公开(公告)号：CN100448039C

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200510128698.6

申请日：2003-03-26

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 户田忠夫 ,  山口勤 ,  畑雅幸 ,  野村康彦

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01S5/32341 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/305 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体元件，它具有由纤锌矿结构的n型氮化物系半导体层和氮化物系半导体基板中的任一个构成的第1半导体层和在该第1半导体层的背面上形成的n侧电极，所述n侧电极与第1半导体层之间的接触电阻在0.05Ωcm2以下。

公开(公告)号：CN1992456A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610171455.5

申请日：2006-12-27

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 别所靖之 ,  野村康彦

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343

Abstract: 氮化物类半导体激光装置(20)包括具有在光出射面(5a)上形成的由SiO2构成的电介质层(5b)的氮化物类半导体激光元件(5)、和将氮化物类半导体激光元件(5)气密密封的封装部(1)。另外，封装部(1)内的气氛为水分浓度5000ppm以下和氧浓度5％以上的含氧气氛。通过调整封装部(1)内的气氛，能够抑制由在半导体激光元件的端面形成的电介质层的变质引起的输出降低和可靠性降低。

公开(公告)号：CN1744398A

公开(公告)日：2006-03-08

申请号：CN200510093867.7

申请日：2005-08-31

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 畑雅幸 ,  别所靖之 ,  野村康彦 ,  庄野昌幸

IPC: H01S5/40 ,  H01S5/10 ,  H01S5/022

CPC classification number: H01S5/4025 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/73265 ,  H01S5/4087 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种半导体激光装置中使用的一芯片半导体激光元件。其中，红色半导体激光元件和红外半导体激光元件层叠在蓝紫色半导体激光元件上。蓝紫色半导体激光元件通过在GaN基板上形成半导体层来制造。红色半导体激光元件及红外半导体激光元件分别通过在GaAs基板上形成半导体层来制造。GaAs的弹性模量比GaN的弹性模量小。红色半导体激光元件及红外半导体激光元件的长度分别比蓝紫色半导体激光元件的长度长。

公开(公告)号：CN1677779A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN200510008475.6

申请日：2005-02-21

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 野村康彦 ,  别所靖之 ,  畑雅幸 ,  山口勤

IPC: H01S5/40

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/1039 ,  H01S5/1082 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/221 ,  H01S5/222 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/34326 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/3436 ,  H01S5/4043 ,  H01S5/4087

Abstract: 提高集成GaN类半导体激光元件与GaP类半导体激光元件的集成型半导体激光元件的激光特性，并实现长寿命化。在接合形成于GaN基板的由氮化物类半导体激光器结构组成的LD1晶片与形成于GaAs基板的由镓磷类半导体激光器结构组成的LD1晶片与形成于GaAs基板的由镓磷类半导体激光器结构组成的LD2晶片的接合工序前，通过蚀刻加工形成氮化物类半导体激光器结构的共振器端面。镓磷类半导体激光器结构的共振器端面在接合工序后通过剪切加工形成。氮化物类半导体激光元件的共振器端面与镓磷类半导体激光元件的共振器端面在共振器的延长方向错位的状态下接合。

公开(公告)号：CN1677775A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN200510008473.7

申请日：2005-02-21

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 狩野隆司 ,  山口勤 ,  伊豆博昭 ,  畑雅幸 ,  野村康彦

IPC: H01S5/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/0243 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/025

Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体元件的制造方法，在具有从表面贯通到背面的条状的位错集中区域的GaN基板的表面上将氮化物系半导体各层以均匀的膜厚进行层叠。氮化物系半导体基板，例如，沿GaN基板表面的位错集中区域，在位错集中区域附近的非位错集中区域形成槽。在形成了该槽的GaN基板的表面上形成氮化物系半导体的各层，作为结晶成长层。

公开(公告)号：CN1487606A

公开(公告)日：2004-04-07

申请号：CN03159402.6

申请日：2003-09-18

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 井上大二朗 ,  野村康彦 ,  畑雅幸 ,  狩野隆司 ,  山口勤

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01L33/02 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38

Abstract: 本发明提供一种氮化物系半导体发光元件，该氮化物系半导体发光元件通过减少在接触层的光吸收损失，可提高发光效率。该氮化物系半导体发光元件具备在基板上形成的第1导电型的第1氮化物系半导体层，形成于第1氮化物系半导体层上的由氮化物系半导体层构成的活性层，形成于活性层上的第2导电型的第2氮化物系半导体层，形成于第2氮化物系半导体层上的未掺杂接触层和形成于未掺杂接触层上的电极。

公开(公告)号：CN1340890A

公开(公告)日：2002-03-20

申请号：CN01131277.7

申请日：2001-08-29

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 竹内邦生 ,  广山良治 ,  冈本重之 ,  富永浩司 ,  野村康彦 ,  井上大二朗

IPC: H01S5/00 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01S5/16 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/168

Abstract: 本发明涉及半导体激光元件及其制造方法。P型AlGaInP第1覆盖层上,在脊部的侧面及开孔区域的上方的脊部的上表面区域形成有n型GaAs电流阻挡层。端面近旁的区域上的p型GaAs顶盖层上形成隆起部,端面近旁的第1电极区域上形成隆起区域。第1电极的隆起区域间的区域上形成具有比隆起区域的高度大的厚度的第2电极。

公开(公告)号：CN1290055A

公开(公告)日：2001-04-04

申请号：CN00130582.4

申请日：2000-09-27

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 广山良治 ,  野村康彦 ,  古沢浩太郎 ,  竹内邦生 ,  冈本重之

IPC: H01S5/00

CPC classification number: H01S5/2231 ,  H01S5/2205 ,  H01S5/221 ,  H01S5/222 ,  H01S5/2227 ,  H01S2301/18

Abstract: 本发明揭示一种半导体激光器件及其制造方法,其特征是脊部侧面与该脊部下部形成的倾斜角度θ为70°以上、117°以下,p型包层由Alx1Ga1－x1As构成,第1电流阻档层由Alx2Ga1－x2As构成,发光层与第1电流阻挡层间的距离t满足关系式t≤0.275/(1－(X2－X1))μm,脊部下部宽度W为2μm以上、5μm以下。具有在提高激光输出的同时可抑制激光水平散布角减小且水平散布角调整容易的优点。

公开(公告)号：CN101501947B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200780029764.1

申请日：2007-08-08

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 畑雅幸 ,  野村康彦

IPC: H01S5/343 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/483 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/16 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02268 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02476 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/2027 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明提供半导体元件和其制造方法。即使在半导体元件部在面内方向中包括具有不同的热膨胀系数的多个方向的情况下，也能够抑制元件特性的下降。该半导体激光元件(半导体元件)包括：在主面的面内方向中包括热膨胀系数不同的[1-100]方向和[0001]方向的半导体元件部；以及在主面的面内方向中包括热膨胀系数不同的箭头E方向和箭头F方向的基台。而且，以半导体元件部的[1-100]方向，相比于基台的箭头F方向更靠近箭头E方向一侧的方式，半导体元件部相对于基台被接合。

公开(公告)号：CN101414732B

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN200810179134.9

申请日：2005-03-11

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 井上大二朗 ,  别所靖之 ,  畑雅幸 ,  野村康彦

IPC: H01S5/042 ,  H01S5/40 ,  H01S5/022

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供具有振荡波长不同的多个半导体激光元件、并可使用产生低电压的电源电路驱动短波长的半导体激光元件的半导体激光装置和光装置。半导体激光装置(500)具有射出蓝紫色激光的第一半导体激光元件(11)、射出红色激光的第二半导体激光元件(12)、导电性组件主体(19)。第一半导体激光元件(11)具有p侧衬垫电极和n侧电极。第一半导体激光元件(11)的p侧衬垫电极和n侧电极与组件主体(19)绝缘。产生正电位的驱动电路(501)连接于第一半导体激光元件(11)的p侧衬垫电极，产生负电位的直流电源(502)连接于第一半导体激光元件(11)的n侧电极上。