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公开(公告)号：CN109994445A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201711470436.7
申请日：2017-12-29
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 鸟居克行
IPC: H01L23/488 , H01L23/495
Abstract: 本申请实施例提供一种半导体元件和半导体装置，该半导体元件的表面呈四边形，该半导体元件具有用于接收控制信号的栅极焊盘，其中，栅极焊盘的数量为至少两个，其中，至少两个所述栅极焊盘被分别设置在所述四边形的一边的两端部。根据本申请，在制造半导体装置时，不需要准备栅极焊盘位置不同的半导体元件，从而降低了制造半导体装置的复杂度。
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公开(公告)号：CN106024850B
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201510358385.3
申请日：2015-06-25
Applicant: 三垦电气株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其既能够防止正向电流导致的元件破坏，又能够抑制特性劣化。半导体装置具有：n型半导体基体，其在主面上定义了元件区和包围元件区的周围的外周区；p型保护环，其配置于外周区，并具有以包围元件区的周围的方式配置于半导体基体的上表面的低浓度p型区、以及杂质浓度高于低浓度p型区且配置于低浓度p型区的内侧的高浓度p型区，高浓度p型区的侧表面和底面被低浓度p型区覆盖而不接触半导体基体的n型区；以及欧姆结电极，其与高浓度p型区形成欧姆结。
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公开(公告)号：CN106549559B
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201510603351.6
申请日：2015-09-21
Applicant: 三垦电气株式会社
Abstract: 本发明实施例提供一种开关电源装置的控制电路，通过主电极电压与输入电压的补正信号生成输出电压检测信号，并基于该输出电压检测信号进行过电压保护检测，能够不受输入电压的影响，高精度的进行过电压保护检测，例如，可以与没有供电电压Vcc绕组的绝缘或非绝缘电源的规格无关的进行过电压保护检测。
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公开(公告)号：CN106026629B
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201510958082.5
申请日：2015-12-18
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H02M1/42
Abstract: 本发明提供功率因数改善电路，能够单独进行控制且提高效率。功率因数改善电路对交流电压进行整流而转换为直流电压，经由电抗器和开关元件的串联电路对直流电压进行开关，对电抗器的再生能量进行整流平滑来获得规定的输出电压，该功率因数改善电路具有：底部导通设定部，其根据开关元件截止时两端电压衰减振动时的底部，设定导通定时；导通时间设定部，其根据输出电压，设定开关元件的导通时间；以及底部跳变控制部，其在导通时间设定部设定的导通时间和开关元件截止时流过电抗器的电流的再生期间的比率为规定值以下的情况下，使开关元件进行准谐振，在比率超过规定值的情况下，从最初的底部起进行1次跳变而到达下一个底部时，使开关元件导通。
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公开(公告)号：CN105939096B
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201510993614.9
申请日：2015-12-25
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 千叶明辉
IPC: H02M1/08
Abstract: 本发明提供开关元件的驱动电路，在任何占空比范围内均能基于固定的栅极电压稳定地驱动开关元件。开关元件的驱动电路具有：第1电容器，其在变压器的第1二次绕组的一端产生高于另一端的电压时进行充电，在第1二次绕组的另一端产生高于一端的电压时经由电阻进行放电；第2电容器，其在第1二次绕组的一端产生高于另一端的电压时经由电阻进行放电，在第1二次绕组的另一端产生高于一端的电压时进行充电；第2晶体管，其根据已充电的第2电容器的电压与第1二次绕组的电压的合计电压，接受驱动电源的供电而导通，由此使开关元件导通；以及第1晶体管，其根据已充电的第1电容器的电压与第1二次绕组的电压的合计电压而导通，由此使开关元件截止。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108604625A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201680007327.9
申请日：2016-05-31
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L33/48
Abstract: 具有：支承基板(10)；发光元件(20)，其配置在支承基板(10)上，具有在第1半导体层(21)的上方配置第2半导体层(23)而得的层叠结构；透光性基板(70)，其配置在发光元件(20)的上方；第1连接用电极(41)，其从支承基板(10)的第1侧面(101)上至透光性基板(70)的第1侧面(701)上连续地配置，与第1半导体层(21)电连接；以及第2连接用电极(42)，其从支承基板(10)的第2侧面(102)上至透光性基板(70)的第2侧面(702)上连续地配置，与第2半导体层(23)电连接，发光装置经由第1连接用电极(41)以及第2连接用电极(42)的、与朝向支承基板(10)和透光性基板(70)的第1侧面相对的第2侧面，与安装基板电连接。
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公开(公告)号：CN108305893A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201711459035.1
申请日：2014-09-19
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/423 , H01L29/739 , H01L29/10 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/7397 , H01L29/0619 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/407 , H01L29/4236 , H01L29/42368 , H01L29/42376
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其为沟槽栅型半导体装置，能够充分消除耐压与通态电压的折中，还能够降低反馈电容。半导体装置具有：半导体基板，其层叠有第一半导体区域、第二半导体区域、第三半导体区域、以及第四半导体区域；绝缘膜，其配置于从第四半导体区域的上表面延伸并贯通第四半导体区域以及第三半导体区域而到达第二半导体区域的槽的内壁上；控制电极，其在槽的侧面与第三半导体区域的侧面对置地配置于绝缘膜上；第一主电极，其与第一半导体区域电连接；第二主电极，其与第三半导体区域以及第四半导体区域电连接；以及底面电极，其在槽的底面与控制电极间隔开地配置于绝缘膜之上，并与第二主电极电连接，在俯视观察时，槽在延伸方向上的长度在槽的宽度以上，且槽的宽度比相邻的槽之间的间隔大。
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公开(公告)号：CN105264644B
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201480031035.X
申请日：2014-05-02
Applicant: 三垦电气株式会社 , 信越半导体股份有限公司
IPC: H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/336 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/812
CPC classification number: H01L21/02658 , C30B23/025 , C30B25/18 , C30B25/186 , C30B29/06 , C30B29/403 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/0254 , H01L21/0259 , H01L21/02595 , H01L21/02598 , H01L21/2251 , H01L21/2258 , H01L29/36 , H01L29/66462 , H01L29/7786
Abstract: 本发明是一种硅系基板，其用以在表面形成氮化物系化合物半导体层，其特征在于，其具有：第一部分，该第一部分具有第一杂质浓度且位于所述硅系基板的表面侧；及，第二部分，该第二部分具有比前述第一杂质浓度高的第二杂质浓度，且位于所述硅系基板的比前述第一部分更内侧处；并且，前述第一杂质浓度是1×1014原子/cm3以上且未满1×1019原子/cm3。由此，提供一种硅系基板，其可改善基板的翘曲，并良好地维持形成于上层的氮化物系化合物半导体层的结晶性。
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公开(公告)号：CN105703641B
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201510887738.9
申请日：2015-12-07
Applicant: 三垦电气株式会社
CPC classification number: H02M3/33523 , H02M2001/0035 , Y02B70/16
Abstract: 本发明提供一种开关电源装置，该开关电源装置通用性高，能够提高间断振荡动作时的效率。具有：误差放大器，其作为表示负载的状态的FB信号向一次侧发送；OSC(12)，其控制开关动作的开关频率，在连续进行开关动作的通常振荡动作的情况下，从重负载时到轻负载时，根据FB信号，使开关频率从通常时最高频率降低到通常时最低频率；以及比较器COMP(3)，其在负载较轻的情况下，根据FB信号使开关动作停止，从而控制间断振荡动作，在间断振荡动作时，在进行开关动作的间断振荡期间，OSC(12)使开关频率从低于通常时最低频率的第1间断时频率开始增加。
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公开(公告)号：CN104798185B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201380059808.0
申请日：2013-11-13
IPC: H01L21/52
CPC classification number: H01L23/49513 , H01L21/4853 , H01L23/3735 , H01L23/4827 , H01L23/488 , H01L23/492 , H01L23/49548 , H01L23/49562 , H01L23/49582 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L2224/0345 , H01L2224/04026 , H01L2224/05082 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05639 , H01L2224/2732 , H01L2224/291 , H01L2224/29144 , H01L2224/32059 , H01L2224/3207 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/32505 , H01L2224/7501 , H01L2224/75102 , H01L2224/75251 , H01L2224/75756 , H01L2224/83011 , H01L2224/83022 , H01L2224/83048 , H01L2224/83075 , H01L2224/8309 , H01L2224/83101 , H01L2224/8321 , H01L2224/83385 , H01L2224/83439 , H01L2224/83444 , H01L2224/83447 , H01L2224/83455 , H01L2224/83457 , H01L2224/83815 , H01L2924/01322 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/15787 , H01L2924/35121 , H01L2924/3651 , H01L2924/01032 , H01L2924/01014 , H01L2924/0105 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/01027 , H01L2924/01015 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的半导体装置在半导体元件(1)和以Cu为主要原料的Cu基板(2)之间夹持有Au系钎料层(3)，且在Cu基板(2)和Au系钎料层(3)之间配设有具有以在俯视时成为规定形状的方式构图的微细槽(24)的致密金属膜(23)，分别在Cu基板(2)、Au系钎料层(3)及致密金属膜(23)的微细槽(24)埋设有以Cu和Au为主要元素的微小哑铃截面构造体(4)。
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