公开(公告)号：CN106299016A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610976991.6

申请日：2016-11-07

申请人： 重庆文理学院

发明人： 刘炜 ,  石东平 ,  杨守良 ,  夏继宏 ,  梁康有

IPC分类号： H01L31/107 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/1075 ,  H01L31/1844

摘要： 公开了一种雪崩光电二极管及其制备方法，雪崩光电二极管包括覆盖层(26)，所述的覆盖层(28)，所述的P型中心有源区(27)是向所述的覆盖层(26)中心区域掺入P型杂质而形成；所述的补偿掺杂区(28)是向所述的P型中心有源区(27)的外围环形区域内掺入N型杂质而形成，所述的补偿掺杂区(28)为掺入一定量的N型杂质的P型材料。(26)包括P型中心有源区(27)和补偿掺杂区

公开(公告)号：CN105830232A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201480068840.X

申请日：2014-12-16

申请人： 浜松光子学株式会社

发明人： 永野辉昌 ,  里健一 ,  土屋龙太郎

IPC分类号： H01L31/107 ,  H01L27/146 ,  G01T1/24 ,  G01T1/161

CPC分类号： H01L27/14663 ,  H01L27/1446 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14658 ,  H01L27/14676 ,  H01L31/1075 ,  H01L31/115

摘要： 在本发明的光检测器中，规定半导体区域(14)的外缘的边界线(BY)由信号读出配线(E3)覆盖，在半导体区域(14)与信号读出配线(E3)之间构成电容器。载流子的高频成分(峰值成分)经由电容器，快速提取至外部，通过信号读出配线(E3)覆盖边界线(BY)，使半导体的边界线附近的电位稳定，输出信号稳定。

公开(公告)号：CN105590971A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201610156889.1

申请日：2016-03-18

申请人： 南京大学

发明人： 陈敦军 ,  董可秀 ,  张荣 ,  郑有炓

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/107 ,  H01L31/18

CPC分类号： Y02P70/521 ,  H01L31/1075 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/03048 ,  H01L31/1848

摘要： 本发明公开了一种AlGaN日盲紫外增强型雪崩光电探测器，其结构从下至上依次包括：一维光子晶体层、AlN/蓝宝石模板层、i型AlxGa1-xN层、n型AlxGa1-xN层、i型Aly1Ga1-y1N层、n型AlyGa1-yN组分渐变层、i型Aly2Ga1-y2N层、p型GaN层，在n型AlxGa1-xN层上引出n型欧姆电极，在p型GaN层上引出p型欧姆电极，所述x满足0.5≤x≤1，所述y1满足0.4≤y1＜1，所述y2满足0.1≤y2＜0.5，所述y1与y2满足y2＜y1＜x，所述组分y沿自下而上方向逐渐降低，且满足y2≤y≤y1。还公开了其制备方法。本发明设计的SAM结构AlGaN日盲紫外雪崩光电探测器，一维光子晶体层中带有周期的抗反射涂层，可以降低日盲紫外雪崩光电探测器日盲区的光反射，提高探测器的性能。

公开(公告)号：CN105247691A

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201480000097.4

申请日：2014-02-12

申请人： 华为技术有限公司 ,  华中科技大学

发明人： 余长亮 ,  廖振兴 ,  赵彦立

IPC分类号： H01L31/107 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/1075 ,  G02B6/12004 ,  G02B6/1228 ,  G02B6/131 ,  G02B6/4295 ,  G02B2006/12061 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/028 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/107 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547

摘要： 一种雪崩光电二极管及其制造方法，涉及通信领域，能够解决现有雪崩光电二极管暗电流较大的问题，该雪崩光电二极管包括：绝缘体上锗GeOI衬底；本征锗I-Ge吸收层(31)，用于吸收光信号，产生光生载流子；第一p型锗硅SiGe层(23)、第二p型锗硅SiGe层(24)，第一锗硅SiGe层(21)、第二锗硅SiGe层(22)，其中，锗硅SiGe层中Si的含量小于等于20％；第一二氧化硅SiO2氧化层(72)，第二二氧化硅SiO2氧化层(73)；第一Taper型硅Si波导层(11)、第二Taper型硅Si波导层(12)；n型重掺杂硅Si倍增层(13)；阳极电极(61)和阴极电极(62)。

公开(公告)号：CN105140316A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201510056869.2

申请日：2015-02-04

申请人： 硅光电科技股份有限公司

发明人： 石拓 ,  蔡鹏飞 ,  王良波 ,  张耐 ,  陈旺 ,  栗粟 ,  洪菁吟 ,  黄梦园 ,  潘栋

IPC分类号： H01L31/024 ,  H01L31/107 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/1075 ,  H01L27/14 ,  H01L31/02027 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/024 ,  H01L31/028 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 提供了一种带有集成加热器的Ge/Si雪崩光电二极管的新颖结构及其制作方法的各种不同的实施例。在一方面，在顶面硅层或者硅基板层上形成掺杂区，以起到电阻的作用。当环境温度降低到某个点时，将自动触发温度控制回路并沿着加热器施加适当的偏置，因此，Ge/Si雪崩光电二极管的结合区的温度被保持在优化的范围以内，以保持该雪崩光电二极管的高灵敏度水平以及低误码率水平。

公开(公告)号：CN104810430A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201510040723.9

申请日：2015-01-27

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 山口晴央

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/107 ,  H01L31/0304 ,  H01L21/331 ,  H01L29/20 ,  H01S5/323

CPC分类号： H01L21/30604 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/30621 ,  H01L29/207 ,  H01L29/7785 ,  H01L31/03042 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/1075 ,  H01L31/1844 ,  H01S5/305 ,  H01S5/309 ,  H01S5/3407 ,  H01S5/34306 ,  Y02E10/544

摘要： 本发明得到一种能够改善器件特性和可靠性的半导体装置的制造方法。在n型InP衬底(1)上方使n型AlInAs缓冲层(3)生长。在n型AlInAs缓冲层(3)上方依次使无掺杂AlInAs雪崩倍增层(4)、p型AlInAs电场缓和层(5)、n-型InGaAs光吸收层(6)以及n-型InP窗口层(7)生长而形成雪崩光电二极管。在p型AlInAs电场缓和层(5)中作为p型掺杂物而掺杂碳。在n型AlInAs缓冲层(3)中，与具有导电性的杂质一起掺杂碳。

公开(公告)号：CN104362213A

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201410462571.7

申请日：2014-09-11

申请人： 东南大学

发明人： 张雄 ,  王书昶 ,  崔一平

IPC分类号： H01L31/107 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/036 ,  H01L31/108

CPC分类号： H01L31/1075 ,  H01L31/035209 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/036 ,  H01L31/108

摘要： 本发明公开了一种铝镓氮基日盲紫外探测器及其制备方法，包括由下至上依次设置的蓝宝石衬底、AlN成核层、Alx1Ga1-x1N缓冲层、n型Alx2Ga1-x2N层、非掺杂i型Alx3Ga1-x3N吸收层、n型Alx4Iny1Ga1-x4-y1N/Alx5Iny2Ga1-x5-y2N超晶格分离层、非掺杂i型Alx6Ga1-x6N倍增层、p型Alx7Ga1-x7N层和p型GaN层，在n型Alx2Ga1-x2N层上引出n型欧姆电极，在p型GaN层上引出p型欧姆电极。本发明采用多周期n型Alx4Iny1Ga1-x4-y1N/Alx5Iny2Ga1-x5-y2N超晶格作为分离层将吸收层与倍增层分离的结构，能够有效增加倍增层中的电场，在高电场作用下可以产生均匀的雪崩倍增，有助于提高日盲紫外探测器雪崩倍增因子。

公开(公告)号：CN104300029A

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201410390804.7

申请日：2014-08-08

申请人： 浙江大学

发明人： 徐杨 ,  万霞 ,  孟楠 ,  陆薇 ,  阿亚兹 ,  王锋 ,  施添锦 ,  俞滨

IPC分类号： H01L31/107 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/032

CPC分类号： Y02P70/521 ,  H01L31/1075 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/1804

摘要： 本发明公开了一种以氟化石墨烯为绝缘层的硅基雪崩光电探测器及制备方法，所述雪崩光电探测器包括n型硅衬底、二氧化硅隔离层、二氧化硅窗口、氟化石墨烯绝缘层、顶电极、石墨烯薄膜和底电极。氟化石墨烯是石墨烯的衍生物，其电阻可达1TΩ以上，本发明以氟化石墨烯作为绝缘层制作光电探测器，具有非常低的暗电流噪声；氟化石墨烯插入石墨烯和硅之间，还可以减少硅表面态对石墨烯的影响；在较大的反向偏压作用下，光生载流子与硅晶格产生碰撞离子化，获得很高的增益；本发明以氟化石墨烯为绝缘层的硅基雪崩光电探测器可以进行宽光谱探测，解决了传统硅基PIN结对紫外光探测响应低的问题。

公开(公告)号：CN104025315A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201180076057.4

申请日：2011-12-29

申请人： 英特尔公司

发明人： Y.康 ,  H-D.D.刘

IPC分类号： H01L31/107

CPC分类号： H01L33/0012 ,  H01L31/035272 ,  H01L31/1075 ,  H01L31/107

摘要： 具有低击穿电压特性的Si/GeSACM雪崩光电二极管（APD）包括具有特定厚度和掺杂浓度的各种层的倍增区域和吸收区域。光波导可以引导红外和/或光信号或能量进入吸收区域。产生的光生载流子被扫入i-Si层和/或倍增区域用于雪崩倍增。APD具有充分小于12V的击穿偏置电压和大于10GHz的操作带宽，并且因此适合用于消费者电子装置、高速通信网络等中。

公开(公告)号：CN101552303B

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN200810188273.8

申请日：2008-12-23

申请人： JDS尤尼弗思公司

发明人： 胡申业

IPC分类号： H01L31/102 ,  H01L31/105 ,  H01L31/107 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/1844 ,  H01L31/1075 ,  Y02E10/544

摘要： 本发明提供一种高可靠性的光电二极管，以及制造这种光电二极管的简单方法。在光电二极管制造期间，在吸收层的上表面上外延生长缓变层，并且在所述缓变层的上表面上外延生长用于抑制电流流动的阻挡层。然后，阻挡层被蚀刻以暴露所述缓变层的上表面的窗口区域。这样，被蚀刻的阻挡层限定所述吸收层的活性区域。在所述阻挡层的上表面上和所述缓变层的上表面的窗口区域上外延再生长窗口层，并且然后蚀刻所述窗口层以形成窗口台面。