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公开(公告)号：CN102347300B
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201010597459.6
申请日：2010-12-16
申请人： 采钰科技股份有限公司 , 旭明光电股份有限公司
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/33 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L33/62 , H01L2224/04042 , H01L2224/26175 , H01L2224/27013 , H01L2224/291 , H01L2224/29111 , H01L2224/32225 , H01L2224/32238 , H01L2224/32506 , H01L2224/335 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48235 , H01L2224/73265 , H01L2224/83192 , H01L2224/83805 , H01L2224/83815 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/12035 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/15747 , H01L2924/15787 , H01L2924/1579 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： 本发明提供一种芯片封装体及其制造方法，芯片封装体包含基底以及设置在基底上的芯片，焊料层设置在基底与芯片之间，导电焊盘设置在焊料层与基底之间，其中导电焊盘包含第一部分设置在焊料层下，第二部分与第一部分隔开设置，以及连接部分设置在第一部分与第二部分之间，其中沿着第一方向，连接部分的宽度小于第一部分的宽度，第一方向垂直于第二方向，第二方向是由第一部分向连接部分延伸的方向。本发明能够避免焊料溢流，从而可提升芯片封装体的可靠度。
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公开(公告)号：CN103325907A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201210342451.4
申请日：2012-09-14
申请人： 旭明光电股份有限公司
CPC分类号： H01L21/461 , H01L21/44 , H01L33/22 , H01L33/382 , H01L2933/0016
摘要： 本发明公开一种发光二极管晶粒及其制作方法。所述发光二极管晶粒包含：一多层的半导体基板，包含一n型限制层；一多重量子井层，电性连接所述n型限制层，用以发射电磁辐射；及一p型限制层，电性连接所述多重量子井层；多个光提取结构，位于所述n型限制层上，用以散射所述电磁辐射；以及一电极，位于一嵌入所述n型限制层的凹槽内、并接近所述多个光提取结构。所述方法包含：形成所述半导体基板；形成一凹槽于所述n型限制层内，其具有多个边墙及一平的底面；形成一电极于所述凹槽内，其包含一保形地形成于所述凹槽的边墙及底面的导电材料；平坦化所述电极；以及形成多个光提取结构于所述n型限制层内，并接近所述电极。
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公开(公告)号：CN102282685B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201080001661.6
申请日：2010-10-29
申请人： 旭明光电股份有限公司
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/38 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L33/486 , H01L33/505 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
摘要： 本发明关于一种具有外移式电极的垂直发光二极管，其包含：一导电性衬底；一半导体外延结构，形成在该导电性衬底上；一钝化层，形成在该半导体外延结构的周围；以及一导电性框架，形成在该钝化层上，且与该半导体外延结构的上表面的外侧相接触，以使该导电性框架与该半导体外延结构产生电连接。
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公开(公告)号：CN101689553B
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN200880022949.4
申请日：2008-05-02
申请人： 旭明光电股份有限公司
发明人： 陈长安
IPC分类号： H01L27/14
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/007
摘要： 提供制造由AlInGaN或AlGaN组成的紫外线(UV)垂直式发光二极管(VLED)结构的方法，该结构较已知AlInGaN或A1GaN发光二极管(LED)结构具有较佳的晶体品质及更快的成长速率。通过在载体基板上形成牺牲性GaN层，接着在该牺牲性GaN层上沉积发光二极管(LED)堆迭而完成。然后在后续处理步骤中移除该牺牲性GaN层。
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公开(公告)号：CN102439741A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201080001595.2
申请日：2010-11-01
申请人： 旭明光电股份有限公司
CPC分类号： H01L33/60 , H01L33/22 , H01L33/38 , H01L33/405
摘要： 一种高亮度的垂直型发光二极管装置(300)，包括依次沉积的镜面反射层(306)，第一电性半导体层(304)，活化层(303)，第二电性半导体层(302)，第二金属电极(301)。第二金属电极(301)两侧分别为高光照射侧(301′)和低光照射侧(301″)。低光照射侧(301″)位于镜面反射层(306)的范围之外。且镜面反射层(306)与第一电性半导体(304)之间接触的面积占第一电性半导体层(304)的面积的75％以上。该结构可以增进电流分散能力，减少金属电极吸光，提高亮度和效率。
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公开(公告)号：CN302705445S
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201330377067.3
申请日：2013-08-07
申请人： 旭明光电股份有限公司
设计人： 施逸丰
摘要： 1．本外观设计产品的名称：发光二极体。2．本外观设计产品的用途：本外观设计是一种发光二极体，尤指用于一般照明装置中，提供照明效果。3．本外观设计产品的设计要点：本外观设计的设计要点在于产品的形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图。
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公开(公告)号：CN302363635S
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201230345908.8
申请日：2012-07-27
申请人： 旭明光电股份有限公司
设计人： 施逸丰
摘要： 1.外观设计产品的名称：发光二极体。2.外观设计产品的用途：本外观设计是一种发光二极体，尤指用于一般照明装置中，提供照明效果。3.外观设计的设计要点：本外观设计的设计要点在于产品的形状。4.外观设计产品的设计要点代表图：立体图。
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公开(公告)号：CN301607807S
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN201130049668.2
申请日：2011-03-21
申请人： 旭明光电股份有限公司
设计人： 刘文煌
摘要： 1.本外观设计产品的名称：发光二极管装置。2.本外观设计产品的用途：作为垂直LED芯片使用。3.本外观设计产品的设计要点：在于产品的形状。4.指定图片：立体图。
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