公开(公告)号：CN107548515B

公开(公告)日：2019-10-15

申请号：CN201680023407.3

申请日：2016-03-16

Applicant: 应用材料公司

Inventor： D·R·杜鲍斯 ,  K·高希 ,  祝基恩 ,  M·G·库尔卡尼 ,  S·巴录佳 ,  王彦杰 ,  S·金

IPC: H01J37/32 ,  C23C16/44

Abstract: 提供一种处理腔室，该处理腔室包括侧壁，具有外突出部分的基板支撑件及基板支撑件下方的气体入口。处理腔室进一步包括第一衬垫，第一衬垫绕基板支撑件的外突出部分的底表面设置。第一衬垫具有内表面，该内表面通过第一间隙而与基板支撑件的外突出部分分隔。处理腔室进一步包括流动隔离环，该流动隔离环具有内部底表面与外部底表面，该内部底表面设置于该基板支撑件的该外突出部分上，该外部底表面相对于该内部底表面向外延伸，该外部底表面覆盖在该第一间隙之上。

公开(公告)号：CN107980172A

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201680047305.5

申请日：2016-07-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·W·蒋 ,  P·P·杰哈 ,  韩新海 ,  金柏涵 ,  金相赫 ,  朱明勋 ,  朴亨珍 ,  金伦宽 ,  孙镇哲 ,  S·格纳纳威路 ,  M·G·库尔卡尼 ,  S·巴录佳 ,  M·K·莎莱扎 ,  J·K·福斯特

IPC: H01L27/11582 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11575

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/76801 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11575 ,  H01L29/06

Abstract: 本公开的实施例一般涉及一种用于形成介电膜堆栈的改进方法，该介电膜堆栈用于3D NAND结构中的层间电介质(ILD)层。在一个实施例中，该方法包括提供具有栅堆栈沉积于其上的基板，使用第一RF功率及第一处理气体在该栅堆栈的暴露表面上形成第一氧化层，第一处理气体包含TEOS气体与第一含氧气体，及使用第二RF功率与第二处理气体在该第一氧化层上形成第二氧化层，第二处理气体包含硅烷气体与第二含氧气体。

公开(公告)号：CN106653674A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201610972233.7

申请日：2016-11-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： K·高希 ,  M·G·库尔卡尼 ,  S·巴录佳 ,  P·P·贾 ,  K·尼塔拉

IPC: H01L21/687

CPC classification number: H01L21/68742 ,  C23C16/4581 ,  H01L21/68757

Abstract: 本文公开的实施方式总体提供一种可改善升降杆区域上方的沉积速率和均匀膜厚度的升降杆。在一个实施方式中，所述升降杆包括具有第一末端和通过轴耦接至第一末端的第二末端的升降杆，所述第一末端包括具有顶表面的杆头，其中所述顶表面是平面且平坦的；以及将杆头耦接至轴的扩口部分，所述扩口部分具有沿着相对于升降杆的纵轴成约110°至约140°的角度的方向延伸的外表面。

公开(公告)号：CN102844854B

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201080055563.0

申请日：2010-12-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 叶立耀 ,  T·A·M·恩古耶 ,  D·R·杜鲍斯 ,  S·巴录佳 ,  T·诺瓦克 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  周建华

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/683 ,  H01L21/205 ,  C23C16/458

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/68792

Abstract: 本发明的实施例大致关于半导体处理腔室，且更明确地，关于半导体处理腔室的加热支撑基座。在一个实施例中，提供半导体处理腔室的基座。基座包括：基板支撑件，基板支撑件包括导电材料并具有接收基板的支撑表面；电阻式加热器，密封于基板支撑件中；中空轴，在第一端耦接至基板支撑件并在相反端耦接至相配接口，中空轴包括具有中空核心的轴主体；及冷却通道组件，环绕中空核心并配置于轴主体中，以通过内部冷却路径从基座移除热量，其中基板支撑件具有位于加热元件与环形冷却通道之间的热控制间隙。

公开(公告)号：CN104471688A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201380038399.6

申请日：2013-06-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： M·查布拉 ,  S·A·亨德里克森 ,  S·巴录佳 ,  清原勉 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  A·T·迪莫斯

IPC: H01L21/3115 ,  H01L21/324

CPC classification number: C23C16/4405 ,  B05D3/066 ,  C23C14/00 ,  C23C16/56 ,  G02B1/00 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/76825

Abstract: 本发明的实施例提供在紫外线(UV)处理腔室内固化超低k介电薄膜的方法。在一个实施例中，该方法包括：在沉积腔室中在基板上沉积超低k介电层，以及在UV处理腔室中使该沉积的超低k介电层进行UV固化工艺。该方法包括：通过使氧气和净化气体以约1:50000至约1:100的流动速率流入该UV处理腔室来稳定该UV处理腔室。在该掺氧净化气体流动时，使该基板曝露于UV辐射，以固化该沉积的超低k介电层。本发明掺氧净化固化工艺提供了替代路径来建立超低k介电材料的硅-氧网络，从而加速交联效率，而且不会明显影响该沉积的超低k介电材料的膜性质。

公开(公告)号：CN103400627A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201310386155.9

申请日：2009-10-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： Y-H·杨 ,  T·A·恩古耶 ,  S·巴录佳 ,  A·卡祖巴 ,  J·C·罗查 ,  T·诺瓦克 ,  D·W·何

IPC: G21K1/06 ,  B82Y10/00

CPC classification number: G21K1/062 ,  B82Y10/00 ,  G21K2201/064 ,  G21K2201/065 ,  G21K2201/067

Abstract: 一种用于紫外线灯的反射器，该紫外线灯可在基材处理设备中使用。该反射器包含在该紫外线灯长度上延伸的纵向带。该纵向带具有一弯曲反射表面并且包含数个通孔以将冷却剂气体导向该紫外线灯。在此亦描述使用具有反射器的紫外线灯模块的腔室以及紫外线处理的方法。

公开(公告)号：CN103229277A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201180056998.1

申请日：2011-11-21

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·巴录佳 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  A·T·迪莫斯

IPC: H01L21/26 ,  H01L21/3105

CPC classification number: G02B5/22 ,  G02B5/208 ,  H01L21/67115

Abstract: 提供用以提供遍布基板表面的均匀UV辐射照射轮廓的方法与装置。在一实施例中，一种基板处理工具包括：处理腔室，该处理腔室定义处理区域；基板支撑件，该基板支撑件用以支撑基板在该处理区域内；紫外线(UV)辐射源，该UV辐射源和该基板支撑件隔离，且该UV辐射源被配置成朝向设置在该基板支撑件上的该基板传输紫外线辐射；以及光透输窗口，该光透射窗口设置在该UV辐射源与该基板支撑件之间，该光透射窗口具有被涂覆在该光透射窗口上的光学膜层。在一示例中，该光学膜层在径向方向上具有非均匀厚度轮廓，其中该光学膜层在该光透射窗口的周边区域处的厚度比在该光学膜层的中心区域处的厚度相对更厚。

公开(公告)号：CN103109357A

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201180044541.9

申请日：2011-09-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·巴录佳 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  A·T·迪莫斯 ,  T·诺瓦克 ,  J·周

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/263

CPC classification number: C23C16/56 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/482 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67742 ,  Y10T137/0391

Abstract: 本发明的实施例通常提供用于控制处理腔室内的气流分布的装置及方法。在一个实施例中，处理工具包括：紫外线处理腔室，该紫外线处理腔室界定处理区域；基板支撑件；窗口，该窗口设置于UV辐射源与该基板支撑件之间；以及透明喷洒器，该透明喷洒器设置于该窗口与该基板支撑件间的处理区域内且该透明喷洒器具有介于上处理区域与下处理区域间的一或更多透明喷洒器通道。该处理工具还包括气体分配环，该气体分配环具有介于气体分配环内沟槽与该上处理区域间的一或更多气体分配环通道；及气体出口环，该气体出口环设置于该气体分配环的下方，该气体出口环具有介于该气体出口环内的气体出口环内沟槽与该下处理区域间的一或更多气体出口通道。

公开(公告)号：CN106571319B

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN201610875496.6

申请日：2016-09-30

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·K·班塞尔 ,  J·C·罗查-阿尔瓦瑞兹 ,  S·巴录佳 ,  S·H·金 ,  T·A·恩古耶

IPC: H01L21/67

Abstract: 本公开涉及了一种具有多个流体输送区的喷淋头组件。所述喷淋头组件包括：面板，所述面板被配置成将工艺气体输送到限定在所述喷淋头组件与所述基板支撑件之间的处理区域；以及底板，所述底板被定位在所述面板上方，在所述盖与所述底板之间限定第一气室，所述底板具有多个区域，其中每个区域具有多个开口，所述多个开口被配置成使一定量的惰性气体从所述第一气室流入所述面板与所述底板之间限定的第二气室，两个气室利用每个区中的所述多个开口流体连通，使得所述惰性气体在离开所述喷淋头组件之前与所述工艺气体混合。

公开(公告)号：CN114038771A

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN202111322370.3

申请日：2016-02-11

Applicant: 应用材料公司

Inventor： D·R·杜博伊斯 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  K·嘉纳基拉曼 ,  H·K·波内坎蒂 ,  S·巴录佳 ,  P·威尔顿

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/67

Abstract: 本公开涉及用于处理基板的系统。本公开总体上关于用于在多个工艺腔室之间传送半导体基板的半导体工艺装备。更具体而言，本文中所述的实施例关于使用输送装置以在多个工艺腔室之间传送或交换半导体基板的系统与方法，所述输送装置采用至少两个叶片以用于在多个处理腔室之间同时传送基板。