公开(公告)号：CN100468731C

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200610024666.6

申请日：2006-03-14

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 苏鼎杰 ,  何佳 ,  刘丕均 ,  郑敏祺

IPC分类号： H01L27/00 ,  H01L27/02 ,  H01L27/06 ,  H01L27/102 ,  H01L27/108 ,  H01L29/92

摘要： 本发明公开了一种半导体叠层电容器，其特征在于包括：在半导体器件上形成的至少一层金属层；填充在所述金属层之间电介质层；所述金属层之间具有至少一个金属互连孔。本发明的半导体叠层电容器相对于MIM电容器减少了一次掩膜工艺，从而大大降低了生产成本。

公开(公告)号：CN100463186C

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200510118089.2

申请日：2005-10-25

申请人： 海力士半导体有限公司

发明人： 吴平源 ,  金愚镇 ,  吴勋静 ,  尹孝根 ,  尹孝燮 ,  催佰一

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L27/102 ,  H01L27/10 ,  H01L27/00 ,  H01L29/92 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/82 ,  H01L21/314 ,  H01L21/02 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L28/56 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31616 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/91

摘要： 本发明公开一种用于半导体元件的电容器及该电容器的制造方法，所述电容器包括：形成在半导体衬底的预定下结构上的下电极；形成在下电极上具有低漏电流特性的氮氧化铝膜；形成在氮氧化铝膜上，且具有高于氮氧化铝膜的介电常数的氮氧化钇膜；及形成在氮氧化钇膜上的上电极。根据本发明，即使当半导体元件的集成度增加时，电容器的表面积会减少，但是藉由使用低漏电流特性的AlON膜和高电容特性的YON膜的双层膜，当作电容器的电介质膜，也可以得到具有高电容和低漏电流特性的电容器。

公开(公告)号：CN101304045A

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200810108893.6

申请日：2003-05-16

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 高山彻 ,  山崎舜平 ,  秋元健吾

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/51 ,  H01L29/92 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L21/0217 ,  B32B17/04 ,  B32B17/06 ,  C23C14/0652 ,  C23C14/5846 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3185 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/13 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3297 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66757 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明涉及氮化硅膜、半导体装置及其制造方法。本发明的目的在于应用一种在玻璃衬底上、在应变点之下的温度下形成可用作为栅极绝缘膜或保护膜的高质量的致密的绝缘膜的技术，应用该技术可以实现性能好、可靠性高的半导体装置。本发明的半导体装置在作为沟道长度为0.35～2.5μm的场效应晶体管的栅极绝缘膜中，在结晶半导体膜上经氧化硅膜形成氮化硅膜，该氮化硅膜的含氢浓度在1×1021/cm3以下、含氧浓度为5×1018～5×1021/cm3、且具有对包含7.13％的氟化氢氨(NH4HF2)和15.4％的氟化氨(NH4F)的混合水溶液的腐蚀速度在10nm/min以下的特性。

公开(公告)号：CN101246910A

公开(公告)日：2008-08-20

申请号：CN200710037680.4

申请日：2007-02-13

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 王媛 ,  张步新

IPC分类号： H01L29/92 ,  H01L27/04 ,  H01L21/02 ,  H01L21/822

CPC分类号： H01L23/5223 ,  H01L28/55 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种金属－绝缘－金属型电容器，包括：半导体衬底，位于半导体衬底上的层间介电层，贯穿层间介电层且露出半导体衬底的绝缘沟槽和两个金属沟槽，金属沟槽位于绝缘沟槽两侧且与绝缘沟槽共用槽壁，其中绝缘沟槽内填充有绝缘物质作为绝缘结构，金属沟槽内填充有金属物质作为电容器电极。用上述结构，成本降低且步骤少，并且不会产生蚀刻过度或蚀刻不足的情况。

公开(公告)号：CN101241896A

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200710000446.4

申请日：2007-02-07

申请人： 财团法人工业技术研究院

发明人： 鲜思康 ,  陈以勋 ,  郑键桦

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L27/00 ,  H01L29/92

摘要： 本发明公开了一种共质心对称结构电容，由第一金属层、第二金属层、第三金属层以及第四金属层组成。第一金属层相邻于第二金属层，第三金属层相邻于第一金属层，第四金属层相邻于第二金属层，且第一金属层对称于第四金属层，第二金属层对称于第三金属层。其中每一金属层均具有两组金属线，每一组分别具有数条金属线，每一组的每一金属线以相互交错方式配置。

公开(公告)号：CN100409449C

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200510025458.3

申请日：2005-04-27

申请人： 上海华虹NEC电子有限公司

发明人： 钱文生

IPC分类号： H01L29/00 ,  H01L29/92 ,  H01L29/78 ,  H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/265

摘要： 本发明公开了一种多晶硅-绝缘层-多晶硅电容和高阻多晶硅器件的制作方法，晶体管多晶硅栅、PIP电容下极板和高阻多晶硅都在第一层多晶硅上完成，只有PIP电容的上极板是单独的第二层多晶硅。本发明利用PMOS源漏极的P型离子注入和PIP电容下极板的N型离子注入而获得所需的阻值，所以可节约一次离子注入和一次光刻。本发明结构简单，成本低，工艺稳定性好，有益提高产品的成品率。

公开(公告)号：CN101221981A

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200710001664.X

申请日：2007-01-09

申请人： 财团法人工业技术研究院

发明人： 林蔚伶 ,  温景发 ,  李文熙 ,  胡堂祥 ,  王俊杰 ,  李正中

IPC分类号： H01L29/51 ,  H01L29/92 ,  H01L21/02 ,  H01L21/283 ,  H01L51/05 ,  H01L51/30 ,  H01L51/40

摘要： 本发明提供一种具有混合高介电材料层的电子元件及其制造方法。该电子元件包括基板，第一电极层设置于基板上。多层绝缘层包括第一介电层以及第二介电层，其中第一介电层与第二介电层之间互溶且实质上无界面存在。第二电极层设置于该多层绝缘层上。

公开(公告)号：CN101192568A

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200610097969.0

申请日：2006-11-24

申请人： 和舰科技(苏州)有限公司

发明人： 高文玉 ,  李秋德

IPC分类号： H01L21/82 ,  H01L21/02 ,  H01L27/00 ,  H01L29/92

摘要： 本发明涉及集成电路中“金属－绝缘体－金属”电容器结构及其制造方法。该结构自下而上包括下电极金属、MIM绝缘介质、上电极金属、绝缘介质和上层互连金属，其特点是：下电极金属下方设有下层互连金属，下电极金属呈网格状或条形状排布，其侧表面衬有侧壁金属层，侧壁金属层的侧表面的上端与下电极金属的上表面之间以圆弧面平滑过渡；上电极金属自上而下罩住所有下电极，上下电极之间均匀填充厚度一致的MIM绝缘介质。本发明使得MIM电容器的芯片占用面积节约一半以上，并且有效解决了边缘漏电和下电极侧壁水平面边缘尖锐引起击穿电压降低两个技术难题。

公开(公告)号：CN101192513A

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200610118812.1

申请日：2006-11-28

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 沈满华 ,  胡友存

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/82 ,  H01L29/92 ,  H01L27/00

摘要： 本发明公开了一种金属－绝缘体－金属电容器的制造方法，包括：在绝缘层上形成第一金属层；在所述第一金属层上形成第一电介质层；在所述第一电介质层上形成第二电介质层；在所述第二电介质层中形成沟槽；在所述沟槽中形成第二金属层；平坦化所述第二金属层和所述第二电介质层直至露出所述第二电介质层的表面。本发明还相应公开了一种金属－绝缘体－金属电容器，包括：在绝缘层上形成的下电极板；在所述下电极板上形成的电介质层；在所述电介质层上形成的上电极板；在所述上电极板的两侧具有形成于上电极板之前的金属间介电层。本发明的金属－绝缘体－金属电容器及其制造方法，能够避免冠状刻蚀缺陷的出现。

公开(公告)号：CN100388488C

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200510092232.5

申请日：2005-07-06

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 郑镛国 ,  元皙俊 ,  权大振 ,  宋珉宇 ,  金元洪

IPC分类号： H01L27/00 ,  H01L29/92 ,  H01L21/82 ,  H01L21/02 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L28/65 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/0805 ,  H01L28/56

摘要： 在具有混合电介质层的半导体集成电路器件及其制造方法中，混合电介质层包含按顺序堆迭的下电介质层、中间电介质层和上电介质层。下电介质层包含铪(Hf)或锆(Zr)。上电介质层也包含Hf或Zr。中间电介质层由具有比下电介质层的低的依赖于电压的电容变化的材料层形成。