公开(公告)号：CN100576557C

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200580040575.5

申请日：2005-11-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 安部宽子 ,  汤川干央 ,  高野圭惠 ,  浅见良信 ,  加藤清 ,  野村亮二 ,  守屋芳隆

IPC: H01L27/28 ,  G06K19/07 ,  H01L27/10 ,  G06K19/077 ,  H01L51/05 ,  G11C13/00

CPC classification number: H01L27/1266 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/04 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/13 ,  H01L27/283 ,  H01L51/0059

Abstract: 本发明的目的在于提供一种除在制造过程中外可以写入数据、并可以防止由于重写的伪造的易失性有机存储器，并且还提供一种包含这种有机存储器的半导体器件。本发明的特征在于，半导体器件包括：在第一方向上延伸的多个位线，在不同于第一方向的第二方向上延伸的多个字线，具有设置在位线与字线的交叉位置上的多个存储单元的存储单元阵列，以及设置在存储单元中的存储元件；其中，该存储元件包含位线、有机化合物层、和字线；该有机化合物层包含由无机化合物和有机化合物混合的层。

公开(公告)号：CN101523419A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200780036911.8

申请日：2007-09-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 斋藤利彦 ,  盐野入丰 ,  加藤清

IPC: G06K19/07 ,  G06K17/00 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L27/12 ,  G06K19/0701 ,  G06K19/0715 ,  G06K19/0723 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明的目的是提供一种能够使用小的电路面积获得写入数据到存储器所需的高电位的半导体器件。在本发明中，通过不使用通常使用的调整电路104的输出VDD，而是使用电位比VDD高的整流电路部分103的输出VDD0作为升压电路的输入电压，能够以小的电路面积获得写入数据到存储器所需的高电位。

公开(公告)号：CN100468741C

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200580018287.X

申请日：2005-05-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 加藤清 ,  山口哲司 ,  浅野悦子 ,  泉小波

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/82 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了一种用于使用和便宜的存储器件，同时即使当存储器与其它功能电路在同一衬底上形成时，仍然保持产品规格和生产率。本发明的存储器件包括在绝缘表面上形成的存储单元。该存储单元包括具有两个杂质区域的半导体薄膜、栅极、以及连接相应杂质区域的两条接线。通过在栅极和两条接线的至少之一之间施加电压这两条接线彼此绝缘，以改变半导体薄膜的状态。

公开(公告)号：CN101345219A

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200810210676.8

申请日：2002-11-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 新川悦子 ,  加藤清 ,  黑川义元

IPC: H01L21/84

CPC classification number: H01L29/78621 ,  H01L27/124 ,  H01L29/42384 ,  H01L2029/7863

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，将栅金属形成为膜，对于具有不同性质的每个TFT部分地腐蚀上述栅金属，制造栅电极。具体地说，对具有所要求的不同性质的每个TFT，通过将光刻胶曝光，制造光刻胶掩模。用上述光刻胶掩模，对于具有所要求的不同性质的每个TFT，腐蚀栅金属。这时，由于被覆盖而剩下了在对栅电极执行构图期间覆盖除TFT以外的TFT的半导体有源层的栅金属。可以在与所要求的性质一致的最佳条件下执行制造每个TFT的栅电极的步骤。

公开(公告)号：CN100410950C

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200480032300.2

申请日：2004-10-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 加藤清

IPC: G06F17/50 ,  G01R31/28 ,  H01L21/82

CPC classification number: G06F17/5045

Abstract: 本发明实现了一种能够缩短设计周期的逻辑电路的设计方法。半导体集成电路具有多个逻辑块，每个逻辑块由第一逻辑电路和第二逻辑电路构成。这种半导体集成电路至少由两个步骤来设计：对包括逻辑块之间的信号线和第一逻辑电路的逻辑电路进行设计布局和时序验证的第一设计步骤；以及对每个逻辑块中的第二逻辑电路独立地进行设计布局和时序验证的第二设计步骤。

公开(公告)号：CN101228630A

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200680027164.7

申请日：2006-05-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 加藤清

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/12 ,  H01L21/822 ,  H04B1/59 ,  H04B5/02 ,  G06K19/07

CPC classification number: H01L27/1266 ,  G06K19/0701 ,  G06K19/0715 ,  G06K19/0723 ,  G06K19/0726 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/13 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78624 ,  H04B5/0012 ,  H04B5/0056 ,  Y02D70/166 ,  Y02D70/26 ,  Y02D70/42

Abstract: 本发明的目的是实现一种具有高可靠性、小芯片面积和低功耗的无线芯片，其中，也防止了在诸如接近天线的情况下的强磁场中内部产生的电压极大增加。利用包含具有预定阈值电压的MOS电容器元件的谐振电路来实现该无线芯片。这样使得能够防止谐振电路的参数在强磁场中、在电压振幅超过预定值的情况下发生变化，从而可以保持无线芯片远离谐振状态。因此，在未使用限幅器电路或恒压产生电路的情况下，防止了过高电压的产生。

公开(公告)号：CN101122660A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200710142302.2

申请日：2003-05-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  加藤清 ,  荒井康行 ,  秋叶麻衣

IPC: G02B6/43

CPC classification number: G09G3/3275 ,  G02B6/43 ,  G09G2360/14 ,  G09G2370/08 ,  H01L25/0657 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06551 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的是提供一种使用廉价玻璃衬底、能够适应信息量的增加并进而具有高性能和高速工作的集成电路的半导体器件。在多个玻璃衬底上形成构成集成电路的各种电路，各玻璃衬底间的信号传输通过称为光互连的利用光信号完成。具体地，在被布置在形成于一个玻璃衬底上的上级的电路的输出端提供光发射元件，并形成光检测元件以与布置在形成于另一个玻璃衬底上的下级的电路的输入端的相关光检测元件相对。然后，从位于上级的电路输出的电信号转化而来的光信号被从光发射元件输出，相关光信号被光检测元件转化成电信号并输入到位于下级的电路。

公开(公告)号：CN100362662C

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN02122233.9

申请日：2002-05-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 黑川义元 ,  加藤清

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/788

Abstract: 本发明提供了一种半导体非易失存储器，其中能够以高速低功耗进行存储信息的写入或擦除，且其中写入或擦除之后的阈值电压分散宽度非常窄。存储晶体管的沟道区被分成写入控制区和写入区二个区域。写入控制区和写入区具有不同的阈值电压。写入仅仅在写入区中进行。当积累在浮栅中的电荷量由于写入而达到特定的数值时，写入控制区关断。写入控制区被用作写入操作的开关以便自动停止写入。因此，能够获得能以高速低功耗进行写入的并在写入或擦除之后的阈值电压控制方面优越的包含存储晶体管的非易失存储器。

公开(公告)号：CN101017833A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200710008080.5

申请日：2007-02-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高野圭惠 ,  大泽信晴 ,  加藤清

IPC: H01L27/12 ,  G06K19/077

CPC classification number: H01L27/13 ,  G06K19/07784 ,  G11C7/062 ,  G11C7/22 ,  H01F5/003 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/66 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/285 ,  H01L33/36 ,  H01L51/05 ,  H01L51/0591 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5203 ,  H01L2223/6672 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2251/5338 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01Q1/2283 ,  H01Q1/36 ,  H01Q9/27 ,  Y10S257/922 ,  H01L2924/00

Abstract: 当在线圈状天线部内形成有占有大面积的导电层时，难以稳定地供应电源。通过层叠存储电路部和线圈状天线部，可以防止电流流过存储电路部所包括的占有大面积的导电层，并可以谋求低耗电量。另外，通过层叠存储电路部和线圈状天线部，可以有效地利用空间。因此，可以实现半导体装置的小型化。

公开(公告)号：CN1992369A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200610156237.4

申请日：2006-12-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 加藤清 ,  斋藤利彦 ,  高野圭惠

IPC: H01L51/00 ,  G11C13/02

CPC classification number: G11C8/08 ,  B82Y10/00 ,  G11C8/10 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0028 ,  G11C2213/80 ,  H01L27/285 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0038 ,  H01L51/0039 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0054 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/007 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/0081

Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有更高功能和可靠性的存储元件的半导体器件、以及一种技术即以低成本及高成品率制造所述半导体器件而不会使工艺和器件复杂化。作为存储元件的形状，使用如下形状：其周边具有凹凸部的矩形；具有一个或多个弯曲部分的“之”字形形状；梳齿形；以及其内部具有开口(空间)的环形等。此外，还可以使用长边和短边的比率大的长方形、长径和短径的比率大的椭圆形等。