铜箔复合体、以及成形体及其制造方法

    公开(公告)号:CN104010810A

    公开(公告)日:2014-08-27

    申请号:CN201380004621.0

    申请日:2013-01-03

    Abstract: 本发明提供一种即便进行压制加工这样的不同于单轴弯曲的严苛(复杂)的变形也可防止铜箔破裂而加工性优异的铜箔复合体、以及成形体及其制造方法。本发明是层叠有铜箔与树脂层的铜箔复合体,在将铜箔的厚度设为t2(mm),将拉伸应变4%时的铜箔的应力设为f2(MPa),将树脂层的厚度设为t3(mm),将拉伸应变4%时的树脂层的应力设为f3(MPa)时,满足式1:(f3×t3)/(f2×t2)≥1,并且在将铜箔与树脂层的180°剥离粘接强度设为f1(N/mm),将铜箔复合体的拉伸应变30%时的强度设为F(MPa),将铜箔复合体的厚度设为T(mm)时,满足式2:1≤33f1/(F×T),在铜箔中的未层叠有树脂层的面,形成有总计厚度0.001~5.0μm的Ni层和/或Ni合金层。

    导电性电路形成方法
    89.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101375649B

    公开(公告)日:2011-03-16

    申请号:CN200780003590.1

    申请日:2007-01-23

    Inventor: 汤本哲男

    Abstract: 简单并低成本地形成掩蔽材料及基体两者均对高频信号的介质衰耗因数低,且两者的密合性优良的导电性电路。将混合有软质聚合物的环烯系树脂注射成形,形成一级基体(1),在它的表面上将具有相容性、未混合有软质聚合物的环烯系树脂注射成形,形成掩蔽层(2)。因为环烯系树脂本身具有耐蚀刻性,因此,可仅对未被掩蔽层2覆盖的一级基体(1)的表面、即应该形成导电性电路的部分(1a),使软质聚合物溶解,进行粗化并同时使之具有亲水性。因此,仅在未被掩蔽层(2)覆盖的部分(1a)上有选择地形成由非电解镀而成的导电层(4)。

Patent Agency Ranking