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公开(公告)号：CN203659838U
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201320681795.8
申请日：2013-10-31
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/373
CPC分类号： H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014
摘要： 本实用新型公开了一种用于PoP封装的散热结构，包括：上层封装体，包括上层封装基板和贴在或焊在上层封装体的上层封装基板中多个thermal？via上的多个上层封装导热芯片或器件；下层封装体，包括下层封装基板和贴在或焊在下层封装基板表面的多个下层封装导热芯片或器件；BGA支撑球，形成在上层封装体与下层封装体之间，实现上下两层封装体的电互联；BGA球，形成于下层封装体的下层封装基板的背面，以支撑上下两层封装体；散热罩，覆盖于上层封装体之上，以实现上层封装体的上层封装导热芯片或器件散热及屏蔽；以及热界面材料，形成于上层封装体的上层封装导热芯片或器件与散热罩之间，以减小上层封装体与散热罩之间的接触热阻。
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公开(公告)号：CN203536412U
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201320683361.1
申请日：2013-10-31
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/31
CPC分类号： H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 本实用新型公开了一种刚柔结合板的三维封装散热结构，包括：一个柔性基板；压合在柔性基板上的一个底部基板和两个刚性基板，两个刚性基板对称分布在底部基板的两侧，两个刚性基板中挖有空腔；粘接固定在两个刚性基板背面的两个铜基；焊接在底部基板上的一个底部芯片；形成于底部芯片与底部基板之间的芯片下凸点；填充于底部芯片与底部基板之间芯片下凸点周围的底部填充胶；分别焊到或粘到两个铜基上的两个顶部芯片；将两个顶部芯片键合到刚性基板上的键合引线；塑封材料；形成于底部基板背面的BGA球；通过BGA球来固定底部基板的PCB板；以及安装于顶部的两个铜基之上的散热器。利用本实用新型，增加了封装体的散热路径，能够更为有效的散出热量。
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公开(公告)号：CN103474361A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310457111.0
申请日：2013-09-29
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC分类号： H01L21/50 , H01L21/60 , H01L25/00 , H01L23/367
CPC分类号： H01L23/481 , H01L21/486 , H01L23/3675 , H01L23/49816 , H01L23/5384 , H01L23/5389 , H01L23/552 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/92 , H01L25/105 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/73267 , H01L2224/92144 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2225/1094 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2224/16225 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了一种嵌入式有源埋入功能基板的封装工艺及封装结构，所述封装工艺包括：形成次级封装组件；自所述次级封装组件的第一主面和第二主面对应所述凸点进行盲孔开窗口并钻盲孔至所述凸点处；在所述次级封装组件上开设通孔，所述通孔贯穿所述次级封装组件；在所述盲孔以及所述通孔内进行化金属作为种子层，然后进行填孔电镀；进行第一外层线路层的制作。本发明解决了以往埋入结构中大功率器件的热管理性能问题，解决了器件的散热，本发明利用基于有机基板工艺进行了其散热结构的设计，能够很好的满足其散热的性能。
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公开(公告)号：CN103474429A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310429946.5
申请日：2013-09-18
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
摘要： 本发明提供一种电容阵列，包括基体、第一电极和第二电极。所述第一电极和第二电极均呈梳状，设于所述基体的上表面；第一电极的齿部和第二电极的齿部相互交错分布，第一电极的根部和第二电极的根部相对而设于基体上表面；在第一电极和第二电极的齿部与齿部之间，以及齿部与根部之间均设有绝缘介质条；在第二电极的每一条齿部下方的基体中均设有一个或多个间隔的单体电容；各单体电容的两个电极分别引接至第一电极和第二电极，形成电容并联结构。各单体电容为沟槽电容。本发明提供了高电容值、低寄生电感的电容阵列，第一电极和第二电极形成互相叉指的结构，可以减小高频的临近效应，使电容的高频性能更好。
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公开(公告)号：CN103474363A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310459272.3
申请日：2013-09-26
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC分类号： H01L21/56 , H01L21/60 , H01L23/14 , H01L23/31 , H01L23/498
CPC分类号： H01L2224/12105 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/92144 , H01L2224/92244 , H01L2924/15153 , H01L2924/15311
摘要： 本发明公开了一种基于有机基板技术的封装工艺及封装结构，所述封装工艺其包括，提供一有机基板，所述有机基板具有第一主面和与第一主面相对的第二主面；在有机基板第一主面形成金属槽，所述金属槽的尺寸与待封装的芯片的尺寸相适应；将所述芯片安装于所述金属槽内；在所述第一主面上形成芯片载板以将所述芯片封装于所述金属槽内；在有机基板的第二主面一侧形成连接芯片的连接垫片的封装管脚。本发明完全采用基板制造技术实现其封装，能够完全与基板工艺技术相兼容；同样该技术在一定程度上解决了该封装技术在后期量产中所预期遇到的问题，进一步推进了该技术产业化。
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公开(公告)号：CN103474363B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201310459272.3
申请日：2013-09-26
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC分类号： H01L21/56 , H01L21/60 , H01L23/14 , H01L23/31 , H01L23/498
CPC分类号： H01L2224/12105 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/92144 , H01L2224/92244 , H01L2924/15153 , H01L2924/15311
摘要： 本发明公开了一种基于有机基板技术的封装工艺及封装结构，所述封装工艺其包括，提供一有机基板，所述有机基板具有第一主面和与第一主面相对的第二主面；在有机基板第一主面形成金属槽，所述金属槽的尺寸与待封装的芯片的尺寸相适应；将所述芯片安装于所述金属槽内；在所述第一主面上形成芯片载板以将所述芯片封装于所述金属槽内；在有机基板的第二主面一侧形成连接芯片的连接垫片的封装管脚。本发明完全采用基板制造技术实现其封装，能够完全与基板工艺技术相兼容；同样该技术在一定程度上解决了该封装技术在后期量产中所预期遇到的问题，进一步推进了该技术产业化。
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公开(公告)号：CN103474361B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201310457111.0
申请日：2013-09-29
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC分类号： H01L21/50 , H01L21/60 , H01L25/00 , H01L23/367
CPC分类号： H01L23/481 , H01L21/486 , H01L23/3675 , H01L23/49816 , H01L23/5384 , H01L23/5389 , H01L23/552 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/92 , H01L25/105 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/73267 , H01L2224/92144 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2225/1094 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2224/16225 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了一种嵌入式有源埋入功能基板的封装工艺及封装结构，所述封装工艺其包括，形成次级封装组件；自所述次级封装组件的第一主面和第二主面对应所述凸点进行盲孔开窗口并钻盲孔至所述凸点处；在所述次级封装组件上开设通孔，所述通孔贯穿所述次级封装组件；在所述盲孔以及所述通孔内进行化金属作为种子层，然后进行填孔电镀；进行第一外层线路层的制作。本发明解决了以往埋入结构中大功率器件的热管理性能问题，解决了器件的散热，本发明利用基于有机基板工艺进行了其散热结构的设计，能够很好的满足其散热的性能。
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公开(公告)号：CN103646880A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310457012.2
申请日：2013-09-29
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/498
CPC分类号： H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16225 , H01L2224/19 , H01L2224/26175 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/92125 , H01L2224/92144 , H01L2924/15311 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/92 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 本发明公开了一种基于板级功能基板的封装工艺及封装结构，所述封装工艺其包括，形成次级封装组件；自所述次级封装组件的第一主面和第二主面对应所述凸点进行盲孔开窗口并钻盲孔至所述凸点处；在所述次级封装组件上开设通孔，所述通孔贯穿所述次级封装组件；在所述盲孔以及所述通孔内进行化金属作为种子层，然后进行填孔电镀；进行第一外层线路层的制作。本发明在一定程度上解决了该封装技术在后期量产中所预期遇到的问题，进一步推进了该技术产业化。
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公开(公告)号：CN203491244U
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201320598271.2
申请日：2013-09-26
申请人： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC分类号： H01L23/045 , H01L23/049 , H01L23/06
CPC分类号： H01L2224/16225
摘要： 本实用新型公开了一种封装结构，包括，有机基板，在所述有机基板的第一主面上形成有金属槽；芯片，其设置于所述金属槽内；芯片载板，所述芯片载板设置于所述芯片的端面以及所述第一主面上；形成于所述有机基板的第二主面一侧的外部管脚；与所述芯片的对应连接垫片和相应的外部管脚电性连接的内部连线，所述内部连线延伸穿过所述有机基板；位于所述有机基板的第二主面一侧的阻隔各个内部连线的阻焊层。本实用新型完全采用基板制造技术实现其封装，能够完全与基板工艺技术相兼容；同样该技术在一定程度上解决了该封装技术在后期量产中所预期遇到的问题，进一步推进了该技术产业化。
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公开(公告)号：CN103839903B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201410086565.6
申请日：2014-03-10
申请人： 中国科学院微电子研究所
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/50
CPC分类号： H01L2224/16145 , H01L2224/73204
摘要： 本发明涉及电子封装技术领域，特别涉及一种带散热功能的三维堆叠芯片的制造方法，芯片包括顶层芯片单元、底层芯片单元及芯片基板。顶层芯片单元垂直连接在底层芯片单元的上方；芯片基板与底层芯片单元的底部连接。本发明提供的带散热功能的三维堆叠芯片及其制造方法，高热导率的散热单元制作工艺成熟、结构简单、制作成本低。散热单元将堆叠芯片热量直接从芯片内部传导至封装体外部进行散热，散热效率高。同时，在散热单元的上、下表面制作孔、槽、缝等结构，使散热层在长宽高尺寸一定的情况下，散热面积有效的增大，从而增加了散热单元的散热效率。
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