曝光装置
    54.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104395833B

    公开(公告)日:2016-07-06

    申请号:CN201480001256.2

    申请日:2014-05-12

    IPC分类号: G03F7/20 H01L21/027 H05K3/00

    摘要: 本发明提供一种曝光装置,其具备:基板保持载物台(110),可保持基板(W)并往复移动及升降;曝光载物台(320),保持掩模板(310),使图案面(M2)与基板(W)的感光面(M1)相面对;掩模除尘部(120),与基板保持载物台(110)一起前进,通过推压掩模板(310)的图案面(M2)的方向的力(第1方向的力)而与图案面(M2)的表面接触,一边旋转一边除尘;及基板除尘部(210),通过基板保持载物台(110)前进,而利用推压基板(W)的感光面(M1)的方向的力(第2方向的力)与基板(W)的感光面(M1)接触,一边旋转一边除尘。根据本发明的曝光装置,能够简化用于对基板的感光面及掩模的表面进行除尘的机构整体,并且能够使大量的基板高速曝光。

    利用激光开窗制作FPC镂空板的方法

    公开(公告)号:CN105163503A

    公开(公告)日:2015-12-16

    申请号:CN201510541875.7

    申请日:2015-08-31

    发明人: 许春雷 曹明峰

    IPC分类号: H05K3/06

    CPC分类号: H05K3/064 H05K2203/107

    摘要: 本发明公开一种利用激光开窗制作FPC镂空板的方法,包括以下步骤:a)纯铜板裁切;b)第一次化学处理:对纯铜板进行表面化学处理;c)压合干膜:将干膜压在纯铜板的正面;d)复合反面覆盖膜:将反面覆盖膜的正面与纯铜板的反面复合;e)紫外线曝光;f)显影;g)蚀刻;h)去膜;i)第二次化学处理:对线路部分进行表面化学处理;j)复合正面覆盖膜:将正面覆盖膜的反面与线路部分的正面复合;k)激光开窗:利用激光对反面覆盖膜进行开窗处理,形成镂空板。本发明先进行显影、蚀刻和去膜步骤,再对反面覆盖膜进行开窗处理,能够防止在蚀刻时蚀刻液进入镂空板内部,避免造成蚀刻不良,从而提高产品的稳定性和品质,节省原料。

    导电性高分子用蚀刻液、及将导电性高分子图案化的方法

    公开(公告)号:CN101523517B

    公开(公告)日:2013-07-10

    申请号:CN200780036318.3

    申请日:2007-09-13

    IPC分类号: H01B13/00 C08J7/00 H01L21/306

    摘要: 本发明的目的是提供一种对于导电性高分子具有优越的蚀刻处理能力的导电性高分子用蚀刻液、及使用该导电性高分子用蚀刻液来将导电性高分子予以图案化的方法。本发明的导电性蚀刻液,其特征为其是选自由下列所组成的族群中的蚀刻液:(1)含有超过0.5重量%、70重量%以下的(NH4)2Ce(NO3)6、或0.5重量%以上、30重量%以下的Ce(SO4)2的蚀刻液;(2)含有超过0.5重量%、30重量%以下的(NH4)4Ce(SO4)4的蚀刻液;(3)作为有效氯浓度为0.06重量%以上,并且pH值超过3且低于8的次氯酸盐水溶液的蚀刻液;(4)包括含有5重量%以上的盐酸、含有20重量%以上的硝酸,(盐酸浓度+0.51×硝酸浓度)的值为35重量%以下、且(盐酸浓度+0.5×硝酸浓度)的值为30重量%以上的亚硝酰氯的蚀刻液;(5)含有3重量%以上、40重量%以下的溴酸化合物,且含有4重量%以上的无机酸的蚀刻液;(6)含有6重量%以上、40重量%以下的氯酸化合物,且含有7重量%以上的卤化氢的蚀刻液;(7)含有0.001重量%以上、20重量%以下的高锰酸化合物的蚀刻液;以及(8)含有3重量%以上、30重量%以下的六价铬化合物的蚀刻液。