公开(公告)号：CN101960576B

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN200980107379.3

申请日：2009-03-18

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 佐泽洋幸 ,  西川直宏 ,  栗田靖之 ,  秦雅彦

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L29/12 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种半导体装置，是以常断路型式使GaN系场效晶体管动作，并且增加通道电流密度。该半导体装置具有：含氮的3-5族化合物半导体的通道层、向所述通道层供给电子，并在其与所述通道层相对向的面的相反面具有沟部的电子供给层、形成在所述电子供给层的所述沟部的p型半导体层，以及与所述p型半导体层接触而形成，或者在与所述p型半导体层之间隔着中间层而形成的控制电极。

公开(公告)号：CN102668029A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201080055735.4

申请日：2010-12-01

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 山中贞则 ,  高田朋幸 ,  秦雅彦

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02639 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02546

Abstract: 本发明提供一种在单一的硅基板上使不同种类的半导体结晶层外延生长时，能够提高表面的平坦性，提高半导体器件的可靠性的半导体基板。该半导体基板其具有：在表面形成了第一凹部及第二凹部的硅结晶的基底基板、在第一凹部的内部形成且为露出状态的第一IVB族半导体结晶、在第二凹部的内部形成的第二IVB族半导体结晶、及形成在第二凹部的内部的第二IVB族半导体结晶上且处于露出状态的III-V族化合物半导体结晶。

公开(公告)号：CN101896999B

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN200880119995.6

申请日：2008-12-26

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 高田朋幸 ,  山中贞则 ,  秦雅彦

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/331 ,  H01L29/737

CPC classification number: H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/22 ,  H01L29/66318 ,  H01L29/737 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明使用廉价且散热特性优良的Si基板，制得质量良好的GaAs系的结晶薄膜。本发明提供一种具有：Si基板；在基板上结晶生长，并形成为孤立的岛状的Ge层；在Ge层上结晶生长，且由含P的3-5族化合物半导体层构成的缓冲层；以及在缓冲层上结晶生长的功能层的半导体基板。所述Ge层形成为岛状，所述岛状的大小不超过进行退火时在所述退火的温度及时间内结晶缺陷所移动的距离的2倍。所述Ge层形成为岛状，所述岛状的大小满足进行退火时在所述退火的温度下所述Ge层与所述Si基板之间的热膨胀系数的差异所产生的应力不会导致剥离发生的条件。

公开(公告)号：CN102171792A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN200980138964.X

申请日：2009-10-01

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 高田朋幸 ,  秦雅彦 ,  山中贞则

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/02 ,  H01L21/76 ,  H01L21/82 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/02642 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02636 ,  H01L29/66742

Abstract: 本发明涉及一种具有用于形成半导体器件的器件用薄膜、包围器件用薄膜且阻挡器件用薄膜的前体结晶生长的阻挡部、通过前体牺牲生长为结晶而形成的牺牲生长部的半导体器件用基板，其具备在器件用薄膜的周边被阻挡部隔开而设置的牺牲生长部和覆盖牺牲生长部的上部且露出器件用薄膜的上部的保护膜。保护膜可以是聚酰亚胺。

公开(公告)号：CN101517715B

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200780034062.2

申请日：2007-09-14

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 佐泽洋幸 ,  西川直宏 ,  秦雅彦

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种具有低的栅极泄漏电流与小到可忽视的栅极滞后、漏极滞后、电流崩塌特性的、带电介质膜的氮化镓类半导体外延结晶基板。半导体外延结晶基板的制造方法是向通过有机金属气相生长法生长的氮化物半导体结晶层表面，赋与构成钝化膜或栅极绝缘膜并具有非结晶形的氮化物电介质或氧化物电介质的电介质层的制造方法，其中，在外延生长炉内使所述氮化物半导体结晶层生长之后，直接在该外延生长炉内使所述电介质层与所述氮化物半导体结晶层连续生长。

公开(公告)号：CN101611479A

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200880004951.9

申请日：2008-02-07

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 西川直宏 ,  佐泽洋幸 ,  秦雅彦

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7783

Abstract: 本发明提供一种氮化镓系外延结晶、其制造方法及场效应晶体管。氮化镓系外延结晶包含衬底基板和(a)～(e)层，并且为了电连接第一缓冲层与p传导型半导体结晶层，将包含氮化镓系结晶的连接层配置在非氮化镓系的绝缘层的开口部，所述(a)～(e)层为：(a)栅极层；(b)包括与栅极层的衬底基板侧界面相接的通道层的高纯度的第一缓冲层；(c)配置在第一缓冲层的衬底基板侧的第二缓冲层；(d)配置在第二缓冲层的衬底基板侧且其一部分具有开口部的非氮化镓系的绝缘层；以及，(e)配置在绝缘层的衬底基板侧的p传导型半导体结晶层。

公开(公告)号：CN101896998B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200880119969.3

申请日：2008-12-26

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 高田朋幸 ,  山中贞则 ,  秦雅彦

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/331 ,  H01L29/737

CPC classification number: H01L29/045 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/7371

Abstract: 本发明使用廉价且散热特性优良的Si基板，制得质量良好的GaAs系结晶薄膜。本发明提供一种半导体基板，其具备：Si基板和形成于所述基板上的、用于阻挡结晶生长的阻挡层，所述阻挡层具有：覆盖基板的一部分的覆盖区域及位于覆盖区域的内部且不覆盖基板的开口区域，所述半导体基板还具有：结晶生长在开口区域的Ge层；结晶生长在Ge层上的、由包含P的3-5族化合物半导体层所构成的缓冲层；以及结晶生长在缓冲层上的功能层。在该半导体基板中，Ge层可以通过以结晶缺陷能移动的温度及时间进行退火而形成。

公开(公告)号：CN101946307B

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN200980105553.0

申请日：2009-02-27

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 秦雅彦 ,  高田朋幸

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L21/76 ,  H01L21/762 ,  H01L21/764 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L29/778 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/845 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78681

Abstract: 本发明提供一种半导体基板，其提高化合物半导体装置的转换速度。并具有：硅基板；形成在所述硅基板上，并具有抵达所述硅基板且纵横比为以上的开口部的绝缘膜；形成于所述开口部，且形成为比所述绝缘膜的表面更凸出的晶种化合物半导体结晶：以及以所述晶种化合物半导体结晶的特定面为晶种面，于所述绝缘膜上进行横向生长而成的横向生长化合物半导体层。

公开(公告)号：CN102714176A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201180006940.6

申请日：2011-02-22

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 秦雅彦 ,  山中贞则 ,  高田朋幸 ,  本城和彦

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L23/12 ,  H01L27/04 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L27/0605 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10336 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明提供一种电子器件，包括：表面为硅结晶的衬底基板、形成于硅结晶上的部分区域的III-V族化合物半导体结晶、包含III-V族化合物半导体结晶的一部分作为活性层的电子元件、形成于衬底基板上并覆盖该电子元件的绝缘膜、形成于绝缘膜上的电极、贯穿绝缘膜且至少部分形成在绝缘膜上将电子元件与电极电接合的第一接合布线、形成于绝缘膜上的无源元件、以及贯穿绝缘膜且至少部分形成于绝缘膜上将电子元件与无源元件电接合的第二接合布线。

公开(公告)号：CN102171793A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN200980139378.7

申请日：2009-10-01

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 秦雅彦

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78681 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/84 ,  H01L29/66242 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7378

Abstract: 本发明提供一种半导体基板，其是依次包括底板基板、绝缘层、SixGe1-x结晶层(0≤x＜1)的半导体基板，SixGe1-x结晶层(0≤x＜1)的至少一部分区域被退火，所述半导体基板包括在至少一部分区域上与SixGe1-x结晶层(0≤x＜1)晶格匹配或准晶格匹配的化合物半导体。另外，本发明提供一种电子器件，其包括：衬底、设置于衬底上的绝缘层、设置于绝缘层上至少一部分区域被退火的SixGe1-x结晶层(0≤x＜1)、在至少一部分区域上与SixGe1-x结晶层(0≤x＜1)晶格匹配或准晶格匹配的化合物半导体、使用化合物半导体形成的半导体设备。