支撑件设置在处理腔室中；以及双通道喷头，所述双通道喷头设置在自由基源与基板支撑件之间。双通道喷头包括多个管道和内部容积，所述内部容积围绕所述多个管道。多个管道和内部容积被嵌在双通道喷头中的一个或多个环形通道围绕。双通道喷头进一步包括：第一入口，所述第一入口被连接到所述一个或多个通道；以及第二入口，所述第二入口被连接到内部容积。处理腔室可以是PECVD腔室，并且该装置能够执行循环工艺(交替进行基于自由基的CVD和PECVD)。
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