公开(公告)号：CN107430999B

公开(公告)日：2020-12-22

申请号：CN201580078128.2

申请日：2015-11-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 吉田基 ,  冈部博明 ,  须贺原和之

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/312 ,  H01L21/318 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/329 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L29/06 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：在以宽带隙半导体为基体材料的半导体元件(18)之上通过镀敷法形成Cu布线电极(17)的工序；还原工序，在NH3气氛下还原Cu布线电极(17)；加热工序，与还原工序同时地对Cu布线电极(17)进行加热；在加热工序之后形成包覆Cu布线电极(17)的扩散防止膜(11)的工序；以及密封工序，用有机树脂膜(10)包覆扩散防止膜(11)。

公开(公告)号：CN113875018B

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN201980096756.1

申请日：2019-05-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小西和也 ,  樽井阳一郎 ,  丹羽弘树 ,  冈部博明 ,  渡边宽

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 提供用于抑制回跳现象并且抑制平坦化工序中的集电极层的去除的技术。本申请说明书公开的技术所涉及的半导体装置具备：漂移层的下表面的一部分中的第1导电类型的漏极层、漂移层的下表面的一部分中的多个第2导电类型的集电极层以及在漂移层的下表面的一部分被多个集电极层夹着的第1导电类型的虚设层，虚设层的被多个集电极层夹着的方向即第1方向上的宽度比漏极层的第1方向上的宽度窄。

公开(公告)号：CN106165066A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201480077907.6

申请日：2014-04-09

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中西洋介 ,  冈部博明 ,  吉田基 ,  须贺原和之 ,  富永贵亮

IPC: H01L21/28

Abstract: 本发明提供抑制制造工序数的增加、且能够抑制合金层对于半导体基板的欧姆特性的劣化的碳化硅半导体的制造方法。形成为碳化硅半导体装置的制造方法，其具备：在由碳化硅构成的半导体基板11上形成由第一金属构成的金属层30的工序；在金属层30上形成将第二金属氮化了的金属氮化膜40的工序；经由金属氮化膜40来照射激光、形成半导体基板11的碳化硅与金属层30的第一金属的合金层31的工序；和在金属氮化膜40上形成电极20的工序。

公开(公告)号：CN108886055B

公开(公告)日：2021-06-04

申请号：CN201780017010.8

申请日：2017-02-02

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 须贺原和之 ,  冈部博明 ,  吉田基

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明涉及半导体装置，具备：半导体层，配置于半导体基板上；第1半导体区域，设置于半导体层的上层部；第2半导体区域，设置于第1半导体区域的上层部；栅极绝缘膜；栅电极；第1主电极，设置于覆盖栅电极的层间绝缘膜上，经由接触孔而与第2半导体区域电连接；以及第2主电极，配置于半导体基板的第2主面上，第1主电极具有：基底电极膜，经由接触孔而与第2半导体区域连接；以及铜膜，设置于基底电极膜上，铜膜在至少一部分中包括其晶体粒径比铜膜的其它部分小的应力缓和层。

公开(公告)号：CN109643653A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201780049619.3

申请日：2017-07-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 铃木裕弥 ,  冈部博明

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/32051 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/5329 ,  H01L2224/05 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/4911

Abstract: 本发明的目的在于抑制Cu晶粒的生长所致的层间绝缘膜的裂纹。半导体装置(101)具备：源极区域(5)；层间绝缘膜(7)，在源极区域(5)上具有开口部地形成，包括氧化硅；Cu电极(1)，经由层间绝缘膜(7)的开口部与源极区域(5)电连接，其端部位于所述层间绝缘膜(7)的端部的内侧的所述层间绝缘膜(7)上；以及应力缓和层(13)，形成于Cu电极(1)与层间绝缘膜(7)之间，包括断裂韧性值比层间绝缘膜(7)大的材料，从Cu电极(1)的端部的内侧设置至外侧。

公开(公告)号：CN105934813A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201580005967.1

申请日：2015-02-16

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 吉田基 ,  远藤加寿代 ,  藤田淳 ,  冈部博明 ,  须贺原和之

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/329 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L29/41 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/564 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/33 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/401 ,  H01L29/47 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/872 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/03614 ,  H01L2224/03914 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05085 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05562 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13624 ,  H01L2224/13639 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/051 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明的目的在于提供在高温动作中也抑制Cu布线的氧化的半导体装置。本发明的半导体装置具备：基板(1)，具有主面；Cu电极(8)，选择性地形成于基板(1)的主面一侧；氧化防止膜(14)，形成于Cu电极(8)的上表面的除其端部以外的区域；有机树脂膜(10)，形成于基板(1)的主面上，遮覆Cu电极(8)的侧面以及上表面的端部；以及扩散防止膜(11)，在有机树脂膜(10)与基板(1)的主面之间，与两者相接而形成，并在有机树脂膜(10)与Cu电极(8)的侧面以及上表面的端部之间，与两者相接而形成。

公开(公告)号：CN113875018A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN201980096756.1

申请日：2019-05-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 小西和也 ,  樽井阳一郎 ,  丹羽弘树 ,  冈部博明 ,  渡边宽

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 提供用于抑制回跳现象并且抑制平坦化工序中的集电极层的去除的技术。本申请说明书公开的技术所涉及的半导体装置具备：漂移层的下表面的一部分中的第1导电类型的漏极层、漂移层的下表面的一部分中的多个第2导电类型的集电极层以及在漂移层的下表面的一部分被多个集电极层夹着的第1导电类型的虚设层，虚设层的被多个集电极层夹着的方向即第1方向上的宽度比漏极层的第1方向上的宽度窄。

公开(公告)号：CN105934813B

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201580005967.1

申请日：2015-02-16

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 吉田基 ,  远藤加寿代 ,  藤田淳 ,  冈部博明 ,  须贺原和之

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/329 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L29/41 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明的目的在于提供在高温动作中也抑制Cu布线的氧化的半导体装置。本发明的半导体装置具备：基板(1)，具有主面；Cu电极(8)，选择性地形成于基板(1)的主面一侧；氧化防止膜(14)，形成于Cu电极(8)的上表面的除其端部以外的区域；有机树脂膜(10)，形成于基板(1)的主面上，遮覆Cu电极(8)的侧面以及上表面的端部；以及扩散防止膜(11)，在有机树脂膜(10)与基板(1)的主面之间，与两者相接而形成，并在有机树脂膜(10)与Cu电极(8)的侧面以及上表面的端部之间，与两者相接而形成。

公开(公告)号：CN109075089A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201780028691.8

申请日：2017-04-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 冈部博明 ,  中西洋介

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 电极(1)设置于半导体层(11)上。聚酰亚胺层(12)具有配置于电极(1)上的开口部(OP)、且聚酰亚胺层(12)覆盖电极(1)的边缘而延伸至电极(1)上。铜层(13)在开口部(OP)内设置于电极(1)上，与电极(1)上的聚酰亚胺层(12)分离。铜引线(14)具有被接合于铜层(13)上的一端。

公开(公告)号：CN109075089B

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN201780028691.8

申请日：2017-04-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 冈部博明 ,  中西洋介

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

Abstract: 电极(1)设置于半导体层(11)上。聚酰亚胺层(12)具有配置于电极(1)上的开口部(OP)、且聚酰亚胺层(12)覆盖电极(1)的边缘而延伸至电极(1)上。铜层(13)在开口部(OP)内设置于电极(1)上，与电极(1)上的聚酰亚胺层(12)分离。铜引线(14)具有被接合于铜层(13)上的一端。