凸点电极基板的形成方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117038474A

    公开(公告)日:2023-11-10

    申请号:CN202311229828.X

    申请日:2021-06-07

    Abstract: 【课题】本发明的目的在于提供一种凸点电极基板的形成方法,其能抑制空洞的产生和凸块高度的偏差的问题,同时能够抑制不润湿。【解决手段】该方法具备如下步骤:在设置于基板的电极之上涂布第一助焊剂;装载焊料材料;加热该基板并在该电极形成焊料凸块;使该焊料凸块变形,在该焊料凸块设置平坦面或凹部;在该焊料凸块涂布第二助焊剂;在该焊料凸块之上装载具有芯部分与覆盖该芯部分表面的焊料层的芯材料;加热该基板并通过该焊料凸块和该焊料层使该芯材料与该电极接合。

    凸点电极基板的形成方法

    公开(公告)号:CN113782450A

    公开(公告)日:2021-12-10

    申请号:CN202110631207.9

    申请日:2021-06-07

    Abstract: 【课题】本发明的目的在于提供一种凸点电极基板的形成方法,其能抑制空洞的产生和凸块高度的偏差的问题,同时能够抑制不润湿。【解决手段】该方法具备如下步骤:在设置于基板的电极之上涂布第一助焊剂;装载焊料材料;加热该基板并在该电极形成焊料凸块;使该焊料凸块变形,在该焊料凸块设置平坦面或凹部;在该焊料凸块涂布第二助焊剂;在该焊料凸块之上装载具有芯部分与覆盖该芯部分表面的焊料层的芯材料;加热该基板并通过该焊料凸块和该焊料层使该芯材料与该电极接合。

    软钎料合金
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106794557B

    公开(公告)日:2019-03-08

    申请号:CN201680002148.6

    申请日:2016-02-15

    Abstract: 本发明的目的在于提供在高温高湿环境中可抑制变色、而且可抑制氧化膜生长的软钎料合金、焊料球、芯片状软钎料、焊膏及钎焊接头。一种软钎料合金,其包含0.005质量%以上且0.1质量%以下的Mn、0.001质量%以上且0.1质量%以下的Ge,余量的主要成分为Sn。在以Sn为主要成分的软钎料合金中,通过添加0.005质量%以上且0.1质量%以下的Mn、0.001质量%以上且0.1质量%以下的Ge,对于包含Sn氧化物、Mn氧化物及Ge氧化物的氧化膜而言,Ge氧化物大多分布在氧化膜的最外表面侧,即使在高湿环境下也可以得到防变色效果。另外,Mn与O2反应可抑制Sn与O2的反应,且可抑制Sn氧化物的生成,因此,可抑制氧化膜厚的增加,提高融合性。

    芯材料和半导体封装体和凸块电极的形成方法

    公开(公告)号:CN108172523B

    公开(公告)日:2019-03-01

    申请号:CN201711286173.4

    申请日:2017-12-07

    Abstract: 提供芯材料和半导体封装体和凸块电极的形成方法。该芯材料是将包含Sn和Bi的(Sn‑Bi)系软钎料合金在芯(12)的表面形成镀覆膜而得到的芯材料,其是软钎料镀覆层(16)中的Bi以规定范围的浓度比分布在软钎料镀覆层中的芯材料,是以Bi的浓度比在91.7~106.7%的规定范围内分布于软钎料镀覆层中的芯材料。软钎料镀覆层中的Bi是均匀的。因此,不会发生如下的情况:内周侧比外周侧更早发生熔融,在内周侧与外周侧产生体积膨胀差,使芯材料被弹飞。另外,软钎料镀覆层整体大致均匀地熔融,因此不会发生被认为是因熔融时机参差不齐而发生的芯材料的位置偏移,因此不存在伴随位置偏移等的电极间短路等担心。

    软钎料合金、焊料球、小片软钎料、焊膏和钎焊接头

    公开(公告)号:CN108712940A

    公开(公告)日:2018-10-26

    申请号:CN201780016058.7

    申请日:2017-03-08

    Abstract: 本发明的目的在于提供在高温高湿环境中可抑制变色、而且可抑制氧化膜生长的软钎料合金、焊料球、小片软钎料、焊膏及钎焊接头。一种软钎料合金,其包含0.005质量%以上且0.1质量%以下的Mn、0.001质量%以上且0.1质量%以下的Ge、超过0质量%且4质量%以下的Ag,余量的主要成分为Sn。在以Sn为主要成分的软钎料合金中,通过包含0.005质量%以上且0.1质量%以下的Mn、0.001质量%以上且0.1质量%以下的Ge,对于包含Sn氧化物、Mn氧化物及Ge氧化物的氧化膜而言,Ge氧化物大多分布在氧化膜的最外表面侧,即使在高湿环境下也可以得到防变色效果。另外,Mn与O2反应可抑制Sn与O2的反应,且可抑制Sn氧化物的生成,因此,可抑制氧化膜厚的增加,提高融合性。

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