公开(公告)号：CN104488016B

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201380038678.2

申请日：2013-07-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 保坂泰靖 ,  岛行德 ,  冈崎健一 ,  山崎舜平

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/135 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/04 ,  H05B33/14 ,  H05B33/22

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/133512 ,  G02F1/1337 ,  G02F1/13454 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248

Abstract: 显示装置包括设置有位于像素区域的外侧并与所述像素区域相邻并包括将信号供应给在像素区域的各像素中的第一晶体管的至少一个第二晶体管的驱动电路区域的第一衬底、与第一衬底相对的第二衬底、夹在第一衬底与第二衬底之间的液晶层、在第一晶体管及第二晶体管上的包含无机绝缘材料的第一层间绝缘膜、第一层间绝缘膜上的包含有机绝缘材料的第二层间绝缘膜、以及第二层间绝缘膜上的包含无机绝缘材料的第三层间绝缘膜。第三层间绝缘膜被设置在所述像素区域的上部区域的一部分中，并具有驱动电路区域内侧上的边缘部分。

公开(公告)号：CN108121123A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201711231700.1

申请日：2017-11-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  冈崎健一 ,  黑崎大辅 ,  中泽安孝 ,  渡边一德 ,  楠纮慈

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/1229 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/134345 ,  G02F2001/136295 ,  G02F2202/10 ,  G02F2203/01 ,  G06F3/033 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/0416 ,  G06F3/044 ,  G06F2203/04103 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/045 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  G02F1/136286

Abstract: 本发明提供一种开口率高的液晶显示装置。此外，本发明提供一种功耗低的液晶显示装置。本发明的一个方式是一种包括液晶元件、晶体管、扫描线及信号线的显示装置。液晶元件包括像素电极、液晶层及公共电极。扫描线及信号线都与晶体管电连接。扫描线及信号线都包括金属层。晶体管与像素电极电连接。晶体管的半导体层包括第一金属氧化物层和第二金属氧化物层的叠层。第一金属氧化物层包括其结晶性比第二金属氧化物层低的区域。晶体管包括与像素电极连接的第一区域。像素电极、公共电极及第一区域都具有使可见光透过的功能。可见光经过第一区域及液晶元件而从显示装置射出。

公开(公告)号：CN104617103B

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201510001758.1

申请日：2010-08-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂田淳一郎 ,  坂仓真之 ,  及川欣聪 ,  冈崎健一 ,  丸山穗高

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1333

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L21/385 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L33/0041 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及液晶显示装置和半导体装置。在液晶显示装置的像素部中，第一晶体管包括第一栅电极、栅极绝缘层、第一氧化物半导体层、第一源和漏电极；氧化物绝缘层在第一源和漏电极上；像素电极经第一接触孔与第一源或漏电极电连接。在同一衬底上的驱动电路部中，第二晶体管包括第二栅电极、栅极绝缘层、第二氧化物半导体层、第二源和漏电极；氧化物绝缘层在第二源和漏电极上；第三导电层在氧化物绝缘层上；第二氧化物半导体层夹在第二栅电极和第三导电层间；通过加工同一导电膜形成第一及第二栅电极和第一导电层；第二导电层包括第二和第三接触孔中的区域；第三接触孔包括重叠于第二接触孔的区域；第一导电层经第二导电层与第二源或漏电极电连接。

公开(公告)号：CN107452751A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710363391.7

申请日：2012-12-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  冈崎健一 ,  保坂泰靖 ,  池山辉正 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/12

CPC classification number: H01L21/02365 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/7869 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/1248

Abstract: 本发明的课题之一是对使用氧化物半导体膜的晶体管赋予稳定的电特性，来制造一种可靠性高的半导体装置。在包括设置在具有绝缘表面的衬底上的底栅结构的反交错型晶体管的半导体装置中，在栅电极层与氧化物半导体膜之间至少设置第一栅极绝缘膜和第二栅极绝缘膜，进行450℃以上，优选为650℃以上的加热处理，然后形成氧化物半导体膜。通过在形成氧化物半导体膜之前进行450℃以上，优选为650℃以上的加热处理，可以抑制成为导致晶体管的电特性的降低或变动的主要原因的氢元素扩散到氧化物半导体膜中，所以可以对晶体管赋予稳定的电特性。

公开(公告)号：CN107408579A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201680012805.5

申请日：2016-02-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  冈崎健一 ,  保坂泰靖 ,  神长正美 ,  井口贵弘 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L29/045 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78696

Abstract: 在包括氧化物半导体膜的晶体管中，抑制电特性的变动。晶体管包括第一栅电极、第一绝缘膜、氧化物半导体膜、源电极、漏电极、第二绝缘膜、第二栅电极以及第三绝缘膜。氧化物半导体膜包括第一栅电极一侧的第一氧化物半导体膜及第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜。第一氧化物半导体膜及第二氧化物半导体膜包含In、M及Zn(M为Al、Ga、Y或Sn)。在第二氧化物半导体膜的区域中，In的原子个数少于第一氧化物半导体膜。第二栅电极包含氧化物半导体膜中的金属元素中的至少一个。

公开(公告)号：CN107123682A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201710084378.8

申请日：2013-03-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 冈崎健一 ,  佐佐木俊成 ,  横山周平 ,  羽持贵士

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/385 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/045 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/78 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/66477

Abstract: 在包括具有氧化物半导体膜的晶体管及在该晶体管上的保护膜的半导体装置中，以如下条件下形成包含超过化学计量组成的氧的氧化绝缘膜作为保护膜：将安装在被排气为真空状态的处理室内的衬底保持为高于或等于180℃且低于或等于260℃；将原料气体导入处理室来将处理室内的压力设定为高于或等于100Pa且低于或等于250Pa；并且将高于或等于0.17W/cm2且低于或等于0.5W/cm2的高频功率供应给设置在处理室内的电极。

公开(公告)号：CN107026089A

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201710352132.4

申请日：2013-06-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  佐佐木俊成 ,  羽持贵士 ,  宫本敏行 ,  野村昌史 ,  肥塚纯一 ,  冈崎健一

IPC: H01L21/34 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/66969

Abstract: 本发明涉及用于制造半导体装置的方法，提供一种包含氧化物半导体的电特性变化得到抑制或者可靠性得到提高的半导体装置。在包括形成沟道形成区的氧化物半导体膜的半导体装置中，在上述氧化物半导体膜上设置有抑制水渗入且至少含有氮的绝缘膜以及抑制从该绝缘膜释放出的氮渗入的绝缘膜。作为渗入氧化物半导体膜的水，可以举出包含在空气中的水、设置在抑制水渗入的绝缘膜上的膜中的水等。另外，作为抑制水渗入的绝缘膜，可以使用氮化物绝缘膜，并且通过加热从该氮化物绝缘膜释放出的氢分子的量低于5.0×1021分子/cm3。

公开(公告)号：CN105449119A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201610008810.0

申请日：2010-08-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂田淳一郎 ,  坂仓真之 ,  及川欣聪 ,  冈崎健一 ,  丸山穗高

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/247 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L51/52 ,  H01L2227/323 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/303 ,  H01L2251/53 ,  H01L2251/56

Abstract: 一个目的是提高发光装置的可靠性。发光装置具有一个衬底之上的包括驱动器电路的晶体管的驱动器电路部分以及包括像素的晶体管的像素部分。驱动器电路的晶体管以及像素的晶体管是反交错晶体管，各包括与氧化物绝缘层的一部分相接触的氧化物半导体层。在像素部分中，滤色片层和发光元件设置在氧化物绝缘层之上。在驱动器电路的晶体管中，与栅电极层和氧化物半导体层重叠的导电层设置在氧化物绝缘层之上。栅电极层、源电极层和漏电极层使用金属导电膜来形成。

公开(公告)号：CN102498570B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201080040387.3

申请日：2010-08-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂田淳一郎 ,  坂仓真之 ,  及川欣聪 ,  冈崎健一 ,  丸山穗高

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/10 ,  H05B33/12

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/247 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L51/52 ,  H01L2227/323

Abstract: 一个目的是提高发光装置的可靠性。发光装置具有一个衬底之上的包括驱动器电路的晶体管的驱动器电路部分以及包括像素的晶体管的像素部分。驱动器电路的晶体管以及像素的晶体管是反交错晶体管，各包括与氧化物绝缘层的一部分相接触的氧化物半导体层。在像素部分中，滤色片层和发光元件设置在氧化物绝缘层之上。在驱动器电路的晶体管中，与栅电极层和氧化物半导体层重叠的导电层设置在氧化物绝缘层之上。栅电极层、源电极层和漏电极层使用金属导电膜来形成。

公开(公告)号：CN104821338A

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201510060315.X

申请日：2015-02-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  冈崎健一 ,  片山雅博 ,  中田昌孝

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明题为半导体装置、显示装置、显示模块以及电子设备。本发明的一个方式提供一种半导体装置，其中包括使用氧化物半导体的交错型晶体管及电容元件。本发明的一个方式是一种包括晶体管及电容元件的半导体装置，其中晶体管包括：氧化物半导体膜；氧化物半导体膜上的栅极绝缘膜；栅极绝缘膜上的栅电极；栅电极上的第二绝缘膜；第二绝缘膜上的第三绝缘膜；以及第三绝缘膜上的源电极及漏电极，源电极及漏电极与氧化物半导体膜电连接，电容元件包括：第一导电膜；第二导电膜；以及该第二绝缘膜，第一导电膜与栅电极设置在同一表面上，该第二导电膜与源电极及漏电极设置在同一表面上，该第二绝缘膜设置在第一导电膜与第二导电膜之间。