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公开(公告)号：CN105308508A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201480033591.0
申请日：2014-05-23
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70133 , G03F7/70625 , G03F7/70683
摘要： 确定诸如临界尺寸(CD)或曝光剂量之类的与临界尺寸相关的性质的方法。使用光刻装置在光刻工艺中处理晶片，以在晶片上产生具有不同相应临界尺寸偏差的周期性目标。照射目标中的每个目标。测量由目标散射的辐射的强度。从图像中识别和提取每个光栅。确定差分信号。然后基于差分信号、CD偏差、以及差分信号在这样的周期性目标的1:1线与间隔比处近似于零的知识，确定诸如CD或曝光剂量之类的与CD相关的性质。使用所确定的与临界尺寸相关的性质，以在后续晶片的光刻处理中控制光刻装置。为了只使用两个CD偏差，校准步骤可以使用对“金晶片”(即参考晶片)的测量，以通过已知CD确定针对CD对中的每对的强度梯度。替代地，校准可以基于对强度梯度对CD的敏感性的仿真。
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公开(公告)号：CN1916603B
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200510091733.1
申请日：2005-08-15
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： A·J·登博夫 , A·J·布里克 , Y·J·L·M·范多梅伦 , M·杜萨 , A·G·M·基尔斯 , P·F·鲁尔曼恩 , H·P·M·佩勒曼斯 , M·范德沙尔 , C·D·格劳斯特拉 , M·G·M·范克拉亚
CPC分类号： G01N21/8806 , G03F7/70341 , G03F7/70633 , G03F7/7065 , G03F9/7034
摘要： 一种通过在一高数值孔径透镜的光瞳面中测量一角分解光谱从而确定基底特性的设备与方法，所述角分解光谱是由反射离开所述基底的辐射形成的。所述特性可依角度和波长而变化，并可包括横向磁和横向电偏振光的强度及其相对相位差。
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公开(公告)号：CN1573564A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410047698.9
申请日：2004-06-09
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： J·洛夫 , H·布特勒 , S·N·L·当德斯 , A·科勒斯辰科 , E·R·鲁普斯特拉 , H·J·M·梅杰 , J·C·H·穆肯斯 , R·A·S·里特塞马 , F·范沙克 , T·F·森格斯 , K·西蒙 , J·T·德斯米特 , A·斯特拉艾杰 , B·斯特里科克 , E·T·M·比拉尔特 , C·A·胡根达姆 , H·范桑坦 , M·A·范德科霍夫 , M·克鲁恩 , A·J·登博夫 , J·J·奥坦斯 , J·J·S·M·梅坦斯
CPC分类号： G03F7/70141 , G03F7/70341 , G03F7/7085 , G03F7/70883
摘要： 本发明公开了一种光刻投影装置，在该装置中投影系统的最后元件和传感器之间的空间填充有液体。
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公开(公告)号：CN113168103B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN201980061872.X
申请日：2019-09-19
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： A·J·登博夫 , K·博哈塔查里亚 , 森崎健史 , S·G·J·马斯杰森
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 一种用于测量制造工艺的参数的方法，包括：利用辐射照射目标，检测来自目标的经散射的辐射，以及从所检测的辐射的不对称性来确定感兴趣的参数。
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公开(公告)号：CN113196172B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN201980077503.X
申请日：2019-10-07
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： 周子理 , N·潘迪 , O·V·兹维尔 , P·沃纳尔 , M·范德沙尔 , E·G·麦克纳马拉 , A·J·登博夫 , P·C·欣南 , M·博兹库尔特 , J·J·奥腾斯 , K·布哈塔查里亚 , M·库比斯
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 测量套刻的方法使用来自在衬底(W)上形成的一对子目标(1032，1034)上的位置(LOI)的多个非对称性测量。对于每个子目标，基于设计到子目标中的已知偏移变化，多个非对称性测量被拟合为非对称性与套刻之间的至少一个预期关系(1502，1504)。在一个示例中，通过变化顶部光栅和底部光栅的节距(P1/P2)，来提供连续的偏移变化。该对子目标之间的偏移变化相等并且相反(P2/P1)。套刻(OV)基于针对两个子目标的拟合关系之间的相对移动(xs)来被计算。将非对称性测量拟合为至少一个预期关系的步骤包括：完全或部分忽略偏离预期关系和/或落在拟合关系的特定段之外的测量(1506，1508，1510)。
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公开(公告)号：CN116670595A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202180087931.8
申请日：2021-12-16
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： J·A·L·J·拉伊马克思 , B·A·G·罗曼斯 , A·J·登博夫 , H·巴特勒
IPC分类号： G03F9/00
摘要： 本公开涉及一种用于测量衬底上的目标的感兴趣参数的量测设备，该量测设备包括：m*n个检测器，其中m≥1且n≥1；第一框架；(n‑1)个第二框架；以及(m‑1)*n个中间框架，其中：每个检测器经由初级定位组件连接到中间框架或第一框架或第二框架中的一者；并且每个中间框架经由次级定位组件连接到第一框架或第二框架中的一者。
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公开(公告)号：CN110998455B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN201880053401.X
申请日：2018-06-18
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 一种方法，该方法包括：对于使用图案化工艺创建的具有偏置的第一目标结构和不同偏置的第二目标结构的量测目标，获得包括用于第一目标结构的信号数据与用于第二目标结构的信号数据之间关系的量测数据，该量测数据是针对多个不同量测配方获得的，并且每个量测配方指定不同的测量参数；确定通过针对多个不同量测配方的量测数据的统计的拟合曲线或拟合函数作为参考；以及标识至少两个不同量测配方，所述至少两个不同量测配方的集体量测数据从所述参考的参数的变化超过或满足特定阈值。
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公开(公告)号：CN113196172A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201980077503.X
申请日：2019-10-07
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： 周子理 , N·潘迪 , O·V·兹维尔 , P·沃纳尔 , M·范德沙尔 , E·G·麦克纳马拉 , A·J·登博夫 , P·C·欣南 , M·博兹库尔特 , J·J·奥腾斯 , K·布哈塔查里亚 , M·库比斯
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 测量套刻的方法使用来自在衬底(W)上形成的一对子目标(1032，1034)上的位置(LOI)的多个非对称性测量。对于每个子目标，基于设计到子目标中的已知偏移变化，多个非对称性测量被拟合为非对称性与套刻之间的至少一个预期关系(1502，1504)。在一个示例中，通过变化顶部光栅和底部光栅的节距(P1/P2)，来提供连续的偏移变化。该对子目标之间的偏移变化相等并且相反(P2/P1)。套刻(OV)基于针对两个子目标的拟合关系之间的相对移动(xs)来被计算。将非对称性测量拟合为至少一个预期关系的步骤包括：完全或部分忽略偏离预期关系和/或落在拟合关系的特定段之外的测量(1506，1508，1510)。
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公开(公告)号：CN109661617B
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201780053950.2
申请日：2017-07-28
申请人： ASML荷兰有限公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 一种光刻设备包括被被配置为投影图案化辐射束以在被保持在衬底台上的衬底上形成曝光区域的投影系统。光刻设备进一步包括加热设备，包括被配置为提供在曝光期间照射并加热衬底一部分的额外的辐射束的一个或多个辐射源。
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公开(公告)号：CN111338187A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN202010264539.3
申请日：2015-08-19
申请人： ASML荷兰有限公司
发明人： K·布哈塔查里亚 , H·W·M·范布尔 , C·D·富凯 , H·J·H·斯米尔德 , M·范德沙 , A·J·登博夫 , R·J·F·范哈伦 , 柳星兰 , J·M·M·贝尔特曼 , A·富克斯 , O·A·O·亚达姆 , M·库比斯 , M·J·J·加克
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 衍射测量目标，其具有至少第一子目标和至少第二子目标，以及其中(1)第一和第二子目标每个包括一对周期性结构并且第一子目标具有与第二子目标不同的设计，不同的设计包括第一子目标周期性结构具有与第二子目标周期性结构不同的节距、特征宽度、间隔宽度和/或分割，或者(2)第一和第二子目标分别包括第一层中的第一和第二周期性结构，以及第三周期性结构在第一层下方的第二层中至少部分地位于第一周期性结构下方并且在第二层中没有周期性结构在第二周期性结构下方，以及第四周期性结构在第二层下方的第三层中至少部分地位于第二周期性结构下方。设计该测量目标的方法包括在子目标的外围处定位辅助特征，辅助特征配置为减小子目标外围处的测得强度峰值。
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