公开(公告)号：CN1574321B

公开(公告)日：2010-04-28

申请号：CN200310120177.7

申请日：2003-12-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖嘉宏 ,  林俊吉 ,  张宗生 ,  曹敏 ,  曾焕棋 ,  李豫华 ,  杨青天

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05006 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043

Abstract: 一种铜制程焊垫结构及其制造方法，此铜制程焊垫结构包含第一保护层，第二保护层，以及多个焊垫。第一保护层与第二保护层，是覆盖于半导体基材的最上层铜金属内联线之上，且具有多个开口，使露出最上层铜金属内联线表面。而焊垫形成于第一保护层的开口上方，并与最上层铜金属内联线表面相互连接，且相邻的焊垫彼此之间由第二保护层所隔离。本发明的另一方面是说明形成上述的铜制程焊垫的制造方法。通过本发明的铜制程焊垫结构及其制造方法，可防止焊垫之间短路的情况，提高集成电路产品的可靠度，还可提高集成电路的焊垫密度，以有效增加集成电路产品的输出/输入接口的数量，增强集成电路产品的功能。

公开(公告)号：CN1329973C

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200410090425.2

申请日：2004-11-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周竣坚 ,  李豫华 ,  杨青天 ,  赖嘉宏 ,  许玉青 ,  林睦益 ,  曹敏 ,  顾家有 ,  范彧达

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76844 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76847

Abstract: 一种内联结构的制造方法，包括：提供一半导体基底，其上具有第一导电层，以及形成一介电层于上述基底与上述第一导电层上，一开口形成于上述介电层中且延伸至上述第一导电层，经由上述开口将上述第一导电层的一部分移除，以形成一凹蚀处，此凹蚀处具有一大体上为曲型的轮廓，以第二导体层填充上述开口与上述凹蚀处。

公开(公告)号：CN1783469A

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：CN200510117349.4

申请日：2005-11-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨青天 ,  张守仁 ,  曹敏 ,  米玉杰

IPC: H01L23/485 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48666 ,  H01L2224/48681 ,  H01L2224/48684 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48766 ,  H01L2224/48781 ,  H01L2224/48784 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种集成电路晶片结构，包括一焊垫结构、一低介电常数层及主动电路。焊垫结构包含了一焊垫，一第一实心导电板，及一第二实心导电板。第一实心导电板位于焊垫的下方且与焊垫导通。第二实心导电板位于第一实心导电板下方。一低介电常数层或低介电常数层与二氧化硅层的组合位于焊垫结构下方。至少部分的主动电路位于焊垫结构的下方。本发明所述集成电路晶片，具有良好的结合能力，且其制程步骤相对于已知技术有较低的成本，以及其较易转换至设计规则。

公开(公告)号：CN1652320A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN200410090425.2

申请日：2004-11-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周竣坚 ,  李豫华 ,  杨青天 ,  赖嘉宏 ,  许玉青 ,  林睦益 ,  曹敏 ,  顾家有 ,  范彧达

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L21/76844 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76847

Abstract: 一种内联机结构的制造方法，包括：提供一半导体基底，其上具有第一导电层，以及形成一介电层于上述基底与上述第一导电层上，一开口形成于上述介电层中且延伸至上述第一导电层，经由上述开口将上述第一导电层的一部分移除，以形成一凹蚀处，此凹蚀处具有一大体上为曲型的轮廓，以第二导体层填充上述开口与上述凹蚀处。

公开(公告)号：CN1574321A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200310120177.7

申请日：2003-12-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖嘉宏 ,  林俊吉 ,  张宗生 ,  曹敏 ,  曾焕棋 ,  李豫华 ,  杨青天

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05006 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043

Abstract: 一种铜制程焊垫结构及其制造方法，此铜制程焊垫结构包含第一保护层，第二保护层，以及多个焊垫。第一保护层与第二保护层，是覆盖于半导体基材的最上层铜金属内联线之上，且具有多个开口，使露出最上层铜金属内联线表面。而焊垫形成于第一保护层的开口上方，并与最上层铜金属内联线表面相互连接，且相邻的焊垫彼此之间由第二保护层所隔离。本发明的另一方面是说明形成上述的铜制程焊垫的制造方法。通过本发明的铜制程焊垫结构及其制造方法，可防止焊垫之间短路的情况，提高集成电路产品的可靠度，还可提高集成电路的焊垫密度，以有效增加集成电路产品的输出/输入接口的数量，增强集成电路产品的功能。

公开(公告)号：CN100378981C

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200510117349.4

申请日：2005-11-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨青天 ,  张守仁 ,  曹敏 ,  米玉杰

IPC: H01L23/485 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48639 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48666 ,  H01L2224/48681 ,  H01L2224/48684 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48739 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48766 ,  H01L2224/48781 ,  H01L2224/48784 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种集成电路晶片结构，包括一焊垫结构、一低介电常数层及主动电路。焊垫结构包含了一焊垫，一第一实心导电板，及一第二实心导电板。第一实心导电板位于焊垫的下方且与焊垫导通。第二实心导电板位于第一实心导电板下方。一低介电常数层或低介电常数层与二氧化硅层的组合位于焊垫结构下方。至少部分的主动电路位于焊垫结构的下方。本发明所述集成电路晶片，具有良好的结合能力，且其制程步骤相对于已知技术有较低的成本，以及其较易转换至设计规则。

公开(公告)号：CN2786787Y

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：CN200420009702.8

申请日：2004-11-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周竣坚 ,  李豫华 ,  杨青天 ,  赖嘉宏 ,  许玉青 ,  林睦益 ,  曹敏 ,  顾家有 ,  范彧达

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76844 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76847

Abstract: 一种内联机结构，包括：第一导电层位于一基底中；一介电层于上述第一导电层上且具有一开口延伸至上述第一导体层；以及第二导体层位于上述开口中且接触该第一导电层的一部分，其中一介于上述第一与第二导体层的界面大体沿着一大体为曲型的轮廓。

公开(公告)号：CN2720634Y

公开(公告)日：2005-08-24

申请号：CN200420059308.5

申请日：2004-05-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖嘉宏 ,  林俊吉 ,  张宗生 ,  曹敏 ,  曾焕棋 ,  李豫华 ,  杨青天

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05006 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043

Abstract: 一种铜制程焊垫结构。此铜制程焊垫结构包含第一保护层、第二保护层以及多个焊垫。第一保护层与第二保护层覆盖于半导体基材的最上层铜金属内连线之上，且具有多个开口，使露出最上层铜金属内连线表面。而焊垫形成于第一保护层的开口上方，并与最上层铜金属内连线表面相互连接，且相邻的焊垫彼此之间由第二保护层所隔离。该铜制程焊垫结构可有效改善焊垫的隔离结构，使焊垫在打线制程中有效避免产生桥接的问题，提高集成电路的电路设计稳定性、电路产品可靠度和集成电路的焊垫密度，有效增加集成电路产品的输出/输入接口的数量和电路产品的功能。